Вязкостные присадки Придают маслу: -необходимую текучесть при низких температурах понижая температуру застывания до уровня -15 и -45°C, в зависимости от необходимости; -вязкость при высоких температурах (чтобы предотвратить контакт между движущимися частями). Состав: -сополимеры олефинов; -полиметакрилаты; -полиизобутилены;
f-блок в периодической таблице элементов — электронная оболочка атомов, валентные электроны которых с наивысшей энергией занимают f-орбиталь. В данный блок входят актиноиды и лантаноиды. Фактическая электронная конфигурация элементов, входящих в этот блок, может отличаться от истинной и не может не подпадать
ПЛАН. ОпределениеОпределение. Определение. Общая формула класса углеводородовОпределение. Общая формула класса углеводородов. Гомологический рядГомологический ряд. Виды изомерииВиды изомерии. Номенклатура алканов СтроениеСтроение Строение алкановСтроение алканов. Физические свойстваФизические свойства. Способы полученияСпособы получения. Химические свойстваХимические свойства. ПрименениеПрименение. АЛКАНЫ. (ПРЕДЕЛЬНЫЕ УГЛЕВОДОРОДЫ. ПАРАФИНЫ.
Вирощування кристалів- дуже цікавий процес, що потребує терпіння, охайності, наполегливості. Речовини для дослідів з кристалами Алюмокалієві галуни Хромокалієві галуни Купрум (ІІ) хлорид і мідний купорос Найпростіше вирощувати кристали з водних розчинів, але не всі з них придатні для вирощування. Важко,
Кристаллические вещества состоят из огромного количества очень маленьких кристалликов, имеющих абсолютно одинаковое строение. Кристаллические вещества характеризуются повторяющимся в пространстве расположением атомов или ионов, образующих правильные геометрические тела Система атомов или ионов, определенным образом расположенных в пространстве, называется кристаллической
Дифракционные методы - совокупность методов исследования атомного строения вещества, использующих дифракцию пучка фотонов, электронов или нейтронов, рассеиваемого исследуемым объектом Рентгеноструктурный анализ позволяет определять координаты атомов в трёхмерном пространстве кристаллических веществ Газовая электронография определяют геометрию свободных молекул в газах Нейтронография, в основе которой лежит рассеяние нейтронов на ядрах
Ionimplantáció alapok Alapelv: A kívánt adalék atomokat felgyorsított ionokként (B+, P+, As+) bombázzuk a félvezető szelet felszíni, felszín közeli rétegeibe Vákuum technológia Mind rétegnövelő, mind rétegalakító művelet A diffúzióval szemben az ionimplantáció erősen nem egyensúlyi folyamat (pár keV-MeV a becsapódó
Здесь, Вы можете изучить и скачать презентации из раздела Химия.
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть