Программа Model презентация

Содержание

Слайд 1Программа Model
Подготовка описания модели для программы MC6, MC7


Слайд 2ОКНО ПРОГРАММЫ MODEL


Слайд 3В таблицу данных заносят данные по току коллектора и напряжения база

эмиттер в режиме насыщения.

Слайд 4Схема измерения ВАХ


Слайд 5Определение тока коллектора насыщения и соответствующего ему
напряжения эмиттер-база насыщения (в эксперименте

определяется ток базы насыщения)

Слайд 6Определение напряжения насыщения по заданному току базы насыщения.


Слайд 8Результат расчета после инициализации и оптимизации


Слайд 10Расчет поле двух введенных точек, ошибка расчета 4.5%


Слайд 11Следующее окно (горячие клавиши CTRL/->)
Зависимость выходной проводимости от тока коллектора


Слайд 12Расчет ведется по выходной характеристике. Но можно задать напряжение Эрли и

из геометрических построения на выходной характеристике.

hoe=dIc/dVce
dIc=1.040 mA
dVce=2.595 V




Слайд 13Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от

тока коллектора Ic

Слайд 14Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от

тока коллектора Ic

Слайд 15Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора


Слайд 16Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении

тока коллектора к току базы.
Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

Слайд 17Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении

тока коллектора к току базы.
Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

Слайд 18Барьерная емкость перехода эмиттер-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно

значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Слайд 19Барьерная емкость перехода коллектор-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно

значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Слайд 20Барьерная емкость перехода эмиттер-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно

значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Слайд 21Таблица времени рассасывания от тока коллектора. При заданном отношении токов коллектор/база.
Этот

параметр может быть оценен по ориентировочно из технологических параметров транзистора.

Слайд 22Создание файла (*.lib) – текстового файла описания параметра модели.
Создание файла

(*.lbr) – двоичного файла описания параметра модели.

Слайд 23Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока Ft в схеме с ОЭ

от тока коллектора.
Этот параметр может быть оценен по приведенным в справочнике данных о частоте Fbeta

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика