Лавинно-пролетные диоды презентация

Содержание

1. Лавинно-пролетные диоды
2. Рис. 32 б Лавинно-пролетный диод (ЛПД) Идею
3. Насыщение дрейфовой скорости электронов Рис. 33 а
4. Структура диода Рида Рис. 33 б
5. Работа ЛПД в пролетном режиме Рис. 34
6. t t t t U t1 U0 Iнав t2 t3 t4 Рис. 35 Осциллограммы токов
7. Rs Ls
8. Рис. 36 б 102 103 0,1

Рис. 32 б Лавинно-пролетный диод (ЛПД) Идею создания прибора предложил Рид в 1958 г. Патент на открытие получил Александр Семенович Тагер в 1959 г. Эффект генерации СВЧ сигнала обнаружен на диодах,

Главная
Разное
Лавинно-пролетные диоды

Слайд 1
НИУ МЭИ
Кафедра Полупроводниковой электроники
Дисциплина:
Полупроводниковые СВЧ приборы
Рис. 32 а
Тема

6.
Лавинно-пролетные диоды

Слайд 2Рис. 32 б
Лавинно-пролетный диод (ЛПД)
Идею создания прибора предложил Рид в 1958

г.

Патент на открытие получил Александр Семенович Тагер в 1959 г.
Эффект генерации СВЧ сигнала обнаружен на диодах, созданных
Виктором Михайловичем Вальд-Перловым в лаборатории Александра Викторовича Красилова.

Принцип работы ЛПД основан на 2 эффектах:
Лавинное размножение носителей заряда в диоде при обратном смещении.
Насыщение дрейфовой скорости носителей заряда в сильном электрическом поле.

Слайд 3Насыщение дрейфовой скорости электронов
Рис. 33 а

102
103
104
106
105
107
Si
Ge
GaAs
ℰ, В/см
vn , см/с
1. ΔEэл

Eт; vдр ~ ℰ ; μ = const

2. ΔEэл ≅> Eт; vдр ~ ℰ 1/2 ; μ ↓

3. ΔEэл ≅> Eопт; vдр → vs = const

Si : vs ≈ 107 см / с; ℰ кр ≈ 104 В / см

Слайд 4Структура диода Рида
Рис. 33 б

p+
n+
n
i
w
ℰпр
ℰкр
ℰ
x
w
0
+U0

Слайд 5Работа ЛПД в пролетном режиме
Рис. 34

U
t
Im
U0
t
t1
t2
t3
t4
t1
t3
t4
а)

Слайд 6t
t
t
t
U
t1
U0
Iнав
t2
t3
t4
Рис. 35
Осциллограммы токов

Слайд 7

Rs
Ls
Rd
Cj
Cp
Lлав
Рис. 36 а
Эквивалентная схема ЛПД
Rd < 0

Слайд 8Рис. 36 б

102
103
0,1
0,01
1
Si
Ge
GaAs
10
1
10

1965 г.
Pнепр , Вт
f , ГГц
Характеристики ЛПД

Скачать презентацию

Лавинно-пролетные диоды презентация

Содержание

Слайд 1
НИУ МЭИ
Кафедра Полупроводниковой электроники
Дисциплина:
Полупроводниковые СВЧ приборы
Рис. 32 а
Тема

Слайд 2Рис. 32 б
Лавинно-пролетный диод (ЛПД)
Идею создания прибора предложил Рид в 1958

Слайд 3Насыщение дрейфовой скорости электронов
Рис. 33 а

102
103
104
106
105
107
Si
Ge
GaAs
ℰ, В/см
vn , см/с
1. ΔEэл

Слайд 4Структура диода Рида
Рис. 33 б

p+
n+
n
i
w
ℰпр
ℰкр
ℰ
x
w
0
+U0

Слайд 5Работа ЛПД в пролетном режиме
Рис. 34

U
t
Im
U0
t
t1
t2
t3
t4
t1
t3
t4
а)

Слайд 6t
t
t
t
U
t1
U0
Iнав
t2
t3
t4
Рис. 35
Осциллограммы токов

Слайд 7

Rs
Ls
Rd
Cj
Cp
Lлав
Рис. 36 а
Эквивалентная схема ЛПД
Rd < 0

Слайд 8Рис. 36 б

102
103
0,1
0,01
1
Si
Ge
GaAs
10
1
10

1965 г.
Pнепр , Вт
f , ГГц
Характеристики ЛПД

Обратная связь

Что такое ThePresentation.ru?

Лавинно-пролетные диоды презентация

Содержание

Слайд 1НИУ МЭИКафедра Полупроводниковой электроники Дисциплина: Полупроводниковые СВЧ приборыРис. 32 а Тема

Слайд 2Рис. 32 бЛавинно-пролетный диод (ЛПД)Идею создания прибора предложил Рид в 1958

Слайд 3Насыщение дрейфовой скорости электроновРис. 33 а102103104106105107SiGeGaAsℰ, В/смvn , см/с1. ΔEэл

Слайд 4Структура диода РидаРис. 33 бp+n+niwℰпрℰкрℰxw0+U0

Слайд 5Работа ЛПД в пролетном режимеРис. 34UtImU0tt1t2t3t4t1t3t4а)

Слайд 6ttttUt1U0Iнавt2t3t4Рис. 35Осциллограммы токов

Слайд 7RsLsRdCjCpLлавРис. 36 аЭквивалентная схема ЛПДRd < 0

Слайд 8Рис. 36 б1021030,10,011SiGeGaAs101101965 г.Pнепр , Втf , ГГцХарактеристики ЛПД

Похожие презентации

Обратная связь

Что такое ThePresentation.ru?

Слайд 1
НИУ МЭИ
Кафедра Полупроводниковой электроники
Дисциплина:
Полупроводниковые СВЧ приборы
Рис. 32 а
Тема

Слайд 2Рис. 32 б
Лавинно-пролетный диод (ЛПД)
Идею создания прибора предложил Рид в 1958

Слайд 3Насыщение дрейфовой скорости электронов
Рис. 33 а

102
103
104
106
105
107
Si
Ge
GaAs
ℰ, В/см
vn , см/с
1. ΔEэл

Слайд 4Структура диода Рида
Рис. 33 б

p+
n+
n
i
w
ℰпр
ℰкр
ℰ
x
w
0
+U0

Слайд 5Работа ЛПД в пролетном режиме
Рис. 34

U
t
Im
U0
t
t1
t2
t3
t4
t1
t3
t4
а)

Слайд 6t
t
t
t
U
t1
U0
Iнав
t2
t3
t4
Рис. 35
Осциллограммы токов

Слайд 7

Rs
Ls
Rd
Cj
Cp
Lлав
Рис. 36 а
Эквивалентная схема ЛПД
Rd < 0

Слайд 8Рис. 36 б

102
103
0,1
0,01
1
Si
Ge
GaAs
10
1
10

1965 г.
Pнепр , Вт
f , ГГц
Характеристики ЛПД