ИФП 1976 год презентация

Содержание

1. ИФП 1976 год
2. ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г Thin Sol.Films,58(1979)
3. Основные идеи А.В.Ржанова, положенные в основу формирования
6. Учёный сосет ИФП СО РАН в 1970 году
7. Большое спасибо всем , кто пришёл на

ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г Thin Sol.Films,58(1979) IEEE El.Dev.v.56,N4,Apr.2009 Цитата из статьи: “We reported the highest electron mobility (μn) for Ge NMOS in the literature”

Слайд 1ИФП 1976 год
IEEE El.Dev.v.56N4,apr.2009

Слайд 2ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г
Thin Sol.Films,58(1979)
IEEE El.Dev.v.56,N4,Apr.2009
Цитата из статьи:
“We

reported the
highest electron mobility (μn) for Ge NMOS in the literature”

Слайд 3Основные идеи А.В.Ржанова, положенные в основу формирования совершенной границы раздела, и

выполненные под его руководством работы по созданию МДП – транзистора на основе германия
привели к получению прибора, характеристики которого не могут превзойти даже через 30 лет!
Они до сих пор являются лучшими в мире!