Студент-дипломник: Дашевская А.А.
Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
ИНСТИТУТ ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Министерство образования и науки Российской Федерации презентация
Содержание
- 1. Министерство образования и науки Российской Федерации
- 2. изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на
- 3. Фотографии источников МРИ: а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2
- 4. Источник МРИ - 1
- 5. Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры
- 6. Преобразование источника для проведения эксперимента
- 7. Схема масс-спектрометра
- 8. Типовой масс-спектр образца CdHgTe
- 9. Работа в Mathcad 2000
- 10. Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe
- 11. Схема источника МРИ-2
- 12. Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора
- 13. Процесс облучения и получение масс-спектров
- 14. Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа
- 15. Типовой масс-спектр
- 16. Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей
- 18. Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным
- 19. Спасибо за внимание
изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника. Цель работы
Слайд 1Тема выпускной работы: Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный
состав полупроводника CdHgTe
Студент-дипломник: Дашевская А.А.
Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.
Студент-дипломник: Дашевская А.А.
Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.
Слайд 2изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев
полупроводника.
Цель работы
Слайд 18Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда
На источнике
МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре
Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника
На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов
Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре
Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника
На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов
Выводы
