by high RF voltage bias (up to 8200 Vp-p)
Standard connection was used in this experiments:
RF power - to base electrode,
DC high voltage – to ESC was applied.
FOI
Plasma R&D
Cathode: N4X05 - 2310
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Lift up hole RF breakdown презентация
Содержание
- 1. Lift up hole RF breakdown
- 3. After experiment ESC surface has no damage, although many gas hole low power breakdowns occurred
- 4. Under cathode parts has no damage too.
- 5. But one lift up hole and lift up pin has traces of RF capacitive discharge
- 6. Cathode bottom surface around this lift up
- 7. Position of capacitive discharge inside lift up hole 2006/07/24 V.Menagarishvili
Слайд 1Lift up hole RF breakdown
SE-4000 Experimental
2006.06.27 ~ 2006.07.14 Old
type cathode block was checked
by high RF voltage bias (up to 8200 Vp-p)
by high RF voltage bias (up to 8200 Vp-p)
Слайд 3After experiment ESC surface has no damage, although many gas hole
low power breakdowns occurred
Слайд 6Cathode bottom surface around this lift up hole
has traces of RF
capacitive discharge too.
Clean surface
Surface after discharge
Surface after discharge
