- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Электронно дырочный переход, р-n переход презентация
Содержание
- 1. Электронно дырочный переход, р-n переход
- 2. p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами
- 5. Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического
- 7. Условное обазначение полупроводника
- 9. В проводниках носителями зарядов являются электроны. В
- 10. Если при воздействии на кристалл электрического поля
- 11. Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих
- 12. В следствии диффузии некоторые дырки из области
- 13. Если подать обратное напряжение на катод (+) а
- 14. Так вот с этого мы
- 15. А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория
Слайд 2p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n,
от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
Слайд 5Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и
проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен.
Из чего делают полупрводник
Слайд 9В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще
есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны.
Дырка - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника.
Принцып работы
Слайд 10Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами
проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа.
Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.
Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.
Р-N
Слайд 11Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной
проводимости.
Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р- и n- типа называют p-n переходом.
Слайд 12В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в
область n-типа, а свободные электроны в область р-типа
Слайд 13Если подать обратное напряжение на катод (+) а на анод (-) созданное источником
напряжения, на контакты полупроводника ,тогда внешнее поле созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом.
Слайд 14 Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают
ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ)
Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
Слайд 15А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф.
И. Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002.
В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с.
https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html
В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с.
https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html
