Максимов Н.А., Нестеренко А.О., Попова Е.В.
МИФИ, 2007
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Совершенствование технологического маршрута производства кремниевых фотоумножителей посредством компьютерного моделирования в среде ISE-TCAD Максимов Н.А., Нестеренко А.О., Попова Е.В. презентация
Содержание
- 1. Совершенствование технологического маршрута производства кремниевых фотоумножителей посредством компьютерного моделирования в среде ISE-TCAD Максимов Н.А., Нестеренко А.О., Попова Е.В.
- 2. SiФЭУ – фотодетектор нового типа Многоячеистость.
- 3. Алгоритм моделирования SiФЭУ в среде ISE-TCAD
- 4. DIOS-ISE Программа DIOS представляет собой симулятор технологических
- 5. DESSIS-ISE DESSIS является программой для расчетов электрофизических
- 6. Калибровка Для повышения надежности моделирования необходимо производить
- 7. Калибровка имплантации МИФИ, 2007 Конференция «Фундаментальные исследования материи»
- 8. Калибровка окисления МИФИ, 2007 Конференция «Фундаментальные исследования материи»
- 9. Разработка маршрута производства фотоумножителей Разработка маршрута заключается
- 10. Моделируемая структура Охранное кольцо Активная
- 11. Результаты моделирования Значения пробойных напряжений: 2D (пробой
- 12. Заключение Проведенное моделирование позволило выбрать оптимальные режимы
SiФЭУ – фотодетектор нового типа Многоячеистость. Высокое внутреннее усиление. Возможность регистрации низких световых потоков. Низкое напряжение питания. МИФИ, 2007 Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 1Конференция
«Фундаментальные исследования материи»
«Совершенствование технологического маршрута производства кремниевых фотоумножителей посредством
компьютерного моделирования в среде ISE-TCAD»
Максимов Н.А., Нестеренко А.О., Попова Е.В.
Максимов Н.А., Нестеренко А.О., Попова Е.В.
Слайд 2SiФЭУ – фотодетектор нового типа
Многоячеистость.
Высокое внутреннее
усиление.
Возможность регистрации
низких световых потоков.
Низкое
напряжение питания.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 3Алгоритм моделирования SiФЭУ в среде ISE-TCAD
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
МОДЕЛИРОВАНИЕ
МАРШРУТА
ПРОИЗВОДСТВА,
КАЛИБРОВКА
(DIOS-ISE)
РАСЧЕТ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ
(НАПРЯЖЕНИЕ
ПРОБОЯ
И ДР.)
(DESSIS-ISE)
(DESSIS-ISE)
СРАВНЕНИЕ С
РЕЗУЛЬТАТАМИ
ИССЛЕДОВАНИЯ
ЭКМПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ
ОБРАЗЦОВ
СРАВНЕНИЕ С
ДЕЙСТВУЮЩИМИ
ОБРАЗЦАМИ
ПРЕДЫДУЩИХ
СЕРИЙ
Слайд 4DIOS-ISE
Программа DIOS представляет собой симулятор технологических процессов полупроводникового производства.
DIOS позволяет моделировать
термические операции (окисление, разгонка), ионное легирование, осаждение и травление слоев веществ.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 5DESSIS-ISE
DESSIS является программой для расчетов электрофизических параметров полупроводниковых структур.
DESSIS позволяет задавать
физические условия задачи, математические условия ее решения, производить последовательное многоступенчатое решение задачи в квазистационарном и динамическом случаях.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 6Калибровка
Для повышения надежности моделирования необходимо производить калибровку программы-симулятора.
Калибровка производится методом подбора
значений свободных параметров до совпадения результатов моделирования с экспериментальными результатами.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 9Разработка маршрута производства фотоумножителей
Разработка маршрута заключается в поиске такой последовательности наиболее
важных технологических процессов, которая позволит получить модель прибора со значениями характеристик, близкими к требуемым.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 10Моделируемая структура
Охранное кольцо
Активная область
Эпитаксиальный слой
Подложка
n+
n
p
p+
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
n
Слайд 11Результаты моделирования
Значения пробойных напряжений:
2D (пробой через а.о.) Ubr = 17,8 В
2D
(пробой через о.к.) Ubr = 78,2 В
Имеется запас ~60 В по напряжению.
*а.о. – активная область; о.к. – охранное кольцо
Имеется запас ~60 В по напряжению.
*а.о. – активная область; о.к. – охранное кольцо
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
Слайд 12Заключение
Проведенное моделирование позволило выбрать оптимальные режимы технологических операций.
Ожидается получить прибор с
более высокой эффективностью регистрации света и более низкими шумами.
Ведется поиск альтернативных конфигураций детектора.
Ведется поиск альтернативных конфигураций детектора.
МИФИ, 2007
Конференция «Фундаментальные исследования материи»
