Общество с ограниченной ответственностью
"НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе"
Общество с ограниченной ответственностью
"НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе"
Заказы на разработки технологии от производственных и инженерных компаний
ГАРАНТИРОВАННЫЕ заказы на НИР и НИОКР по тонкопленочной технологии
ГПУ –Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет
СГПУ - Санкт-Петербургский Государственный Университет
ЛЭТИ – Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
PECVD
Система плазменно-химического осаждения из газовой фазы для
роста a-Si и µC-Si
ТСО
Система газофазного осаждения оксидов цинка в при низком давлении
LSS
Система лазерного скрайбирования
Центр будет оснащен сверхсовременным оборудованием ведущих мировых производителей (Oerlikon, Nikon, Oxford, SUSS MicroTech и др.)
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Результаты реализации проекта
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Каскадные солнечные элементы
на основе кремния
Технологические решения, создаваемые НТЦ обеспечат существенное увеличение КПД модуля
с 9% до 14-15 % и снижение удельной стоимости установленной мощности ФЭП.
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Тыльный ZnO контакт
Пленки кремния
Лицевой ZnO контакт
Стекло
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Общие сведения:
Тонкопленочные кремниевые солнечные модули
Переход на a-Si:H – поглощение коротковолновой части спектра
Переход на µс-Si:H – поглощение длинноволновой части спектра
Тыльный слой ZnO – тыльный контакт и отражатель, монолитное соединение ячеек
Тыльный отражатель – отражение света с низким поглощением
Тыльное стекло – герметизация модуля
Свет
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Общие сведения:
Структура ячейки микроморфного модуля
Аморфный кремний (a-Si:H) обладает большим поглощением в видимой области, что позволяет снизить толщину ФЭП на его основе (а)
Край поглощения микрокристаллического кремния (µc-Si:H) сдвинут в ИК область, что позволяет поглощать более широкий спектр (в)
а
в
НТЦ
тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе
Общие сведения:
Развитие технологии по мере модернизации модуля
Общество с ограниченной ответственностью
"НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе"
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть