Радиационная стойкость материалов презентация

2017

Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

и свойства в процессе или после воздействия ионизирующих излучений.

Ядро атома испускает гамма-квант.

1/20

кристаллическая решетка до облучения; в - образование радиационного дефекта в кристалле; 1 - нормальное положение атома; 2 - атом смещен в междоузлие; 3 - образовавшаяся вакансия; 4 - бомбардирующая частица

4/20

траектория их движения, 3 — электроды, 4 — источник переменного напряжения. Магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости рисунка

3

4

5

6

Схематическое устройство гетерогенного реактора на тепловых нейтронах: 1 — Управляющий стержень; 2 — Радиационная защита; 3 — Теплоизоляция; 4 — Замедлитель; 5 — Ядерное топливо; 6 — Теплоноситель.

2

1

5/20

Петербург)

ФГУП НИИР (г. Лыткарино)

ПИЯФ РАН (г. Гатчина)

ОИЯИ (г. Дубна)

ФГУП ВНИИА (г. Москва)

(г. Санкт – Петербург)

АО «ЭНПО СПЭЛС» (г. Москва)

неорганических материалов.

Минимальные уровни облучения, вызывающие заметные изменения свойств органических материалов

Наиболее значимыми типами радиационных повреждений является:
разрушение кристаллической решетки вследствие выбивания атомов из узлов;
ионизация диэлектриков;
изменение химического состава веществ вследствие ядерных реакций.

9/20

кремний, легированный фосфором

10/20

Образование лавины электронов

переключения

Рис. 1. Влияние ионизирующего излучения на КМОП-транзистор n-типа

на изоляторе

Рис. 5. Паразитные емкости в технологиях монолитного кремния и КНИ

Рис. 4. КМОП-технология кремний на диэлектрике

14/20

OXygen)

15/20

б - сращивание приборной и опорной пластин; в - удаление излишней части приборной пластины; г - готовая продукция;
А – приборная пластина (полированная окисленная пластина из монокристаллического кремния или кремниевая структура); Б – опорная пластина (монокристаллическая или аморфная пластина из полупроводника (кремния), стекла, керамики, металла, либо аморфная структура); 1 – приборный слой; 2 – слой оксида кремния.

а)

б)

в)

г)

16/20

технологий ионного внедрения и сращивание пластин.

Рис.8. Технологическая схема smart-cut: А – приборная пластина (полированная окисленная пластина кремния); B – опорная пластина (полированная пластина кремния).

17/20

сапфире; переходной слой содержит дефекты двойникования. б) Облучение ионами кремния и аморфизация дефектного слоя.
в) Твердофазная эпитаксия аморфного слоя и последующее окисление поверхности.

Ионы кремния

а)

б)

в)

18/20

количества летательных аппаратов, проблема радиационной стойкости электронных компонентов не может остаться без внимания. Несмотря на то, что современные методы защиты электроники от ионизирующего излучения на данном этапе позволяют эффективно справляться с этой проблемой, экономическая составляющая реализации этих методов во многом сдерживает развитие космической программы.
Возможно, массовый переход на другие типы носителей памяти и оптоэлектронику в будущем поможет избежать негативных последствий воздействия радиации на электронно-компонентную базу летательных аппаратов и ядерных реакторов.

19/20