от уровня фотовозбуждения при наличии поверхностного плазмонного резонанса.
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Исследование зависимости интенсивности люминесценции пленок оксида цинка от уровня фотовозбуждения презентация
Содержание
- 1. Исследование зависимости интенсивности люминесценции пленок оксида цинка от уровня фотовозбуждения
- 2. Цель работы: Исследование влияния уровня фотовозбуждения на
- 3. Применение: Разработка рекомендаций для получения максимального усиления
- 4. Установка для измерения спектров фотолюминесценции Измерения проводились на базе ИРЭ им. Котельникова
- 5. Методы изготовления образцов Метод химического осаждения из
- 6. Обзор образцов SEM ZnO. Изготовлен методом CVD,
- 7. Результаты измерений Спектры пленки
- 8. Спектры пленки оксида цинка, полученной методом CVD,
- 9. Зависимость отношения интенсивностей люминесценции покрытой и непокрытой
- 10. Пересечение зависимостей интенсивностей от энергии накачки для
- 11. Теоретическая модель
- 12. Результаты теоретического моделирования Сравнение экспериментальной и рассчитанной
- 13. Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей интенсивности люминесценции
- 14. Выводы: Усиление люминесценции пленок ZnO при помощи
- 15. Список литературы В.В. Климов ―Наноплазмоника‖. –
- 16. Благодарности: Научной группе по изучению люминесцентных свойств
- 17. Спасибо за внимание!
- 18.
- 19.
- 20.
- 21.
- 22.
- 23.
- 24. Структура ZnO Ширина запрещенной зоны 3.36эВ; Энергия
Цель работы: Исследование влияния уровня фотовозбуждения на интенсивность люминесценции пленок оксида цинка при наличии поверхностного плазмонного резонанса.
Слайд 1Дипломная работа
Курбанов Д.С Т11-67к
МИФИ
2016г.
Исследование зависимости интенсивности люминесценции пленок оксида цинка
Слайд 2Цель работы:
Исследование влияния уровня фотовозбуждения на интенсивность люминесценции пленок оксида цинка
при наличии поверхностного плазмонного резонанса.
Слайд 3Применение:
Разработка рекомендаций для получения максимального усиления при помощи ППР.
Увеличение эффективности светоизлучающих
устройств на основе ZnO.
Слайд 4Установка для измерения спектров фотолюминесценции
Измерения проводились на базе ИРЭ им. Котельникова
Слайд 5Методы изготовления образцов
Метод химического осаждения из газовой фазы (CVD);
Метод магнетронного распыления;
Импульсное
лазерное осаждение (ИЛО)
S.J. Jiao, Z.K. Tang et al., ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates. //Appl. Phys. Lett. 2006. V.88. P.031911-3
Слайд 6Обзор образцов
SEM ZnO. Изготовлен методом CVD, серебро нанесено магнетронным методом.
SEM ZnO.
Изготовлен методом магнетронного напыления, серебро нанесено методом ИЛО.
SEM получены на базе ИК им. Шубникова РАН.
Слайд 7Результаты измерений
Спектры пленки оксида цинка, полученной методом CVD, с покрытием серебра
разной толщины, записанные с возбуждением He-Cd - лазером.
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 8Спектры пленки оксида цинка, полученной методом CVD, с покрытием серебром разной
толщины, записанные с возбуждением Nd:YAG - лазером.
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 9Зависимость отношения интенсивностей люминесценции покрытой и непокрытой серебром частей образца (метод
CVD) от накачки; толщина пленки серебра – 5нм
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 10Пересечение зависимостей интенсивностей от энергии накачки для непокрытой и покрытой серебром
части пленки оксида цинка.
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 12Результаты теоретического моделирования
Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей интенсивности люминесценции от уровня
возбуждения для образца ZnO/Ag , изготовленного методом термического осаждения с разными толщинами серебра
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 13Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей интенсивности люминесценции от уровня возбуждения для
ZnO/Ag, изготовленного методом магнетронного распыления. Толщина Ag 10 нм.
Все спектры люминесценции обрабатывались с использованием пакета Origin.
Слайд 14Выводы:
Усиление люминесценции пленок ZnO при помощи эффекта ППР возможно только в
определенном диапазоне энергий.
Толщина пленки серебра оказывает существенное влияние на усиление люминесценции образцов при помощи ППР.
Толщина пленки серебра оказывает существенное влияние на усиление люминесценции образцов при помощи ППР.
Слайд 15Список литературы
В.В. Климов ―Наноплазмоника‖. – М.:ФИЗМАТЛИТ, 2009, - 480 с. –
ISBN 978-5-9221-1030-3;
Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattices//Phys.Rev. –1958.–Т.109.–С.1492;
S. Major, S. Kumar, M. Bhatnagar, K.L. Chopra, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 349;
S.J. Jiao, Z.K. Tang et al., ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates. //Appl. Phys. Lett. 2006. V.88. P.031911-3;
Wang L, Giles NC. Temperature dependence of the free-exciton transition energy in zinc oxide by photoluminescence excitation spectroscopy. J Appl. Phys. 2003; 94; 973-978
Maier SA. Plasmonics: Fundamental and Applications. Springer Business and Science Media LLC 2007;
C. H. Ahn, Y. Y. Kim, D. C. Kim, S. K. Mohanta, H. K. Cho. J. Appl. Phys., 105 (2009) 013502;
J. W. Sun, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan. J. Appl. Phys., 102 (2007) 043522;
Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattices//Phys.Rev. –1958.–Т.109.–С.1492;
S. Major, S. Kumar, M. Bhatnagar, K.L. Chopra, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 349;
S.J. Jiao, Z.K. Tang et al., ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates. //Appl. Phys. Lett. 2006. V.88. P.031911-3;
Wang L, Giles NC. Temperature dependence of the free-exciton transition energy in zinc oxide by photoluminescence excitation spectroscopy. J Appl. Phys. 2003; 94; 973-978
Maier SA. Plasmonics: Fundamental and Applications. Springer Business and Science Media LLC 2007;
C. H. Ahn, Y. Y. Kim, D. C. Kim, S. K. Mohanta, H. K. Cho. J. Appl. Phys., 105 (2009) 013502;
J. W. Sun, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan. J. Appl. Phys., 102 (2007) 043522;
Слайд 16Благодарности:
Научной группе по изучению люминесцентных свойств оксида цинка на базе ИРЭ
им. Котельникова за совместную плодотворную работу;
Научной группе по изучению свойств полупроводниковых структур на базе ИК им. Шубникова за предоставление доступа к установкам для изготовления и анализа образцов;
Маркушеву В.М. за указание недочетов и помощь в исправлении дипломной работы;
Отдельное спасибо научному руководителю, Рыжкову М.В., за трезвую критику и стимуляцию рабочей деятельности.
Научной группе по изучению свойств полупроводниковых структур на базе ИК им. Шубникова за предоставление доступа к установкам для изготовления и анализа образцов;
Маркушеву В.М. за указание недочетов и помощь в исправлении дипломной работы;
Отдельное спасибо научному руководителю, Рыжкову М.В., за трезвую критику и стимуляцию рабочей деятельности.
Слайд 24Структура ZnO
Ширина запрещенной зоны 3.36эВ;
Энергия связи экситона ~ 59 мэВ;
Молекулярный масса:
87,37 г/моль;
Цвет: белый;
Плотность: 5,607 г/см3;
а = 0.325 нм;
с = 0.521 нм.
Цвет: белый;
Плотность: 5,607 г/см3;
а = 0.325 нм;
с = 0.521 нм.
