- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Контактные явления. Контакт металл - полупроводник презентация
Содержание
- 1. Контактные явления. Контакт металл - полупроводник
- 2. Контакт металл-полупроводник (n-тип для наглядности)
- 3. Высота барьера определяется разностью уровней Ферми полупроводника и металла до приведения в контакт
- 4. Чем определяется ширина барьера (ширина контакта)?
- 8. Вольт-амперная характеристика антизапорного (омического) контакта
- 16. Диодная теория запорного контакта Длина свободного пробега>>толщины
- 17. Вклад в ток с импульсами от p
- 20. Диффузионная теория запорного контакта Длина свободного пробега меньше или порядка ширины запорного слоя
- 23. Интегро-дифференциальное уравнение. В общем случае нельзя решить аналитически. Нужен численный расчет.
Контакт металл-полупроводник (n-тип для наглядности) При возникновении контакта металл и полупроводник начинают обмениваться электронами. Вначале поток из металла в полупроводник отличается от потока из полупроводника в металл. Происходит перераспределение
Слайд 2Контакт металл-полупроводник (n-тип для наглядности)
При возникновении контакта металл и полупроводник
начинают обмениваться электронами. Вначале поток из металла в полупроводник отличается от потока из полупроводника в металл. Происходит перераспределение заряда такое, чтобы возникшее электрическое поле выравнивало эти потоки. Вблизи контакта возникает барьер для электронов из полупроводника (если изначально поток из полупроводника больше) или металла (если изначала поток из металла больше), а концентрация электронов в приконтактном слое может сильно отличаться от концентрации в глубине полупроводника и металла. В металле избыточный заряд “высаживается” на его поверхности = > весь переходной слой находится в полупроводнике.
Надо выяснить, чем определяется барьер?
Надо выяснить, чем определяется барьер?
Слайд 3Высота барьера определяется разностью уровней Ферми полупроводника и металла до приведения
в контакт
Слайд 16Диодная теория запорного контакта
Длина свободного пробега>>толщины контакта => в металл проходят
все электроны полупроволника, движущиеся против оси х (px<0) и достигшие контакта (плоскости x=d) с кинетической энергией движения вдоль оси х, большей высоты барьера
Контактный слой обеднен носителями => обладает большим сопротивлением => практически вся разность потенциалов приходится на контактный слой
Слайд 17Вклад в ток с импульсами от p до p+dp
Контактный слой обеднен
носителями => обладает большим сопротивлением => практически вся разность потенциалов приходится на контактный слой => за пределами контактного слоя можно использовать распределение Максвелла (полупроводник невырожденный)
Слайд 20Диффузионная теория запорного контакта
Длина свободного пробега меньше или порядка ширины запорного
слоя
Слайд 23Интегро-дифференциальное уравнение. В общем случае нельзя решить аналитически. Нужен численный расчет.
