Источники оптического когерентного излучения для информационных систем 13 презентация

modules

Northrop Grumman - Cutting Edge Optronics

Solid State and Semiconductor Sources for Biomedicine Q-Peak, Inc.
Paper JM3O.6 New Advances in Solid State and Semiconductor Lasers CLEO 2013

from a diode-pumped solid-state laser” Optics Express, vol. 22, No. 25, pp. 31008-31019, 2014

длина волны электомагнитного излучения (нм)
ω – волновое число (см-1)

Een,n+1 ~ 0,1–104эВ = 10-106 кДж/моль

Eколv,v+1 ~ 10-3–10-1эВ = 0,1-10 кДж/моль

Eврj,j+1 ~ 10-5–10-3эВ = 10-3-0,1 кДж/моль

= 0.1…2 нс

связи
Длина связи
Момент инерции молекулы (2-х атом.)

симметричное (ν(s))

Валентное антисимметричное (ν(аs), ν(а))

Деформационное антисимметричное
(δ(аs))

Деформационное симметричное
(δ(s))

время, в течение которого отводятся тепловые потери
l,88.10-20 Дж энергия фотона С02-лазера.

—обводной канал;
3 — газоразрядной канал; 4 - катод; 5 — источник тока для создания магнитного поля; 6 — электромагнитная катушка; 7 — источник тока для разряда; 8 — диски из вольфрама; 9 —анод

расчетной и измеренной формой поверхности
для интерференции с четырьмя пучками

on July 31, 2007.

2 1015 Вт

43 фс

ультрафиолет (ВУФ)
180 нм > λ > 50 нм
Поглощается в слое воздуха <<1 мм

Жесткий (предельный) ультрафиолет (XUV)
50 нм > λ > 5 нм

Длины волн ВУФ - рентген

основе продольного сжатия период ондулятора в совместно движущейся системе сокращается в γ раз:

  — угол наблюдения,

центра фотохимических исследований

site in Hamburg to Schenefeld in Schleswig-Holstein
1.7 km long 17.5 GeV superconducting linear accelerator generating 27 000 flashes/sec
Peak brilliance 109 times higher than that of most advanced synchrotron sources
Construction cost: 1.15 B€ (2005 price level)
Preparation project Pre-XFEL: 5 M€ (EC)

плазма в качестве активной среды. Область усиления имеет длину 10-20 мм и диаметр 0,1 мм. Рентгеновский луч проходит в активной среде с легким искривлением, поскольку плотность электронов снижается в направлении кверху.
С применением предварительного наносекундного импульса в плазме создаются Ne-подобные ионы титана (Ti12+). С помощью пикосекундного импульса накачки возбуждается верхний лазерный уровень Зр, осуществляется лазерный переход к 3s

ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ЛАЗЕРА

электронике.
М. Наука. 1983
3. А. Ярив. Введение в оптическую электронику. М.
Высшая школа. 1983.
4. Оптоинформатика. Часть 1. Учебно-
методическое пособие.

лазеров больше всего.
3. Кто внес наибольший вклад в становление лазерной физики.
4. Три фундаментальных положения лазерной физики.
5. Три типа переходов между энергетическими состояниями, общая характеристика.
6. Основное состояние квантовой системы, поглощение из основного состояния.
7. Спонтанное излучение в квантовой системе.
8. Вынужденное излучение, основные свойства.
9. Вывод соотношений между коэффициентами Эйнштейна, их физический смысл.
10. Усиление (поглощение) излучения в квантовой системе.
11. Три условия лазерной генерации, критическая инверсия, условие генерации в резонаторе Фабри-Перо (потери только на зеркалах).
12. Трех- и четырехуровневая схемы накачки и лазерной генерации.
13. Методы создания инверсной заселенности. Типы активных сред.
14. Сколько недиодных лазеров выпускается в мире, основные типы, области применения..
15. Схема возбуждения гелия и неона в электрическом разряде.
16. Упрощенная схема уровней в неодимовых лазерах.
17. Оптическая схема лазера с диодной накачкой.