- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника презентация
Содержание
- 1. Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника
- 2. ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.
- 4. Состояния поверхности полупроводника Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия
- 5. Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия n-тип n-тип
- 6. p-тип p-тип
- 7. Обогащение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная
- 8. Обеднение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация
- 9. Слабая инверсия состояние поверхности полупроводника, когда
- 10. Сильная инверсия состояние поверхности полупроводника, когда
ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.
Слайд 2ОПЗ
- приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает
заряд.
Слайд 7Обогащение
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей больше, чем
концентрация основных носителей в нейтральном объеме
назад
Слайд 8Обеднение
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей меньше, чем концентрация
основных носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей
назад
Слайд 9Слабая инверсия
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше,
чем поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме
назад
Слайд 10Сильная инверсия
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше,
чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме
назад
