Презентация на тему Выращивание малодислокационных монокристаллов германия

Презентация на тему Выращивание малодислокационных монокристаллов германия, предмет презентации: Разное. Этот материал содержит 29 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Текст слайда:

Выращивание малодислокационных монокристаллов германия

Руководитель: д-р техн. наук, профессор Каплунов И.А.
Автор: студент магистратуры ФКСВ Иванов М.А.


Слайд 2
Текст слайда:

Проблема работы

Для современной промышленности актуально использование малодислокационных монокристаллов германия большого диаметра для изготовления подложек высокоэффективных фотоэлементов, СБИС и для оптических элементов.
В РФ отсутствует промышленная технология выращивания малодислокационных монокристаллов германия по методу Чохральского.


Слайд 3
Текст слайда:

Цель работы

Изучение вопросов выращивания малодислокационных монокристаллов германия и определение условий их получения.


Слайд 4
Текст слайда:

Требования к подложкам из германия для изготовления фотопреобразователей


Слайд 5
Текст слайда:

Дислокационное травление

Разработана производственная методика дислокационного травления
образцов монокристаллов германия различных кристаллографических
ориентаций


Слайд 6
Текст слайда:

Выращивание монокристаллов германия

Кристаллы выращивались по методу Чохральского в установке EKZ 2700 с гибким штоком.


Слайд 7
Текст слайда:

Ростовая установка EKZ 2700


Слайд 8
Текст слайда:

Прочие измерения


Слайд 9
Текст слайда:

Моделирование ростовых процессов

Задача: выбор оптимальной расчетной модели, описывающей динамику роста кристаллов германия с плоским фронтом кристаллизации при использовании способа Чохральского.


Слайд 10
Текст слайда:

Управляющие параметры роста


Слайд 11
Текст слайда:

Допущения моделирования

 


Слайд 12
Текст слайда:

Результаты

 


Слайд 13
Текст слайда:

Выводы по моделированию


Слайд 14
Текст слайда:

Технологические аспекты процесса выращивания монокристаллов германия


Слайд 15
Текст слайда:

Загрузка

Для загрузки используется германий поликристаллический зонноочищенный (ГПЗ), прошедший химическую обработку с целью удаления оксидной пленки с его поверхности, а также обороты германия.


Зависимость удельного электросопротивления полупроводников от концентрации примеси


Слайд 16
Текст слайда:

Вакуумирование ростовой установки

Вакуумирование ростовой установки осуществляется с целью подготовки атмосферы вакуумных камер к ростовому процессу


Слайд 17
Текст слайда:

Плавка


Слайд 18
Текст слайда:

Затравление

Затравление – подготовка к началу процесса выращивания, в которой затравочный кристалл приводится в контакт с расплавом.


Слайд 19
Текст слайда:

Выращивание шейки

Выращивание шейки осуществляется для того, чтобы предотвратить прорастание дислокаций, образованных в результате термического удара, в объем растущего монокристалла.


Слайд 20
Текст слайда:

Выход на диаметр

Чем меньше дислокаций в конце роста шейки, тем меньше дислокаций будет при выходе на заданный диаметр.


Слайд 21
Текст слайда:

Рост цилиндра

Регулировка роста цилиндра должна осуществляться максимально мягко, без резких изменений температуры нагревателя или скорости вытягивания.


Слайд 22
Текст слайда:

Выращивание обратного конуса и охлаждение

Обратный конус выращивают для того, чтобы уменьшить последствия термического удара путем уменьшения диаметра сечения кристалла, который отрывают от поверхности расплава.

Охлаждение малодислокационных кристаллов германия следует проводить как можно более медленно, особенно в диапазоне высоких температур (более 500°С).


Слайд 23
Текст слайда:

Практическая часть



Слайд 24
Текст слайда:

Выращивание монокристаллов

ИНСТРУКЦИЯ ПО ВЫРАЩИВАНИЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ИОТ-ПЭОК-01-16 (Издание № 1)



Слайд 25
Текст слайда:

Выращенные монокристаллы

Монокристалл диаметром 200 мм и длиной 400 мм

Монокристалл диаметром 80 мм и длиной 950 мм


Слайд 26
Текст слайда:

Контроль плотности дислокаций в монокристаллах

Плотность
дислокаций
в кристалле
диаметром 55 мм
и длиной прямого конуса
110 мм –
787 см-1


Слайд 27
Текст слайда:

Выводы и результаты


Слайд 28

Слайд 29
Текст слайда:

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика