студент магистратуры ФКСВ Иванов М.А.
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Выращивание малодислокационных монокристаллов германия презентация
Содержание
- 1. Выращивание малодислокационных монокристаллов германия
- 2. Проблема работы Для современной промышленности актуально использование
- 3. Цель работы Изучение вопросов выращивания малодислокационных монокристаллов германия и определение условий их получения.
- 4. Требования к подложкам из германия для изготовления фотопреобразователей
- 5. Дислокационное травление Разработана производственная методика дислокационного травления образцов монокристаллов германия различных кристаллографических ориентаций
- 6. Выращивание монокристаллов германия Кристаллы выращивались по методу
- 7. Ростовая установка EKZ 2700
- 8. Прочие измерения
- 9. Моделирование ростовых процессов Задача: выбор оптимальной расчетной
- 10. Управляющие параметры роста
- 11. Допущения моделирования
- 12. Результаты
- 13. Выводы по моделированию
- 14. Технологические аспекты процесса выращивания монокристаллов германия
- 15. Загрузка Для загрузки используется германий поликристаллический зонноочищенный
- 16. Вакуумирование ростовой установки Вакуумирование ростовой установки осуществляется
- 17. Плавка
- 18. Затравление Затравление – подготовка к началу процесса
- 19. Выращивание шейки Выращивание шейки осуществляется для того,
- 20. Выход на диаметр Чем меньше дислокаций в
- 21. Рост цилиндра Регулировка роста цилиндра должна осуществляться
- 22. Выращивание обратного конуса и охлаждение Обратный конус
- 23. Практическая часть
- 24. Выращивание монокристаллов ИНСТРУКЦИЯ ПО ВЫРАЩИВАНИЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ИОТ-ПЭОК-01-16 (Издание № 1)
- 25. Выращенные монокристаллы Монокристалл диаметром 200 мм и
- 26. Контроль плотности дислокаций в монокристаллах Плотность
- 27. Выводы и результаты
- 29. СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!
Проблема работы Для современной промышленности актуально использование малодислокационных монокристаллов германия большого диаметра для изготовления подложек высокоэффективных фотоэлементов, СБИС и для оптических элементов. В РФ отсутствует промышленная технология выращивания малодислокационных монокристаллов германия
Слайд 1Выращивание малодислокационных монокристаллов германия
Руководитель: д-р техн. наук, профессор Каплунов И.А.
Автор:
Слайд 2Проблема работы
Для современной промышленности актуально использование малодислокационных монокристаллов германия большого диаметра
для изготовления подложек высокоэффективных фотоэлементов, СБИС и для оптических элементов.
В РФ отсутствует промышленная технология выращивания малодислокационных монокристаллов германия по методу Чохральского.
В РФ отсутствует промышленная технология выращивания малодислокационных монокристаллов германия по методу Чохральского.
Слайд 3Цель работы
Изучение вопросов выращивания малодислокационных монокристаллов германия и определение условий их
получения.
Слайд 5Дислокационное травление
Разработана производственная методика дислокационного травления
образцов монокристаллов германия различных кристаллографических
ориентаций
Слайд 6Выращивание монокристаллов германия
Кристаллы выращивались по методу Чохральского в установке EKZ 2700
с гибким штоком.
Слайд 9Моделирование ростовых процессов
Задача: выбор оптимальной расчетной модели, описывающей динамику роста кристаллов
германия с плоским фронтом кристаллизации при использовании способа Чохральского.
Слайд 15Загрузка
Для загрузки используется германий поликристаллический зонноочищенный (ГПЗ), прошедший химическую обработку с
целью удаления оксидной пленки с его поверхности, а также обороты германия.
Зависимость удельного электросопротивления полупроводников от концентрации примеси
Слайд 16Вакуумирование ростовой установки
Вакуумирование ростовой установки осуществляется с целью подготовки атмосферы вакуумных
камер к ростовому процессу
Слайд 18Затравление
Затравление – подготовка к началу процесса выращивания, в которой затравочный кристалл
приводится в контакт с расплавом.
Слайд 19Выращивание шейки
Выращивание шейки осуществляется для того, чтобы предотвратить прорастание дислокаций, образованных
в результате термического удара, в объем растущего монокристалла.
Слайд 20Выход на диаметр
Чем меньше дислокаций в конце роста шейки, тем меньше
дислокаций будет при выходе на заданный диаметр.
Слайд 21Рост цилиндра
Регулировка роста цилиндра должна осуществляться максимально мягко, без резких изменений
температуры нагревателя или скорости вытягивания.
Слайд 22Выращивание обратного конуса и охлаждение
Обратный конус выращивают для того, чтобы уменьшить
последствия термического удара путем уменьшения диаметра сечения кристалла, который отрывают от поверхности расплава.
Охлаждение малодислокационных кристаллов германия следует проводить как можно более медленно, особенно в диапазоне высоких температур (более 500°С).
Слайд 24Выращивание монокристаллов
ИНСТРУКЦИЯ ПО ВЫРАЩИВАНИЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ИОТ-ПЭОК-01-16 (Издание № 1)
Слайд 25Выращенные монокристаллы
Монокристалл диаметром 200 мм и длиной 400 мм
Монокристалл диаметром 80
мм и длиной 950 мм
Слайд 26Контроль плотности дислокаций в монокристаллах
Плотность
дислокаций
в кристалле
диаметром 55 мм
и длиной прямого
конуса
110 мм –
787 см-1
110 мм –
787 см-1
