- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Тема 1. Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів презентация
Содержание
- 1. Тема 1. Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів
- 2. 1.1. Фізичні процеси в твердих тілах
- 3. 1.2. Власна електронна і діркова електропровідність. Струм
- 4. 1.3 Домішкова електропровідність електропровідності
- 5. 1.4 Дифузія носіїя заряду в напівпровідниках
- 6. 1.5 Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу
- 7. Теоретична ВАХ р-n переходу
- 8. Пряма вольт-амперна характеристика реального напівпровідникового
- 9. Зворотна ділянка вольт-амперної характеристики діода
- 11. ТЕМА2. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ 2.1.
- 12. 2.2. Напівпровідникові резистори
- 13. 2.3 Напівпровідникові діоди 2.3.1 Загальна класифікація
- 15. 2.3.4 Напівпровідникові випрямні діоди а б
- 16. 2.3.2 Напівпровідникові стабілітрони Основними параметрами
- 17. 2.3.5 Варикапи До основних
- 18. 2.3.6 Тунельні діоди До
- 19. 2.3.7 Фото та світлодіоди
1.1. Фізичні процеси в твердих тілах Схема рівнів енергії електронів для металу (а), діелектрика (б) та напівпровідника (в) (а), (б) (в) Ковалентний зв'язок
Слайд 21.1. Фізичні процеси в твердих тілах
Схема рівнів енергії електронів для
металу (а),
діелектрика (б) та напівпровідника (в)
діелектрика (б) та напівпровідника (в)
(а),
(б)
(в)
Ковалентний зв'язок
між атомами германiю
Площинна схема кристалічної
гратки германію
Слайд 31.2. Власна електронна і діркова електропровідність. Струм дрейфу
Виникнення пари
електрон-дірка
Енергетична структура
напівпровідника
для германію μn = 3600 і μp=1820(см2/В c),
а для кремнію µn=1300 і µp = 460 (см2/В c).
Слайд 41.3 Домішкова електропровідність
електропровідності
Струм в напівпровідниках з електронною (а)
і дірковою
(б) електропровідністю
а)
б)
Слайд 6
1.5 Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу
(р-п переходу)
ідр +ідиф= 0
Ерез=Евн+Езн
φрез= φк+ Uзн.
ізв= ідр- ідиф.
Ерез=Евн-Езн.
φрез= φк - Uзн
Іпр=Ідиф –Ідр
Зворотне вимикання
р-п переходу
Слайд 7
Теоретична ВАХ р-n переходу
Вольт-амперні характеристики
ідеалізованих германієвого (Ge)
і
кремнієвого (Si) діодів
Слайд 8
Пряма вольт-амперна характеристика
реального напівпровідникового діода
Зворотна ділянка
вольт-амперної
характеристика
реального
напівпровідникового діода
Слайд 9
Зворотна ділянка вольт-амперної
характеристики діода в режимі
лавинного або тунельного пробою
Зворотна ділянка вольт-амперної
характеристики
діода в режимі теплового пробою
Слайд 10
1.6 Ємності n- р - переходу
Сбар = Qзв/Uзв,
Сбар =ΔQзв/ΔUзв
Залежність бар'єрної ємності
від зворотної напруги
Схема заміщення
напівпровідникового діода
Слайд 11
ТЕМА2. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ
2.1. Класифікація напівпровідникових приладів(НП)
НП прилади поділяються на такі
групи:
НП резистори;
НП конденсатори;
НП індуктивності;
НП діоди;
біполярні транзистори;
уніполярні (польові) транзистори;
тиристори;
інтегральні мікросхеми.
НП резистори;
НП конденсатори;
НП індуктивності;
НП діоди;
біполярні транзистори;
уніполярні (польові) транзистори;
тиристори;
інтегральні мікросхеми.
Слайд 122.2. Напівпровідникові резистори
Rт=kе
β/Т
Конструкція (а) і залежність R=f(ф)
для фоторезистора (б)
Слайд 132.3 Напівпровідникові діоди
2.3.1 Загальна класифікація НП діодів
Усі напівпровідникові діоди можна
поділити на дві групи:
загального та спеціального призначення.
Типи напівпровідникових діодів:
випрямні,
високочастотні,
імпульсні,
стабілітрони,
варикапи,
тунельні.
загального та спеціального призначення.
Типи напівпровідникових діодів:
випрямні,
високочастотні,
імпульсні,
стабілітрони,
варикапи,
тунельні.
Слайд 162.3.2 Напівпровідникові стабілітрони
Основними параметрами стабілітрона є
напруга стабілізації Uст,
мінімальний струм
стабілізаціїІст.мін
максимальний струм стабілізації Іст.макс.
динамічний опір,
максимальний струм стабілізації Іст.макс.
динамічний опір,
.
Слайд 172.3.5 Варикапи
До основних паpаметрів варикапа належать:
мінімальна та максимальна ємності
Сmin і Сmax;
коефіцієнт перекриття ємності kc=Cmax/Cmin,
добротність Qв.
коефіцієнт перекриття ємності kc=Cmax/Cmin,
добротність Qв.
Слайд 182.3.6 Тунельні діоди
До основних параметрів тунельних діодів належать:
– піковий струм
Iп
– прямий струм у точці максимуму вольт-амперної характеристики;
– напруга піка Uп – пряма напруга, яка відповідає піковому струмові;
– напруга западини Uв – пряма напруга, яка відповідає мінімальному
струмові;
– напруга розкривання Uрр – пряма напруга на другій зростаючій
гілці при струмі, який дорівнює піковому;
– ємність Cд – сумарна ємність, виміряна між виводами діода.
– прямий струм у точці максимуму вольт-амперної характеристики;
– напруга піка Uп – пряма напруга, яка відповідає піковому струмові;
– напруга западини Uв – пряма напруга, яка відповідає мінімальному
струмові;
– напруга розкривання Uрр – пряма напруга на другій зростаючій
гілці при струмі, який дорівнює піковому;
– ємність Cд – сумарна ємність, виміряна між виводами діода.
