:Состояния поверхности полупроводника презентация

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной области полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической

Слайд 1Презентация на тему: Состояния поверхности полупроводника


Выполнили студенты группы 21302
Белов Кирилл и Бахарев

Андрей

Слайд 2СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной

области полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической плоскостью с поверхностной плотностью зарядов σ. Поскольку силовые линии электрического поля замкнуты, то на поверхности полупроводника возникает равный по величине, но противоположный по знаку электрический заряд. В зависимости от знака заряда на металлической плоскости экранирующий это поле заряд в приповерхностной области полупроводника также будет различных знаков.


Слайд 3СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника

возможно проникновение электрического поля вглубь полупроводника на большие, по сравнению с межатомными, расстояния. Проникшее электрическое поле перераспределяет свободные носители заряда. Это явление получило название эффекта поля. Таким образом, эффект поля - это изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. Поскольку заряд свободных носителей или ионизованных доноров пространственно распределен в приповерхностной области полупроводника и эта область не является электронейтральной, она получила название область пространственного заряда (ОПЗ).

Слайд 4СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
В зависимости от направления и величины внешнего электрического поля,

типа полупроводниковой подложки различают 4 различных состояния поверхности полупроводника:

Обогащение
Обеднение
Сильная инверсия
Слабая инверсия

Слайд 5СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Обогащение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных

носителей больше, чем концентрация основных носителей в нейтральном объеме.

Слайд 6СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Обеднение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных

носителей меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей

Слайд 7СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Слабая инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация

неосновных носителей больше, чем поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме

Слайд 8СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Сильная инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация

неосновных носителей больше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика