Полевые транзисторы презентация

Содержание

ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы

Слайд 1ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Лекция 4
Полевые транзисторы
FET (field-effect transistor)
Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов

Чем более мы размышляем, тем более убеждаемся, что ничего не знаем.
Вольтер


Слайд 2ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET


Слайд 3ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа


Слайд 4ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018


drain

source

gate

N-channel FET
(electron-conducting )


Слайд 5ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018


drain

source

gate

P-channel FET
(hole-conducting FET)


Слайд 6ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа


Слайд 7ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора с каналом р-типа


Слайд 8ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом n-типа


Слайд 9ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом p-типа


Слайд 10ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Участки выходной характеристики


Слайд 11ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Пологая область характеристики Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ при Uси=const Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)


Слайд 12ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Крутизна характеристики транзистора с каналом n-типа


Слайд 13ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевые транзисторы с изолированным
затвором ( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)

МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)


Слайд 14ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018



Слайд 15ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа


Слайд 16ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа


Слайд 17ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа

IcНАЧ


Слайд 18ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа


Слайд 19ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом p-типа


Слайд 20ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным каналом p-типа


Слайд 21ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа
Induced-channel FET


Слайд 22ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа


Слайд 23ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Характеристика управления МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа


Слайд 24ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа


Слайд 25ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа


Слайд 26ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа


Слайд 27ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным каналом


Слайд 28ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Выходные характеристики МДП-транзистора при различных напряжениях на подложке


Слайд 29ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов от температуры


Слайд 30ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Основные параметры полевых транзисторов Крутизна характеристики
S=δIС/δUзи при Uси = const; S=0.1÷500 ma/V
Крутизна характеристики по подложке
Sп=δIС/δUпи при Uси = const; Sп=0.1÷1 ma/V


Слайд 31ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Дифференциальное выходное (внутреннее Ri) сопротивление rвых=Ri=δUcи/δIС при Uзи = const; Дифференциальное сопротивление участка затвор-сток
Rзс=δUЗС/δIС. Максимальная рабочая частота fmax Начальный ток стока Iс.нач Напряжение отсечки Uотс


Основные параметры полевых транзисторов


Слайд 32ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Основные параметры полевых транзисторов


Входная емкость Свх
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rси Ток утечки затвора Iут Пороговое напряжение Uпор


Слайд 33ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Предельные эксплуатационные параметры Напряжение сток-исток Uси Напряжение затвор-исток Uзи Напряжение затвор-сток Uзс Температурный диапазон Постоянный ток стока Iст.max


Слайд 34ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Схемы включения полевых транзисторов С общим истоком (ОИ)

UВЫХ=IСRС
KU=SRC
RВЫХ ≈ RС


Слайд 35ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Схемы включения полевых транзисторов С общим истоком (ОИ)

RВХ ≈ RСM


Слайд 36ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Схема с общим стоком (ОС)

Rвых≈1/S
KU≈SRи/(S+Rи)


Слайд 37ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Схема с общим стоком (ОС)

Rвх≈Rз


Слайд 38ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Статический индукционный транзистор (СИТ)

static-induction transistor


Слайд 39ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Транзистор структуры металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП)
metal-nitride-oxide-semiconductor transistor (MNOS-transistor)


Слайд 40ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

ЛИЗМОП транзистор
(МОП-транзистор с лавинной инжекцией заряда)
floating-gate avalanche-injection
MOS transistor


Слайд 41ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

ЛИЗМОП транзистор
с управляющим затвором


Слайд 42ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевые транзисторы на основе бумаги


Слайд 43ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

технология MDmesh (Multiple Drain mesh)


Слайд 44ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Гибкие органические транзисторы


Слайд 45ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Гибкие органические транзисторы


Слайд 46ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы

Весна 2018

Полевые транзисторы на основе графена


Слайд 47Полевые транзисторы на основе графена


Слайд 48ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов


Слайд 49ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов


Слайд 50ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов


Слайд 51ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов


Слайд 52ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов


Слайд 54ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов

Корпус Semikron


Слайд 55ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Биполярные транзисторы

Весна 2016

Типы корпусов транзисторов

SOT-23


Слайд 56Домашнее задание
Устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
Биполярных транзисторов с изолированным

затвором

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика