Презентация на тему ОБРАЗОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ

Презентация на тему ОБРАЗОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ, предмет презентации: Разное. Этот материал содержит 15 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Текст слайда:

ОБРАЗОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ


Слайд 2
Текст слайда:

Любые отклонения от периодической структуры кристалла называются дефектами.

дефекты

точечные

протяженные

искажения решетки кристалла сосредоточены в окрестностях одного узла


локализованы на расстояниях порядка межатомного

могут быть линейными(дислокации), плоскостными (межфазные границы) и объемными (поры, трещины)

размеры существенно превышают величину межатомного расстояния


Слайд 3
Текст слайда:

При Т > 0 K кристаллы всегда содержат небольшое число дефектов, соответствующее минимуму потенциальной энергии.


Дополнительные дефекты вносятся при различных воздействиях:
нагреве
деформации
облучении частицами и др.


Слайд 4
Текст слайда:

Собственные дефекты в кристаллической решетке одноатомного кристалла.
V-вакансия, I-междоузельный атом,
V-I-пара Френкеля.


Слайд 5
Текст слайда:

Кристалл, состоящий из атомов двух типов: А и В.
Вакансии в двух подрешетках VA и VB , междоузельные атомы IA , IB .


Слайд 6
Текст слайда:

Энергетический спектр электронов в идеальном (а) и дефектном (б) кристаллах:
I-валентная зона, II-зона проводимости,
Ес, Еv-края разрешенных зон.


Слайд 7
Текст слайда:

МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ
ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ

Введение дефектов в процессе роста кристаллов

Термофлуктуационные дефекты

Радиационные дефекты

Дефектообразование в полупроводниках при импульсном лазерном облучении


Слайд 8
Текст слайда:

Дефекты в кристалл вводятся целенаправленно.

Этот процесс называется легированием.

Две цели: управление электропроводностью кристалла или рекомбинационными процессами в нем.

В первом случае необходимо ввести дефекты, обладающие мелкими уровнями. (для Ge и Si донорами служат атомы P, As, Sb, Bi )
Во втором случае вносятся атомы примеси, имеющие глубокие энергетические уровни. (используют примеси тяжелых и благородных металлов: Fe, Ni, Cr, Cu, Ag, Au )

Введение дефектов в процессе роста кристаллов


Слайд 9
Текст слайда:

Термофлуктуационные дефекты

Конфигурационная диаграмма, поясняющая термофлуктуационный механизм образования дефектов
Q0 и Q1 соответствуют регулярному и дефектному состояниям атомной конфигурации


Слайд 10
Текст слайда:

Радиационные дефекты

Две возможности образования дефекта:

прямое столкновение быстрой частицы с атомом решетки (реализуется для частиц, несущих заметный импульс, то есть для электронов, ионов и нейтронов)


более сложный процесс, связанный с возбуждением электронной подсистемы кристалла (кванты электромагнитного излучения непосредственно не смещают атомы из узлов решетки, но передавая свою энергию электронам, они могут инициировать образование дефекта)


Слайд 11
Текст слайда:

Образование дефекта в ионном кристалле при многократной ионизации аниона


Слайд 12
Текст слайда:

Образование дефекта в ковалентом кристалле при многократной ионизации атома решетки, расположенного вблизи заряженного донора


Слайд 13
Текст слайда:

Конфигурационная диаграмма, поясняющая электростатический механизм образования дефектов
состояния атомной конфигурации:
I-основное, II-однократно и III-двукратно ионизованные


Слайд 14
Текст слайда:

Конфигурационная диаграмма, поясняющая электронно-колебательный механизм образования дефектов
состояния атомной конфигурации:
I-основное, II-электронно-возбужденное


Слайд 15
Текст слайда:

Дефектообразование в полупроводниках
при импульсном лазерном облучении

Электронное возбуждение и нагрев (плавление) – вызывают деформацию поверхностного слоя.

электронно-деформационно-тепловая (ЭДТ) модель возникновения точечных дефектов


При определенных условиях дефекты образуют пространственно-периодические структуры.


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика