- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Электронные ключи на биполярных транзисторах презентация
Содержание
- 1. Электронные ключи на биполярных транзисторах
- 2. Электронные ключи на биполярных транзисторах
- 3. Какими свойствами должен обладать электронный ключ в состоянии ВЫКЛЮЧЕНО ?
- 4. В каком режиме должен
- 5. В выключенном состоянии транзистор (ключ) работает в режиме отсечки. Критерий режима отсечки ?
- 6. Как в данной схеме для транзистора VT обеспечить режим отсечки ?
- 7. Какими свойствами должен обладать электронный ключ в состоянии ВКЛЮЧЕНО ?
- 8. В каком режиме должен
- 9. Во включенном состоянии транзистор (ключ) работает в режиме насыщения. Критерий режима насыщения ?
- 10. Как в данной схеме для транзистора VT обеспечить режим насыщения? Токовый критерий насыщения ?
- 11. Расшифруйте это условие: I1 I2
- 12. Нарисовать передаточную характеристику инвертора.
- 13. Передаточная характеристика инвертора Режим отсечки Активный режим Режим насыщения
- 14. Дайте определение помехостойчивости. Помехоустойчивость - это
- 15. Помехоустойчивость Помехоустойчивость - это максимально
- 16. Дайте определение нагрузочной способности (коэффициента разветвления).
- 17. Нагрузочная способность инвертора Нагрузочная способность
- 18. Как экспериментально определить быстродействие ключа ? Методика 0,1 – 0,9
- 19. Как экспериментально определить быстродействие ключа ? Методика 0,5
- 20. Электронные ключи на полевых транзисторах
- 21. Достоинства применения полевых транзисторах в цифровых схемах
- 22. Инвертор на полевых транзисторах с резистивной (линейной)
- 23. Рабочий режим инвертора Закрытое состояние Открытое состояние
- 24. Инвертор на полевых транзисторах с нелинейной нагрузкой (КМОП технология)
- 25. Передаточная характеристика КМОП-инвертора
- 26. Методические указания
- 27. Для исследования в схеме ключей переходных процессов
- 28. Передаточная характеристика Начало координат R1=xxx R1=yyy Ecm=uuu, Rk=vvv
- 29. Переходные процессы Uвх Uвых
- 30. Переходные процессы
Электронные ключи
на биполярных транзисторах
Слайд 5
В выключенном состоянии транзистор (ключ) работает в режиме отсечки.
Критерий режима
отсечки ?
Слайд 9
Во включенном состоянии транзистор (ключ) работает в режиме насыщения.
Критерий режима
насыщения ?
Слайд 10
Как в данной схеме для транзистора VT обеспечить режим насыщения?
Токовый критерий
насыщения ?
Слайд 14
Дайте определение помехостойчивости.
Помехоустойчивость - это максимально допустимое напряжение помехи, действующей на
входе ключа наряду с регулярным сигналом, при которой еще не происходит изменение логических (информационных) состояний схемы.
Слайд 15Помехоустойчивость
Помехоустойчивость - это максимально допустимое напряжение помехи, действующей на входе ключа
наряду с регулярным сигналом, при которой еще не происходит изменение логических (информационных) состояний схемы.
Слайд 16
Дайте определение нагрузочной способности (коэффициента разветвления).
Нагрузочная способность логического элемента – это
максимальное число аналогичных схем, которые можно подключить к выходу данной схемы без нарушения режимов работы любой из них.
Слайд 17Нагрузочная способность инвертора
Нагрузочная способность логического элемента – это максимальное число аналогичных
схем, которые можно подключить к выходу данной схемы без нарушения режимов работы любой из них.
Слайд 21Достоинства применения полевых транзисторах в цифровых схемах
Технологичнее
Меньше технологических операций
Меньше площадь логической
схемы на кристалле
Больше процент выхода
Меньше стоимость ИС
Не требуют дополнительного источника
Не нагружает источник входного сигнала
Малое потребление от источника питания
Больше процент выхода
Меньше стоимость ИС
Не требуют дополнительного источника
Не нагружает источник входного сигнала
Малое потребление от источника питания
Слайд 22Инвертор на полевых транзисторах с резистивной (линейной) нагрузкой
Область отсечки, соответствующая режиму
закрытого транзистора
Активная область, соответствующая пологой области ВАХ
Крутая область ВАХ и максимальная проводимость канала.
Слайд 27Для исследования в схеме ключей переходных процессов на их входы подаются
импульсы от генератора GFG-3015 с выхода ТТЛ.
Параметры сигнала ТТЛ: Uвых = 5 В
Параметры сигнала ТТЛ: Uвых = 5 В
