- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Диоды Ганна презентация
Содержание
- 6. Структура зоны проводимости арсенида галлия
- 7. N-образная вольт-амперная характеристика
- 8. Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S
- 12. Генерация СВЧ ‑ колебаний в диодах Ганна
- 13. Образование доменов сильного поля
- 14. Ток во внешней цепи
- 15. Режимы работы диодов Ганна
- 16. Режимы работы ДГ
- 17. Доменный режим
- 18. Пролетный режим
- 19. Режим с задержкой
- 20. Режим с гашением
- 21. Мощность генерируемых СВЧ - колебаний зависит
- 22. Примеры зависимости диодов Ганна а) типичная зависимость генерируемой
- 23. Электрические параметры КПД зависит от частоты Низкий КПД связан с нагревом!
- 24. Выходная мощность Pвых ⋅f = A
- 25. Недостатки диодов Ганна Низкий КПД Малый срок службы
- 26. Эквивалентная схема диода Ганна
- 27. ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДГ К ИСТОЧНИКУ ПИТАНИЯ
- 28. КЕ-16-1 Хворостова Ярослава Олеговна Спасибо за Внимание )
Структура зоны проводимости арсенида галлия
Слайд 8Устройство диодов Ганна
Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2,
длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Слайд 21Мощность генерируемых СВЧ - колебаний
зависит от полного сопротивления z
площади
рабочей части высокоомного слоя полупроводника.
Слайд 22Примеры зависимости диодов Ганна
а) типичная зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного
напряжения; б) зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного напряжения и температуры
Слайд 24Выходная мощность
Pвых ⋅f = A
Где А- допустимый перегрев структуры
Типовые мощности:
*1
– 2Вт при КПД до 14%;
*f60-100Гц-до 100мВт
*f60-100Гц-до 100мВт
