ИССЛЕДОВАНИЙ
НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ»
Проект № 35: «Исследование, разработка и изготовление
двухцветного ИК фотоприемного устройства
на основе гетероструктур с квантовыми ямами»
Организация Исполнитель: Институт физики полупроводников
им. А. В. Ржанова СО РАН
Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Есаев Дмитрий Георгиевич
тел. (383) 330-90-29
e-mail: esaev@thermo.isp.nsc.ru
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Программа Президиума РАН № 27 ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ Проект № 35: Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на презентация
Содержание
- 1. Программа Президиума РАН № 27 ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ Проект № 35: Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на
- 3. Высокая однородность фотоэлектрических характеристик по площади, обеспеченная
- 4. МСКЯ гетероструктуры для диапазонов 3 – 5 и 8 – 10 мкм
- 5. Длина волны, мкм 4
- 6. Структура фотоприемного устройства на МСКЯ
- 8. Формат 128х128 NEDT ≈ 0,05 К λ
- 9. Один из вариантов структуры двухцветного фотоприемника
- 10. Ожидаемые результаты по проекту в 2009 г.
Цель работы: Разработка, изготовление и исследование
Слайд 2
Цель работы:
Разработка, изготовление и исследование
двухцветного ИК фотоприемного устройства
на основе гетероструктур с квантовыми ямами
чувствительного одновременно в спектральном
диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.
Разработка, изготовление и исследование
двухцветного ИК фотоприемного устройства
на основе гетероструктур с квантовыми ямами
чувствительного одновременно в спектральном
диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.
Слайд 3Высокая однородность фотоэлектрических характеристик по площади, обеспеченная хорошо развитой технологией получения
соединений А3В5, включая газотранспортную и молекулярно-лучевую эпитаксию слоев.
Полосовой спектр фоточувствительности, позволяющий изготавливать монолитные многоспектральные структуры.
Высокая температурная, механическая и радиационная стойкость.
Сравнительно низкая себестоимость при высоком выходе годных изделий.
Рабочая температура 65-75 К для фотоприемников для спектрального диапазона 3 - 5 и 8 - 12 мкм.
Полосовой спектр фоточувствительности, позволяющий изготавливать монолитные многоспектральные структуры.
Высокая температурная, механическая и радиационная стойкость.
Сравнительно низкая себестоимость при высоком выходе годных изделий.
Рабочая температура 65-75 К для фотоприемников для спектрального диапазона 3 - 5 и 8 - 12 мкм.
Основные преимущества фотоприемников
на структурах с квантовыми ямами
Слайд 5
Длина волны, мкм
4
6
8
10
12
14
16
18
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
2.5%
Пропускание
Контроль параметров МСКЯ фотоприемников
Распределение носителей по глубине
Спектр пропускания
Пороговая мощность в зависимости от уровня легирования
AlGaAs
GaAs
Спектр пьезомодулированного
отражения
Слайд 8Формат 128х128
NEDT ≈ 0,05 К
λ мах = 8,6 мkм
T = 65
K
98,5% рабочих
пикселей
98,5% рабочих
пикселей
Формат 320х256
NEDT ≈ 0,03 К
λ мах = 9,4 мkм
T = 70 K
99% рабочих пикселей
(подложка удалена)
Имеющийся задел в разработке одноцветных фотоприемников.
Тепловое изображение, регистрируемое фотоприемниками на МСКЯ форматом 128х128 и 320х256 элементов
Формат 320х256
NEDT ≈ 0,03 К
λ мах = 9,5 мkм
T = 70 K
98% рабочих пикселей
(с GaAs подложкой)
Слайд 9Один из вариантов структуры двухцветного фотоприемника
Фоточувствительные структуры
GaAs/AlGaAs
Слайд 10Ожидаемые результаты по проекту в 2009 г.
Будет разработана конструкция и
проведена оптимизация параметров матричных большеформатных фотоприемников с полным форматом 320х256 элементов.
Будет отработана технология глубокого плазмо-химического травления структур.
Разработана технология и оптимизирован способ сопряжения структур с кремниевым мультиплексором для чересстрочного считывания фотосигнала с каждой из частей структуры.
Будут разработана технология и изготовлены многослойные гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами чувствительные в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.
Шаг матрицы фотоприемников составит 30-35 мкм, полный формат - 320х256 элементов, быстродействие - до 50 кадров/сек, температурное разрешение – не более 50 мК, динамический диапазон не менее 40 дБ.
Будет отработана технология глубокого плазмо-химического травления структур.
Разработана технология и оптимизирован способ сопряжения структур с кремниевым мультиплексором для чересстрочного считывания фотосигнала с каждой из частей структуры.
Будут разработана технология и изготовлены многослойные гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами чувствительные в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.
Шаг матрицы фотоприемников составит 30-35 мкм, полный формат - 320х256 элементов, быстродействие - до 50 кадров/сек, температурное разрешение – не более 50 мК, динамический диапазон не менее 40 дБ.
