и наноэлектроники, БГУИР)
Снитовский Ю.П.
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА презентация
Содержание
- 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
- 2. Сферы применения приборов СВЧ микроэлектроники
- 3. Фотография транзистора КТ913А в корпусе
- 4. Преимущества предложенного технологического маршрута перед существующим: Снижение
- 5. Предложенный маршрут Стандартный маршрут Технологические маршруты изготовления
- 6. Предложенный маршрут Стандартный маршрут Технологические маршруты изготовления
- 7. Программный комплекс компании Silvaco©. IV Международная научно-техническая
- 8. Моделирование технологических маршрутов Модели имплантации:
- 9. по предложенной технологии по стандартной технологии Полученные
- 10. Распределение фосфора по глубине на краю эмиттерной
- 11. Распределение бора по глубине на краю эмиттерной
- 12. В результате масштабирования структур в 3 раза
- 13. Распределение бора по глубине на краю эмиттерной
- 14. Распределение фосфора по глубине на краю эмиттерной
- 15. Выводы Промоделированы
Сферы применения приборов СВЧ микроэлектроники разнообразны: от военных целей до гражданских. В 2003 году объем рынка мощных СВЧ приборов составил 2 млрд долларов. Кремниевая
Слайд 1МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А. (студент-дипломник, каф. микро
Слайд 2 Сферы применения приборов СВЧ микроэлектроники разнообразны:
от военных целей
до гражданских.
В 2003 году объем рынка мощных СВЧ приборов составил 2 млрд долларов.
Кремниевая технология успешно конкурирует в диапазоне частот до 3 ГГц с приборами на основе арсенида галлия, несмотря на их лидирующую роль.
Предназначены для работы в диапазоне частот от сотен мегагерц до
нескольких гигагерц при высоких уровнях мощности от единиц до сотен ватт.
Ни один неорганический иатериал не исслеюован так детально и не производится в таких количествах в виде монокристаллов как кремний: мировое производство монокристаллов кремния около 20 000 тонн в год.
В 2003 году объем рынка мощных СВЧ приборов составил 2 млрд долларов.
Кремниевая технология успешно конкурирует в диапазоне частот до 3 ГГц с приборами на основе арсенида галлия, несмотря на их лидирующую роль.
Предназначены для работы в диапазоне частот от сотен мегагерц до
нескольких гигагерц при высоких уровнях мощности от единиц до сотен ватт.
Ни один неорганический иатериал не исслеюован так детально и не производится в таких количествах в виде монокристаллов как кремний: мировое производство монокристаллов кремния около 20 000 тонн в год.
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Проблемы
Слайд 3 Фотография транзистора КТ913А в корпусе без крышки.
Отдаваемая
транзистором мощность на частоте 1 ГГц равняется 20 Вт в непрерывном режиме.
Предназначен для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц
Тип корпуса: КТ16.
Несмотря на старую технологию, его актуальность не утрачена.
Предназначен для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц
Тип корпуса: КТ16.
Несмотря на старую технологию, его актуальность не утрачена.
Фотография моделируемого транзистора
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 4Преимущества предложенного технологического
маршрута перед существующим:
Снижение трудоемкости изготовления за счет сокращение числа
технологических операций(отсутствие травления тонких слоев окисла в окнах) и за счет сокращения времени выращивания толстого окисла кремния ~2 часа в предложенной технологии против ~9 часов в старой.
Улучшение электрических характеристик и надежности транзистора за счет отсутствия операций травления окисла (fгр выше), а также за счет обхвата коллекторным переходом эмиттерного(повышение коэффициента эффективности эмиттера).
Улучшение электрических характеристик и надежности транзистора за счет отсутствия операций травления окисла (fгр выше), а также за счет обхвата коллекторным переходом эмиттерного(повышение коэффициента эффективности эмиттера).
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 5Предложенный маршрут
Стандартный маршрут
Технологические маршруты изготовления транзистора (1)
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы
проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 6Предложенный маршрут
Стандартный маршрут
Технологические маршруты изготовления транзистора (2)
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы
проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 7Программный комплекс компании Silvaco©.
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства
радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Компания основана в 1984 году.
Быстрое и точное моделирование основных технологических операций процесса, используемых в КМОП, биполярном, оптоэлектронике и технологиях мощных устройств.
Моделирование и кремния и передовых полупроводниковых технологий, включая SiGe/SiGeC, GaAs, InP, AlGaAs и InGaAs.
Моделирование электрических характеристик полученных структур, а также электрических схем на их основе.
www.silvaco.com
Слайд 8Моделирование технологических маршрутов
Модели имплантации:
Сдвоенная функция Пирсон IV
(эмпирическое приближение)
Одна функция Пирсон IV (аналитическое приближение)
Монте-Карло (статистическое приближение)
Аморфный (без учета эффекта каналирования)
Кристаллический(с учетом эффекта каналирования)
При расчетах использовалась модель c одной функцией Пирсон IV при имплантации в аморфный кремний.
Одна функция Пирсон IV (аналитическое приближение)
Монте-Карло (статистическое приближение)
Аморфный (без учета эффекта каналирования)
Кристаллический(с учетом эффекта каналирования)
При расчетах использовалась модель c одной функцией Пирсон IV при имплантации в аморфный кремний.
Модели диффузии:
Равновесное распределение дефектов
Переходный процесс диффузии дефектов
Модель энергетической связи для примесей и дефектов
Планарная модель (только 1D окисление )
Непланарная модель с линейным потоком
Непланарная модель с нелинейным потоком
При расчетах использовалась модель энергетической связи для примесей и дефектов, вследствие своей максимальной точности для исследуемых маршрутов.
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 9по предложенной технологии
по стандартной технологии
Полученные в результате моделирования структуры.
Показан один из
76 эмиттеров с охранным кольцом.
Структура выполнена по 3-х микронной технологии.
Структура выполнена по 3-х микронной технологии.
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 10Распределение фосфора по глубине на краю эмиттерной области.
Для технологических норм
3 мкм
от края эмиттера → к середине
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 11Распределение бора по глубине на краю эмиттерной области.
Для технологических норм 3
мкм
от края эмиттера → к середине
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 12В результате масштабирования структур в 3 раза получена структура и получены
Графики примесей в аналогичных точках эмиттерного перехода
Места разрезов структуры для снятия графиков распределения примеси бора и фосфора.
Отражен край эмиттерной области для существующей технологии.
Шаг разреза равен 0,01 мкм
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 13Распределение бора по глубине на краю эмиттерной области.
Для технологических норм
1 мкм
от края эмиттера → к середине
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 14Распределение фосфора по глубине на краю эмиттерной области.
Для технологических норм
1 мкм
от края эмиттера → к середине
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
Слайд 15Выводы
Промоделированы четыре технологических маршрута изготовления мощного
биполярного СВЧ транзистора.
Исследованы распределения примесей по глубине и проведён их анализ.
Для технологических норм в 3 микрометра предпочтителен предложенный технологический маршрут, вследствие более высоких концентраций примеси бора и фосфора.
А для 1микрометра – стандартный, исходя из более низких концентрациях в структуре, выполненной по предложенной технологии.
Исследованы распределения примесей по глубине и проведён их анализ.
Для технологических норм в 3 микрометра предпочтителен предложенный технологический маршрут, вследствие более высоких концентраций примеси бора и фосфора.
А для 1микрометра – стандартный, исходя из более низких концентрациях в структуре, выполненной по предложенной технологии.
IV Международная научно-техническая конференция “Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств” 25-26 мая
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МОЩНОГО СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ефремов В.А., Снитовский Ю.П.
