Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі
Виконав: ст. гр. МНПм-21 Найда І. І.
Керівник: доц. к.т.н. Губа С.К.
Львів 2015
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі презентация
Содержание
- 1. Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі
- 2. Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери -
- 3. Методи вирощування КТ InAs Молекулярно променева епітаксія МОС-гідридна епітаксія Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
- 4. Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної
- 5. Постановка задачі Оптимізація формування газової фази для
- 6. Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та
- 7. Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування
- 8. Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs
- 9. Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних
- 10. Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по
- 11. Швидкості росту плівки InAs для різних значень
- 12. Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In
- 13. Розподіл домішок по підкладці GaAs 1,2 -
- 14. Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
- 15. Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs
- 16. Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
- 17. Висновки Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He
- 18. Дякую за увагу
Актуальність - Твердотільні інжекційні лазери - Резонансно-тунельний транзистор - Одноелектронний транзистор Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна електронна логіка
Слайд 1Національний університет “Львівська політехніка”
Інститут ТРЕ
Кафедра НПЕ
Слайд 2Актуальність
- Твердотільні інжекційні лазери
- Резонансно-тунельний транзистор
- Одноелектронний транзистор
Квантово-точкові кліткові
автомати і безпровідна електронна логіка
Слайд 3Методи вирощування КТ InAs
Молекулярно променева епітаксія
МОС-гідридна епітаксія
Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
Слайд 4Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії
Формування пересиченої газової фази
Коалесценція
нанокластерів
Забезпечення планарності масиву КТ InAs
Забезпечення планарності масиву КТ InAs
Слайд 5Постановка задачі
Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві
в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії.
Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5.
Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As.
Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In.
Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.
Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5.
Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As.
Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In.
Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.
Слайд 6Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування
масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
Слайд 7Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в
матриці GaAs у хлоридній системі
Слайд 9Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури
На кривих
представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].
Слайд 10Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки
GaAs
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
Слайд 11Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури
1 - 0
К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см
Слайд 13Розподіл домішок по підкладці GaAs
1,2 - Розчинність домішок низька: 3 -
Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]
Слайд 15Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки
GaAs
BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg
Слайд 17Висновки
Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs
та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs.
Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs.
Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.
Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs.
Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.
