Кристаллохимический анализ типичных структур. Основные характеристики элементарной ячейки презентация

К 8

Тип
кристалла:
К – кубический
Г - гексагональный

Количество ближайших однотипных атомов

n - число атомов в элементарной ячейке;
Vат - суммарный объем атомов;
Vэ.я. - объем элементарной ячейки;
V - объем одного атома;
R - радиус атома

n - число атомов в элементарной ячейке;
Vат - суммарный объем атомов;
Vэ.я. - объем элементарной ячейки;
V - объем одного атома;
R - радиус атома

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

n - число атомов, принадлежащих плоскости в пределах одной ячейки;
S(hkl) – площадь плоскости (в ячейке)

Наиболее плотноупакованная плоскость в ГЦК решетке - (111)

nат - число атомов, принадлежащих направлению в пределах одной ячейки;
L[uvw] – длина направления (в ячейке)

5. Ретикулярная плотность направления - используется для оценки плотности упаковки кристаллографических направлений.
Ретикулярная плотность направления рассчитывается как отношение количества атомов с учетом доли их принадлежности nат к длине искомого направления L[uvw]

5. Ретикулярная плотность направления - используется для оценки плотности упаковки кристаллографических направлений.
Ретикулярная плотность направления рассчитывается как отношение количества атомов с учетом доли их принадлежности nат к длине искомого направления L[uvw]

5. Ретикулярная плотность направления - используется для оценки плотности упаковки кристаллографических направлений.
Ретикулярная плотность направления рассчитывается как отношение количества атомов с учетом доли их принадлежности nат к длине искомого направления L[uvw]

5. Ретикулярная плотность направления - используется для оценки плотности упаковки кристаллографических направлений.
Ретикулярная плотность направления рассчитывается как отношение количества атомов с учетом доли их принадлежности nат к длине искомого направления L[uvw]

Наиболее плотноупакованное направление в ГЦК решетке – [110]

5. Ретикулярная плотность направления - используется для оценки плотности упаковки кристаллографических направлений.
Ретикулярная плотность направления рассчитывается как отношение количества атомов с учетом доли их принадлежности nат к длине искомого направления L[uvw]

Мотив чередования: ABCABC…
ГЦК – гранецентрированная кубическая
плотнейшая упаковка

Мотив чередования: ABCABC…
ГЦК – гранецентрированная кубическая
плотнейшая упаковка

К данному структурному типу относятся полупроводники:
Si, Ge, α-Sn

В структурном типе ZnS (цинковой обманки) кристаллизуются соединения типа AIIIBV

В структурном типе ZnS (цинковой обманки) кристаллизуются соединения типа AIIIBV

В структурном типе ZnS (цинковой обманки) кристаллизуются соединения типа AIIIBV

В структурном типе ZnS (цинковой обманки) кристаллизуются соединения типа AIIIBV

Гексагональная модификация ZnS. Этой структурой обладают соединения AIIBVI

КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4

ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|
ГЦКF → ГЦКF →ГЦКCa 1/4, 3/4 <111>.
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами Ca, все тетраэдрические пустоты которой заняты атомами F

КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6
ГЦКCl |[0,0,0]| ГЦКNa |[0,0,1/2]|
ГЦКNa →ГЦКCl 1/2 <100>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами Cl, все октаэдрические пустоты которой заняты атомами Na

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки
по оси Y положительный отрезок

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки
по оси Y положительный отрезок
по оси Z положительный отрезок

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки
по оси Y положительный отрезок
по оси Z положительный отрезок

Далее устанавливаем систему координат

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки
по оси Y положительный отрезок
по оси Z положительный отрезок

Далее устанавливаем систему координат и откладываем соответствующие отрезки на осях

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Индексы плоскости показывают на сколько частей плоскость делит единичный отрезок:
по оси X отрицательный отрезок, отсеиваем узлы решетки, из которых при в отрицательном направлении мы выходим за пределы элементарной ячейки
по оси Y положительный отрезок
по оси Z положительный отрезок

Далее устанавливаем систему координат и откладываем соответствующие отрезки на осях, выделяем искомую плоскость в ячейке и изображаем ее отдельно

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости; S(hkl) - площадь плоскости.

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости; S(hkl) - площадь плоскости.

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости; S(hkl) - площадь плоскости.

Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости; S(hkl) - площадь плоскости.

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z - 0

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку. Точка пересечения всех перпендикуляров – конец направления.

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
по оси Х – положительное направление
по оси Y – положительное направление
по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку. Точка пересечения всех перпендикуляров – конец направления.

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Выделяем искомое направление, определяем его упаковку атомами и рассчитываем ретикулярную плотность

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Выделяем искомое направление, определяем его упаковку атомами и рассчитываем ретикулярную плотность

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Выделяем искомое направление, определяем его упаковку атомами и рассчитываем ретикулярную плотность

Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:

где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления; l[uvw] - длина направления

Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в индексах.

Выделяем искомое направление, определяем его упаковку атомами и рассчитываем ретикулярную плотность