Элементарные процессы роста кристаллов (лекция 2) презентация

Содержание

Энергетические условия кристаллизации ΔТ = Т0 – Т - переохлаждение G =H-TS G=G(T,P) dG=dH-d(TS)=VdP-SdT dG=dH-TdS ΔG > 0 ΔG P,T = 0

Слайд 1Лекция 2 Элементарные процессы роста кристаллов

Слайд 2Энергетические условия кристаллизации
ΔТ = Т0 – Т - переохлаждение
G

=H-TS
G=G(T,P)
dG=dH-d(TS)=VdP-SdT
dG=dH-TdS

ΔG > 0

ΔG P,T = 0

Слайд 3Энергетические условия кристаллизации
ΔG = ΔH - TΔS
ΔG= - ΔH·ΔT/T0

Слайд 4Энергетические условия кристаллизации
Gж=Gкр → Tпл
∆G=Gж-тв
∆T=Tпл–T кр - степень переохлаждения

ΔG=

- ΔH·ΔT/T0

Слайд 5Энергетические условия кристаллизации
ΔT=T-T0 - переохлаждение
ΔP=P-P0 – пересыщение
Δс=с-с0 - пересыщение

Слайд 6Энергетические условия кристаллизации
Фазовая диаграмма кристалл-пар(кристалл-раствор) P – T(C-T) диаграмма

Слайд 7Энергетические условия кристаллизации
Фаза – однородная часть, характеризующаяся определенным составом, кристаллической

решеткой и отделенная от других частей поверхностью раздела
Термодинамическая степень свободы - число переменных - С (T, P, концентрация компонентов)
Правило фаз Гиббса :
с=n+p-f
P=1 (T)
Для двойных систем f=3 – максимально возможное кол. Фаз.

Слайд 8

Эвтектика греч. éutektos — легкоплавящийся) — нонвариантная (при постоянном давлении) точка

в системе из n компонентов, в которой находятся в равновесии n твердых фаз и жидкая фаза
Эвтектическая точка

Слайд 9Типы фазовых диаграмм

Слайд 10Фазовая диаграмма Системы Y2O3-Al2O3

Слайд 11Кинетика кристаллизации
Гиббс – теория зарождения центров кристаллизации.
Переход из неравновесного(метастабильного) состояния


Метастабильное состояние – появление зародышей.
Создание поверхности раздела фаз. Требует затрат свободной энергии до достижении зародышей определенного размера.

Скорость зарождения центров кристаллизации (ЧЦК)

2. Линейная скорость кристаллизации (ЛСК)
3. Объемная скорость кристаллизации

J=C·exp (-ΔGc/RT)

Слайд 12Скорость ЧЦК

Слайд 13Кинетика кристаллизации Определение ЧЦК

Слайд 14Линейная скорость кристаллизации ЛСК
С = dl/dτ.

Слайд 15Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 16Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 17Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 18Влияние давления на ЧЦК и ЛСК

Слайд 19Определение температурного интервала кристаллизации методом принудительной кристаллизации

Слайд 20Суммарная(объемная) скорость кристаллизации
v =f(τ,T,c,J,b)
V=8l3
При c = dl/dτ =l/τ= const, T=const
v

= dV/dτ = 24 c3τ2

Слайд 21Огранка кристалла и скорость роста граней
Vc>Vb>Va
Vc : Va = 3
Анизотропия скорости

роста кристалла в различных кристаллографических направлениях лежит в основе явления геометрического отбора (конкурирующего роста).

Слайд 22Огранка кристалла и скорость роста граней Геометрический отбор
Методы Бриджмана, Обреимова-Шубникова,

Стокбаргера

Слайд 23Огранка свободно растущего кристалла
V11/V01≥√¯2
V11/V01≤√¯2/2
√¯2/2

Слайд 24Огранка свободно растущего кристалла

Слайд 25Огранка свободно растущего кристалла

Слайд 26Огранка кристаллов
Реальный кристалл сложен пирамидами роста. Пирамиды роста граней,
принадлежащих разным простым

формам, неравноценны по свойствам, в
частности по содержанию примесей, дефектности твердости и т.д. Этим
реальный кристалл отличается от идеального, совершенно однородного
кристалла, у которого пирамиды роста отсутствуют.

Слайд 27Огранка кристаллов
Грани реальные
физически возможные
физически невозможные
Огранка кристалла зависит от

ретикулярной плотности (плотности упаковки) граней. Закон Браве. Чем меньше ретикулярная плотность, тем больше скорость роста грани.

Простая кубическая решетка

Слайд 28Огранка кристаллов
Объемноцентрированая решетка.
Максимальная ретикулярная плотность для грани [110]

Слайд 29Огранка кристаллов
Гранецентрированная решетка . Максимальная ретикулярная плотность для грани [110]

Слайд 30Огранка кристаллов
Форм роста много
Равновесная форма кристалла одна . Образована плотноупакованным

гранями

Пример. Алмаз.Равновесная форма - октаэдр
Формы роста - I) октаэдр, 2) ромбододекаэдр,
3) куб, 4) комбинации (октаэдра, куба, додекаэдра)

Слайд 31Огранка кристаллов Принцип Гиббса-Вульфа- Кюри
Принцип Гиббса-Вульфа-Кюри. Равновесная форма кристалла соответствует минимуму свободной

объемной и поверхностной энергиией

ΣσiSi=min (V=const)

Для реальных кристаллов объемная энергия не является постоянной и зависит от дефектности кристалла

Слайд 32Теорема Вульфа
σi/hi = const
В равновесном кристалле расстояния от центра кристалла до

граней пропорциональны их удельным свободным поверхностным энергиям

Слайд 33Метод Шубникова определения равновесной формы кристалла
С медленно растущих граней, принадлежащих равновесной,

форме, при растворении удаляется больше вещества, чем возвращается обратно при охлаждении раствора. Избыток осаждается на остальных гранях, которые в результате растут быстрее и зарастают, исчезая из огранки кристалла.

Равновесная форма кристалла не изменяется при колебаниях температуры

Слайд 34Элементарные процессы роста кристаллов
Грань не являющаяся плотноупакованной имеет ступенчатую структуру. При

T>0 ступени имеют изломы, играющие важную роль при захвате атомов. S~0,01% Sгр
Скорость перемещения ступени- тангенциальная форма роста
VT >> VN

Слайд 35Рост шероховатых граней

Слайд 36Элементарные процессы роста кристаллов
F- гладкие грани
K,S – шероховатые грани
Скорость роста для

шероховатых граней существенно больше чем гладких(плотноупаковочных)

Слайд 37Рост атомарно гладких граней
Концепция образовании двумерных зародышей
Гиббсом, Фольмером, Коссель, Странскиц, Каишев

Критический

размер зародыша r
Критическое переохлаждение(пересыщение) βc

Vs<Vs - скорость появления зародышей
Vt – скорость роста слоя

Слайд 38Дислокационный механизм роста гладких граней
Винтовые дислокации
Франк, Бартона, Кабрера и Франк
На

практике кристаллы растут при пересыщении(переохлаждении) много меньше критического значения.

Слайд 39Дислокационный механизм роста гладких граней

Слайд 40Установка «Гранат-2», компоненты теплового узла и
Компоненты теплового узла: 1 —

нагревательный элемент, 2 — блок экранов, 3 — токоввод (левый)

Установка «Гранат-2»: 1 — кристаллизационная камера, 2 — механизм перемещения контейнера с веществом, 3 — блок управления

Молибденовые трубки для отжига и роста

Коническая затравка

Слайд 41Монокристалл алюмо-иттриевого граната, легированного ванадием

Слайд 42Срезы були алюмоиттриевого граната с ванадием
а,б,в — срез кристалла (просветленная

пластина), г — готовое изделие (затвор)

Слайд 43Скорость роста, пирамиды роста

Слайд 44Свойства кристаллов соединений Al2O3-Y2O3

Слайд 45Энергетические условия кристаллизации

Похожие презентации

Поли- и гетерофункциональные соединения 1380
Метанол. Фізичні властивості 330
Ароматты галогентуындылар. Айырылу-қосылу және қосылу айырылу реакциясының механизмі 669
Matter - Its Properties and Measurement 275
Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение 416
Спирты. Состав и строение спиртов 1416

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.

Для правообладателей

Яндекс.Метрика