LSCH =100 nm, Lz=10 nm, Г=0.01
Структура с раздельным ограничением носителей и моды (РО ДГС)
Geff = Гg
LSCH =100 nm, Lz=10 nm, Г=0.01
Структура с раздельным ограничением носителей и моды (РО ДГС)
Geff = Гg
Зависимость концентрации носителей
в волноводном слое от плотности тока
и числа квантовых ям в активной области
Поглощение на св. носителях в волноводном слое
Поглощение на св. носителях:
в n-эмиттере
в p-эмиттере
Рост концентрации носителей с током:
Плотность тока, кА/см2
Внешняя диф. эффективность
Потери в волноводе, см-1
Мощность, Вт
1,2 – длина волны 1,04 мкм
3,4 – длина волны 1,76 мкм
Время доставки и захвата электронов
и дырок в КЯ - конечное. Чем меньше
это время, тем шире полоса модуляции.
Это подтверждают результаты экспери-
ментов на лазерах с разной толщиной
волноводного слоя LSCH.
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть