Электрострикция презентация

том, что при изменении состояния намагниченности тела его объём и линейные размеры изменяются.

В области ТC большинство моментов Мат находятся в разупорядоченном состоянии, так как действие теплового движения на атомы больше, чем обменное взаимодействие. Пусть r0 — равновесное расстояние между атомами, соответствующее этому состоянию ферромагнетика (рис. 1, а). Включим теперь поле Н. Моменты Мат повернутся по полю (рис. 1, б), но это приведет к изменению обменной энергии (поскольку, согласно теории, данная энергия зависит от направления спинов взаимодействующих электронов, принадлежащих соседним атомам). Состоянию ферромагнетика на рис. 1, б будет соответствовать другое равновесное расстояние между атомами: r0 + Δr, где Δr есть не что иное, как обменная магнитострикция.

Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном.

Во внешнем магнитном поле B (перпендикулярном току) траектория будет представлять собой в неограниченном образце участок циклоиды длиной l (длина свободного пробега), и за время свободного пробега (время между двумя столкновениями) вдоль поля E частица пройдет путь lx меньший, чем l, а именно

Поскольку за время свободного пробега τ частица проходит меньший путь вдоль поля E, то это равносильно уменьшению дрейфовой скорости, или подвижности носителя заряда, а тем самым и проводимости дырочного (или электронного) газа, то есть R должно возрастать. 
Магнетосопротивление - разница между сопротивлением при конечном магнитном поле и сопротивлением в отсутствие магнитного поля.

проволок в зависимости от их ориентации относительно внешнего магнитного поля.

Причиной этого является спин-орбитальное взаимодействие электронов, приводящее к спин-зависимому рассеянию электронов (коэффициент рассеяния для спинов сонаправленных и противонаправленных по отношению к намагниченности образца будет различный).

Ситуация с анизотропной магнитострикцией в металлах Fe, Ni, их сплавах и ферритах близка к случаю Gd. Намагничивание в них происходит в основном за счет спиновых моментов и в небольшой степени за счет орбитальных моментов. В этих магнетиках кристаллическое поле так сильно воздействует на Морб, что они как бы закрепляются в решетке и теряют способность вращаться в направлении магнитного поля.

эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и проводящих немагнитных слоёв.
Эффект состоит в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв.

Направлением намагниченности можно управлять, например, приложением внешнего магнитного поля. В основе эффекта лежит рассеяние электронов, зависящее от направления спина. За открытие гигантского магнетосопротивления в 1988 году физики Альбер Ферт (Университет Париж-юг XI) и Петер Грюнберг (Исследовательский центр Юлих) были удостоены Нобелевской премии по физике в 2007 году.

заключающийся в сильной зависимости электрического сопротивления материала от величины внешнего магнитного поля. Термин применяется в отношении некоторых ферромагнитных и антиферромагнитных полупроводников, обычно оксидов металлов на базе манганитов со структурой перовскита, в отличие от подобного явления в многослойных пленках — эффект гигантского магнетосопротивления.

Туннельное магнитное сопротивление или туннельное магнитосопротивление (сокр. ТМС, англ. Tunnel magnetoresistance, сокр. TMR) — квантовомеханический эффект, проявляется при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков разделенных тонким (около 1 нм) слоем диэлектрика. При этом общее сопротивление устройства, ток в котором протекает из-за туннельного эффекта, зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. Сопротивление выше при перпендикулярной намагниченности слоев.
открыт в 1975 Мишелем Жюльером, использовавшим железо в качестве ферромагнетика и германий в качестве диэлектрика при температуре 4,2 К.
При комнатной температуре, действие эффекта было открыто в 1995 году.
В настоящее время на основании эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магниторезистивная оперативная память (MRAM), и он также применяется в считывающих головках жестких дисков.

напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Открыт Эдвином Холлом в 1879 году в тонких пластинках золота.

Эффект Холла является прямой демонстрацией действия силы Лоренца на движущиеся электрические заряды.

Применение: экспериментальное определение знака и конц-и носителей заряда;
измерение Нмагн.поля, в бесколлекторных (вентильных) электродвигателях (сервомоторах),
в ионных реактивных двигателях,
в смартфонах в качестве физической основы работы электронного компаса