движения
дислокаций.
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Дислокации. Механизмы размножения и движения дислокаций презентация
Содержание
- 1. Дислокации. Механизмы размножения и движения дислокаций
- 2. Необходимо понять: 1. Почему в кристаллах
- 3. Откуда берутся дислокации?
- 6. Дислокации несоответствия
- 7. Отпечаток индентора! Гетерогенное зарождение дислокаций под действием источника («концентратора») напряжений
- 8. Определение способности кристалла к пластической деформации
- 9. Vd = Δ l/ Δt
- 10. Избирательное травление
- 12. Oscar Rodríguez de la Fuente, Ph.D. Thesis, UCM Облучение поверхности быстрыми частицами СТМ реконструкция
- 14. Дислокации несоответствия Эффекты механических напряжений при гетероэпитаксии ε = (b-a)/a Сохранение объема элементарной ячейки
- 15. Несоответствие решеток
- 16. d = b/ε
- 17. Eε ~ ε 2 ED ~ ε ED ~ N ~ 1/d ~ ε
- 21. Механизмы размножения дислокаций
- 23. Сила, действующая на единицу длины
- 24. Линейное натяжение дислокаций /L =
- 25. Изгиб линии дислокации Таким образом, для того,
- 26. Источник Франка - Рида σ процесс повторяется много раз σ σ σ
- 27. Дислокационная сетка (сетка Франка)
- 28. ρ = μb/σ μ ≡ G σc ≈ μb/l
- 31. b
- 36. Другие источники дислокаций
- 40. σc ≈ 106 Н/м2
- 41. Призматические дислокации Если образуется диск достаточно
- 42. Образование дислокаций при росте кристаллов из
Необходимо понять: 1. Почему в кристаллах изначально присутствуют дислокации? 2. Почему дислокации размножаются при напряжениях много меньших теоретического порога текучести ?
Слайд 1Профессор Б.И.Островский
Физика реального кристалла
ostr@cea.ru
Откуда берутся дислокации?
Механизмы размножения и
Слайд 2Необходимо понять:
1. Почему в кристаллах изначально присутствуют дислокации?
2. Почему дислокации
размножаются при напряжениях много меньших теоретического порога текучести ?
Слайд 7Отпечаток
индентора!
Гетерогенное зарождение дислокаций
под действием источника («концентратора»)
напряжений
Слайд 12Oscar Rodríguez de la Fuente, Ph.D. Thesis, UCM
Облучение поверхности быстрыми частицами
СТМ
реконструкция
Слайд 14Дислокации несоответствия
Эффекты механических напряжений
при гетероэпитаксии
ε = (b-a)/a
Сохранение объема
элементарной ячейки
Слайд 23
Сила, действующая на единицу длины дислокации
Сила всегда направлена
перпендикулярно линии
дислокации
Gj =biσij
вектор
Сила Пича
-
- Келлера
- Келлера
Слайд 24Линейное натяжение дислокаций
/L =
/L =
≈
Линейное натяжение
стремится уменьшить
длину дислокационной
линии
Сила, действующая
на
концы линии
Слайд 25Изгиб линии дислокации
Таким образом, для того, чтобы изогнуть дислокацию
в кривую
с эффективным радиусом R, необходимо
приложить к образцу напряжение:
приложить к образцу напряжение:
σ = Gb/R
R = Gb/σ
Слайд 29
b
Механизм Франка - Рида. Стрелки показывают направление обхода
линии дислокации; b -
вектор Бюргерса.
μb/l
Критическое напряжение, при котором работает источник
σc ≈ μb/l
σc ≈ 10-3μ
σc ≥ σP
σ
Слайд 41Призматические дислокации
Если образуется диск достаточно большого размера,
то ему энергетически выгодно
деформироваться с
образованием дислокационной петли
образованием дислокационной петли
Слайд 42Образование дислокаций при росте
кристаллов из расплава
1. Образование большого количества равновесных
вакансий
вблизи температуры плавления.
2. Коалесценция избыточных вакансий в областях кристалла,
где температура понижена относительно средней вследствие
температурных градиентов. Дальнейшее образование
призматических дислокационных петель – первичные дислокации.
3. Первичные дислокации являются источниками Франка-Рида и
происходит размножение дислокаций под действием
температурных напряжений, превышающих критические
напряжения размножений дислокаций σc .
вблизи температуры плавления.
2. Коалесценция избыточных вакансий в областях кристалла,
где температура понижена относительно средней вследствие
температурных градиентов. Дальнейшее образование
призматических дислокационных петель – первичные дислокации.
3. Первичные дислокации являются источниками Франка-Рида и
происходит размножение дислокаций под действием
температурных напряжений, превышающих критические
напряжения размножений дислокаций σc .
Процессы идут в следующей последовательности:
