Крім того, особливу роль при склуванні в подвійних й більш складних системах відіграють евтектики, що пояснюється значним зниженням швидкостей кристалізації в порівнянні з стехіометричними сполуками (Законом евтектик Корне).
Рис. 1. Діаграма стану системи Si−Te.
Si
Te
20
40
60
80
800
900
1000
1100
T, K
1159
683
687
V
α
α
α
ат. % Te
681
1200
1300
V
Температура, при якій спосте-рігається злом кривої об’єм – температура називається темпера-турою початку інтервалу розм’як-шення, або температурою склуван-ня Тg
Рис. 3. Схеми пристроїв для отримання аморфних сплавів гартуванням з рідкого стану: а – нанесення розплаву на металевий диск або циліндр, який обертається; б – витягання розплаву за допомогою диска, який обертається;
1 – розплав, 2 – нагрівач, 3 – стрічка аморфного розплаву, 4 – кварцова трубка.
Іони аргону, маючи досить велику енергію, стикаються з поверхневими атомами мішені і вибивають їх. Цей процес називається розпиленням. Аерозоль атоми залишають мішень і осідають на підкладку 5. Процес ведуть таким чином, щоб атоми, які покидають мішень, мали невелику кінетичну енергію. Потрапляючи на підкладку, вони не відскакують, як пружні м'ячики, а відразу ж прилипають до її поверхні, тобто заморожуються. Цей процес осадження атомів на холодній підкладці еквівалентний охолодженню з дуже високою швидкістю. Розрахунки показують, що швидкість охолодження досягає значень 1010 К/с. Аморфні металеві сплави виходять у вигляді напиляного шару 6 товщиною від 1 до 1000 мкм.
Рис. 4. Схема установки для чотирьохелектродного розпилення:
1 – вакуумна камера, 2 – анод, 3 – катод,
4 – мішень, 5 – підкладка,
6 – аморфний матеріал.
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть