Презентации к лекционному курсу
Твердотельная электроника
Электронный учебно-методический комплекс
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Твердотельная электроника. Полупроводниковые диоды презентация
Содержание
- 1. Твердотельная электроника. Полупроводниковые диоды
- 2. Уравнения непрерывности
- 3. ПРИНЯТЫЕ ДОПУЩЕНИЯ ПРИ РАСЧЁТЕ ВАХ Модель электронно-дырочного
- 4. Но в квазинейтральной области напряженность внешнего электрического
- 5. Концентрация неравновесных дырок на границе ОПЗ при x=Wn равна: При x=Wn:
- 6. Окончательно закон изменения концентрации неравновесных дырок в n-области при x>Wn принимает вид:
- 7. На границе ОПЗ при x=Wn, получим:
- 8. Аналогично для p-области при x < -Wp:
- 9. Решение уравнения для ВАХ
- 10. ВАХ тонкого pn-перехода описывается уравнением: известным как формула Шокли. где
- 11. Распределение носителей в p-n переходе
- 13. Расчет для кремниевого p-n-перехода cм-3 cм-3 При
- 14. Уже при т.е. граничные концентрации
- 15. см2/с см
- 16. ВАХ p-n-перехода
- 17. Оценим, насколько справедливо в нашем
- 18. Прямое смещение p-n-перехода
- 19. Обратное смещение p-n-перехода
- 21. Влияние различных факторов на ВАХ pn-перехода
- 22. Влияние температуры на ВАХ
- 23. ВАХ кремниевого и германиевого диодов
- 24. Влияние генерации-рекомбинации на ВАХ
- 25. – прямое смещение pn-перехода: – обратное смещение pn-перехода:
- 26. Емкостные свойства pn-перехода
- 27. К расчету емкости p-n-перехода При
- 28. Из формулы для плоского конденсатора: При Na>>Nd:
- 29. Барьерная емкость диода Для ступенчатого pn-перехода с площадью S:
- 30. Емкость pn-перехода может изменяться в значительных пределах,
- 31. Диффузионная емкость pn-перехода где Q
- 32. Пробой p-n-перехода
- 33. Обратная ВАХ при различных видах пробоя
- 34. Схема, иллюстрирующая лавинный пробой
- 35. Лавинный пробой
- 36. Коэффициент лавинного умножения M, определяемый как
- 37. Напряжение лавинного пробоя зависит от степени легирования
- 38. Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси в низколегированной области для резкого pn-перехода
- 39. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя определяется уменьшением
- 40. Туннельный пробой pn-перехода
- 41. Зонная диаграмма сильнолегированного p-n-перехода при обратном смещении
- 42. Чтобы этот эффект имел место, электрическое поле
- 43. Напряжение туннельного пробоя сравнительно слабо зависит от
- 44. Тепловой пробой pn-перехода При увеличении обратного
- 45. Влияние сопротивления базы на ВАХ
- 46. Прямая ВАХ в полулогарифмическом масштабе
- 47. Толщина базы
- 48. Характеристическое сопротивление диода Различают два вида
- 49. Определяется как отношение приложенного напряжения к протекающему
- 50. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- 51. С течением времени концентрация неравновесных носителей
- 52. Координатные зависимости p(x,t) в различные моменты времени
- 53. Обратный ток обусловлен только диффузией дырок к границе ОПЗ p-n-перехода:
- 54. Зависимость обратного тока при переключении диода t=0, τср = τр/2
- 55. Полупроводниковые диоды В данном разделе будут
- 56. Выпрямительные диоды Основная задача выпрямительного диода
- 57. ВАХ идеализированного выпрямляющего устройства
- 58. ВАХ реального pn-перехода
- 59. Выпрямительный, или силовой, диод – прибор, предназначенный
- 60. Графики напряжения и выпрямленного тока (а). простейшая выпрямительная схема (б)
- 61. Качественное сравнение ВАХ германиевого и кремниевого диода
- 62. При повышении температуры изменяются практически все электрофизические
- 63. Изменение температуры диода может произойти не только
- 64. Снижение влияния температуры добиваются путем введения специальных конструктивных элементов корпусов – радиаторов
- 66. Стабилитроны Стабилитрон (опорный диод) – полупроводниковый
- 67. ВАХ стабилитрона
- 68. Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и
- 70. В режиме короткого замыкания (
- 72. Туннельные диоды Туннельный диод был предложен
- 73. Энергетические диаграммы сильно- легированных полупроводников
- 76. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 77. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 78. ВАХ туннельного диода Fn Fp EC EC EV EV
- 79. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 80. ВАХ туннельного диода Fp Fn EC EC EV EV
- 81. Обращенный диод EV EV EV EV EV
- 82. Расчет ВАХ барьера Шоттки
- 83. Расчет ВАХ барьера Шоттки При приложении напряжения: где - Постоянная Ричардсона
- 84. ВАХ диода Шоттки
- 85. Диод Шоттки
- 86. Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей
Уравнения непрерывности
Слайд 1Полупроводниковые диоды
МОСКВА
2012 НИУ «МЭИ»
Слайд 3ПРИНЯТЫЕ ДОПУЩЕНИЯ ПРИ РАСЧЁТЕ ВАХ
Модель электронно-дырочного перехода одномерная; p- и n-области
имеют бесконечную протяженность.
Переход тонкий, носители заряда пролетают через ОПЗ без рекомбинации (ОПЗ стянут в линию).
Обе квазинейтральные области сильно легированы, падением напряжения на них можно пренебречь. Вся внешняя разность потенциалов приложена к pn-переходу.
Рекомбинацию считаем линейной.
Уровень инжекции мал (Δnp<
Переход тонкий, носители заряда пролетают через ОПЗ без рекомбинации (ОПЗ стянут в линию).
Обе квазинейтральные области сильно легированы, падением напряжения на них можно пренебречь. Вся внешняя разность потенциалов приложена к pn-переходу.
Рекомбинацию считаем линейной.
Уровень инжекции мал (Δnp<
Слайд 4Но в квазинейтральной области напряженность внешнего электрического поля равна нулю!
Таким
образом, плотность тока в n-области определяется диффузионным током дырок, зависящим от их градиента концентрации:
Общее решение такого уравнения имеет вид:
Слайд 6Окончательно закон изменения концентрации неравновесных дырок в n-области при x>Wn принимает
вид:
Слайд 13Расчет для кремниевого p-n-перехода
cм-3
cм-3
При прямом смещении:
Пусть
, тогда
cм-3 и равна
cм-3
Пусть cм-3 ,
Тогда cм-3 ,
Слайд 17
Оценим, насколько справедливо в нашем примере предположение, что напряжение смещения
приложено только к pn-переходу. Для полученного полного тока определим падение напряжения на толще n- и p-областей, приняв длину n-области =0,01 см, длину p-области за 1 мкм=10-4 см. Проводимости σ n=q∙μn∙n, σp =q∙μp∙p. Подвижности μn и μp зависят от концентраций примеси в полупроводниках, исходя из данных, приведенных в литературе: μn = 300 см2/В∙с, μp =100 см2/В∙с.
σn=q∙μn∙n=
σn=q∙μn∙n=
σp=q∙μp∙p=
Падение напряжения на n- и p-слоях
Слайд 30Емкость pn-перехода может изменяться в значительных пределах, что позволило использовать это
свойство в варикапах.
Варикап – нелинейный управляемый конденсатор, емкость которого изменяется в зависимости от обратного напряжения. В варикапах используется барьерная емкость, не зависящая от частоты вплоть до миллиметрового диапазона, имеющая малый температурный коэффициент емкости.
Варикап обладает высокой стабильностью параметров во времени. В радиоэлектронных устройствах варикапы применяют в усилителях, умножителях частоты, смесителях, детекторах и в схемах с электронной настройкой.
Слайд 31Диффузионная емкость pn-перехода
где Q – инжектированный заряд.
Полная емкость pn-перехода равна
сумме барьерной и диффузионной емкостей. При прямых напряжениях барьерная емкость много меньше диффузионной, а при обратных напряжениях она значительно превышает ее. Соотношения между барьерной и диффузионной емкостью определяют частотные зависимости pn-перехода.
Слайд 36
Коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в
области сильного электрического поля, для которого справедливо следующее эмпирическое соотношение Миллера:
Слайд 37Напряжение лавинного пробоя зависит от степени легирования p- и n-областей. Так,
например для резкого кремниевого p-n-перехода зависимость напряжения пробоя от степени легирования n-области имеет вид:
Напряжение лавинного пробоя кремниевого pn-перехода с линейным распределением примеси (то есть при изменении примеси по линейному закону) определяется формулой:
где а – градиент концентрации примеси
Слайд 38Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси в низколегированной области для
резкого pn-перехода
Слайд 39Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя определяется уменьшением длины свободного пробега носителей
заряда с увеличением температуры.
При этом величина напряжения пробоя увеличивается, так как энергию, необходимую для разрыва ковалентных связей носители могут набрать при больших напряжениях.
При этом величина напряжения пробоя увеличивается, так как энергию, необходимую для разрыва ковалентных связей носители могут набрать при больших напряжениях.
Слайд 42Чтобы этот эффект имел место, электрическое поле должно быть настолько сильным,
чтобы обеспечить такой наклон зон, при котором заполненные электронами уровни валентной зоны оказались напротив незаполненных энергетических уровней разрешенной зоны, а ширина потенциального барьера сравнима с длиной волны де Бройля электрона.
Слайд 43Напряжение туннельного пробоя сравнительно слабо зависит от температуры. Однако с ростом
температуры ширина запрещенной зоны германия и кремния уменьшается, вероятность туннелирования возрастает, и величина критической напряженности поля уменьшается. Поэтому напряжение туннельного пробоя уменьшается.
Поскольку напряжение, при котором возникает лавинный и туннельный пробой достаточно стабильно, этот эффект используется для создания приборов, падение напряжения на которых остается стабильным при изменении тока – стабилитронов.
Поскольку напряжение, при котором возникает лавинный и туннельный пробой достаточно стабильно, этот эффект используется для создания приборов, падение напряжения на которых остается стабильным при изменении тока – стабилитронов.
Слайд 44Тепловой пробой pn-перехода
При увеличении обратного напряжения увеличивается мощность, рассеиваемая в
переходе в виде тепла, поэтому для pn-переходов со сравнительно высокими обратными токами возможен разогрев.
Начавшийся разогрев, в свою очередь, приведет к увеличению обратного тока. Таким образом, в pn-переходе возникает положительная обратная связь, ведущая к возникновению тепловой неустойчивости – тепловому пробою.
Начавшийся разогрев, в свою очередь, приведет к увеличению обратного тока. Таким образом, в pn-переходе возникает положительная обратная связь, ведущая к возникновению тепловой неустойчивости – тепловому пробою.
Слайд 47Толщина базы
, в свою очередь, влияет на закон распределения инжектированных носителей и диффузионных токов.
Экспоненциальное распределение, представленное в формулах справедливо для длинной базы, то есть при
Экспоненциальное распределение, представленное в формулах справедливо для длинной базы, то есть при
В случае короткой базы:
Слайд 48Характеристическое сопротивление диода
Различают два вида характеристического сопротивления диодов: дифференциальное сопротивление
rd и сопротивление по постоянному току RD.
Дифференциальное сопротивление определяется как
Дифференциальное сопротивление определяется как
Слайд 49Определяется как отношение приложенного напряжения к протекающему току через диод:
На прямой
ВАХ сопротивление RD >rd, на обратной – RD
Сопротивление по постоянному току RD
В точке вблизи нулевого значения напряжения
значения сопротивлений совпадают.
Действительно, разложив экспоненту, получаем:
Слайд 50Переходные процессы
в полупроводниковых диодах
При быстрых изменениях напряжения на полупроводниковом
диоде значение тока через диод, соответствующее статической ВАХ, устанавливается не сразу. Процесс установления тока при таких переключениях называют переходным процессам.
Переходные процессы в полупроводниковых диодах связаны с накоплением носителей в базе диода при его прямом включении и их рассасывании в базе при быстром изменении полярности напряжения на диоде. Так как электрическое поле в базе обычного диода отсутствует, то движение неосновных носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно. В результате кинетика накопления носителей в базе и их рассасывание влияют на динамические свойства диодов в режиме переключения.
Переходные процессы в полупроводниковых диодах связаны с накоплением носителей в базе диода при его прямом включении и их рассасывании в базе при быстром изменении полярности напряжения на диоде. Так как электрическое поле в базе обычного диода отсутствует, то движение неосновных носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно. В результате кинетика накопления носителей в базе и их рассасывание влияют на динамические свойства диодов в режиме переключения.
Слайд 51
С течением времени концентрация неравновесных носителей будет убывать, следовательно, будет убывать
и обратный ток.
За время τ0, называемое временем восстановления обратного сопротивления или временем рассасывания, обратный ток придет к значению, равному току насыщения.
За время τ0, называемое временем восстановления обратного сопротивления или временем рассасывания, обратный ток придет к значению, равному току насыщения.
При
При
Слайд 55Полупроводниковые диоды
В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупроводниковых диодов:
выпрямительные
диоды на основе pn-перехода
стабилитроны, варикапы
туннельные и обращенные диоды
стабилитроны, варикапы
туннельные и обращенные диоды
Слайд 56Выпрямительные диоды
Основная задача выпрямительного диода – выпрямление переменного (в частности
синусоидального) тока, то есть выделение постоянной его составляющей.
Применяется в цепях управления и коммутации, для развязок в электрических цепях, ограничения выбросов напряжений в цепях с индуктивными элементами, а также в цепях, где необходимы вентильные элементы и не предъявляется жестких требований к временным и частотным параметрам.
Выпрямительные или вентильные свойства полупроводникового диода определяются его ВАХ
Применяется в цепях управления и коммутации, для развязок в электрических цепях, ограничения выбросов напряжений в цепях с индуктивными элементами, а также в цепях, где необходимы вентильные элементы и не предъявляется жестких требований к временным и частотным параметрам.
Выпрямительные или вентильные свойства полупроводникового диода определяются его ВАХ
Слайд 59Выпрямительный, или силовой, диод – прибор, предназначенный для выпрямления переменного тока.
Их применяют в цепях управления и коммутации, для развязок в электрических цепях, ограничения выбросов напряжений в цепях с индуктивными элементами, а также в цепях, где необходимы вентильные элементы и не предъявляется жестких требований к временным и частотным параметрам.
Слайд 61Качественное сравнение ВАХ германиевого и кремниевого диода
(масштабы прямого и обратного токов различны)
Слайд 62При повышении температуры изменяются практически все электрофизические свойства полупроводников, поэтому изменяются
и параметры полупроводниковых приборов, в частности, значение контактной разности потенциалов уменьшается, а ток насыщения растет.
Слайд 63Изменение температуры диода может произойти не только вследствие изменения температуры окружающей
среды, но и за счет саморазогрева pn-перехода при больших плотностях протекающего через него токов.
Si
Ge
Слайд 64Снижение влияния температуры добиваются путем введения специальных конструктивных элементов корпусов –
радиаторов
Слайд 66Стабилитроны
Стабилитрон (опорный диод) – полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Стабилитроны используют также в качестве ограничителей постоянного или импульсного напряжения, элементов межкаскадной связи, источников эталонного напряжения и др.
Слайд 68Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и напряжение Uст стабилизации, дифференциальное
напряжение стабилитрона rд и температурная зависимость этих параметров.
Основное назначение стабилитрона – стабилизация напряжения на нагрузке (Rн), при изменяющемся напряжении во внешней цепи. В неразветвленную часть цепи включают балластный резистор R0, сопротивление которого должно быть существенно больше дифференциального сопротивления стабилитрона .
Основное назначение стабилитрона – стабилизация напряжения на нагрузке (Rн), при изменяющемся напряжении во внешней цепи. В неразветвленную часть цепи включают балластный резистор R0, сопротивление которого должно быть существенно больше дифференциального сопротивления стабилитрона .
Слайд 70В режиме короткого замыкания (
)
Нестабильность выходного напряжения вызывается двумя основными причинами: нестабильностью входного напряжения и нестабильностью входного тока (нестабильностью сопротивления нагрузки Rн).
Слайд 72Туннельные диоды
Туннельный диод был предложен в 1958 году Лео Исаки,
который в 1973 году получил Нобелевскую премию по физике за открытие эффекта туннелирования электронов, применяемого в этих диодах.
Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p+n+-перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке ВАХ которого наблюдается N-образная зависимость тока от напряжения.
Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p+n+-перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке ВАХ которого наблюдается N-образная зависимость тока от напряжения.
Слайд 86Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне
мало), а значит и высоким быстродействием.
Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .
Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .
