Каримов а, А.Н. Лачинов а,б, Э.Р. Жданов а
аБашкирский государственный педагогический университет им. М.Акмуллы,
б Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ презентация
Содержание
- 1. ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
- 2. Цель работы исследование электрофизических свойств тонких пленок полиариленфталидов в переменных электрических полях
- 3. Структура исследуемого образца 1- металлический контакт
- 4. Толщина пленки полимера Изображение края полимерной пленки,
- 5. Схема измерительной установки ПК – компьютер, R – сопротивление, ФЭУ – фотоэлектронный умножитель
- 6. Показания осциллографа а) U1 – величина падения
- 7. Вольт – амперные характеристики при разной амплитуде и разных полярностях переменного напряжения
- 8. Зависимость интенсивности электролюминесценции и тока протекающего через образец от времени
- 9. Выводы транспорт зарядов в структуре Al-ПДФ-ITO
- 10. Спасибо за внимание!
Слайд 2Цель работы
исследование электрофизических свойств тонких пленок полиариленфталидов в переменных электрических полях
Слайд 3Структура исследуемого образца
1- металлический контакт
2- полимерная пленка
3- электропроводящий слой ITO
4-
стеклянная подложка
Слайд 4Толщина пленки полимера
Изображение края полимерной пленки, нанесенной на ITO, полученное с
помощью атомно-силового микроскопа , профиль поверхности вдоль измерительной линии (линия показана стрелкой) .
Слайд 5Схема измерительной установки
ПК – компьютер, R – сопротивление, ФЭУ – фотоэлектронный
умножитель
Слайд 6Показания осциллографа
а) U1 – величина падения напряжения на эталонном сопротивлении
б) UG
- напряжение на выходе генератора
а)
б)
Слайд 7Вольт – амперные характеристики при разной амплитуде и разных полярностях переменного
напряжения
Слайд 9Выводы
транспорт зарядов в структуре Al-ПДФ-ITO осуществляется как за счет собственных носителей
зарядов так и за счет инжекции носителей зарядов (двойная инжекция)
наблюдается рекомбинационная электролюминесценция при обоих полярностях приложенного напряжения
наблюдается рекомбинационная электролюминесценция при обоих полярностях приложенного напряжения
