Схемотехника ЭВМ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИСТЕТ
Мальчуков Андрей Николаевич
Томск – 2014
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Schem_lc_02 презентация
Содержание
- 1. Schem_lc_02
- 2. ЛЭ ИЛИ на диодах
- 3. ЛЭ И на диодах
- 4. ИС ТТЛШ быстродействующие: 530, 531, 1531; маломощные: 533, 555, 1533.
- 5. БЭ ТТЛШ 530/531 Входной ФР Выходной КАСКАДЫ:
- 6. БЭ ТТЛШ 533/555 Входной ФР Выходной КАСКАДЫ:
- 7. Неиспользуемые ЛЭ и входы ЛЭ Неиспользуемые ЛЭ
- 8. БЭ ТТЛШ 1531 Входной ФР Выходной КАСКАДЫ:
- 9. БЭ ТТЛШ 1533 Входной ФР Выходной КАСКАДЫ:
- 10. Нагрузочная способность Под нагрузочной способностью N понимают
- 11. Сравнительные параметры серий
- 12. Отличия n-MOП от p-МОП В
- 13. ИС на n-MOП структурах
- 14. ИС на КMOП структурах
- 15. ИС на КMOП структурах
- 16. ИС на КMOП структурах
- 17. Достоинства КМОП Потребляет очень маленький ток
- 18. Лекция №2. Схемы И, ИЛИ на диодах.
ЛЭ ИЛИ на диодах
Слайд 1Лекция №2. Схемы И, ИЛИ на диодах. ИС транзисторно-транзисторной логики с диодами и
транзисторами Шотки.
ИС на униполярных транзисторах
Слайд 5БЭ ТТЛШ 530/531
Входной
ФР
Выходной
КАСКАДЫ:
входной
R1, VT1, VD1 –
VD4;
фазорасщепительный
R2, VT2, R3, R4, VT4;
выходной
VT3,5, VT6, R5,6
фазорасщепительный
R2, VT2, R3, R4, VT4;
выходной
VT3,5, VT6, R5,6
Слайд 6БЭ ТТЛШ 533/555
Входной
ФР
Выходной
КАСКАДЫ:
входной
R1, VD1 – VD4;
фазорасщепительный
R2, VT1, R3-4, VT2;
выходной
VD5, VT3, R5, VT4, VT5, R6
Слайд 7Неиспользуемые ЛЭ и входы ЛЭ
Неиспользуемые ЛЭ – на выходе лог. 1.
Неиспользуемые
входы – подавать сигнал лог. 0 или 1 не влияющий на работу ЛЭ.
Неиспользуемые входы – можно объединять с используемыми.
Лог. 0 – подключить к общей шине (земле).
Лог. 1 – подключить к шине питания через нагрузку 1-2 кОм (155, 530, 531, 1531) или без нагрузки (533, 555, 1533)
Неиспользуемые входы – можно объединять с используемыми.
Лог. 0 – подключить к общей шине (земле).
Лог. 1 – подключить к шине питания через нагрузку 1-2 кОм (155, 530, 531, 1531) или без нагрузки (533, 555, 1533)
Слайд 8БЭ ТТЛШ 1531
Входной
ФР
Выходной
КАСКАДЫ:
входной
R1, VD1 – VD4;
фазорасщепительный
R2, R3, VT1, VT2, R4-6, VT3;
выходной
VT4-6, VD5, VD6, R7-8
Слайд 9БЭ ТТЛШ 1533
Входной
ФР
Выходной
КАСКАДЫ:
входной
VT1, VT2, R1, VD1
– VD2;
фазорасщепительный
R2-5, VT3-5;
выходной
VT6-8, VD5, R6-7
фазорасщепительный
R2-5, VT3-5;
выходной
VT6-8, VD5, R6-7
Слайд 10Нагрузочная способность
Под нагрузочной способностью N понимают число входов логических элементов из
этой же серии, которое может быть подключено к выходу предыдущего логического элемента без нарушения его работоспособности.
Слайд 12Отличия n-MOП от p-МОП
В транзисторах с n-каналами носители заряда –
электроны, подвижность которых в два раза выше подвижности дырок
Транзисторы с n-каналами выполняют по технологии с самосовмещением затворов, обеспечивающей уменьшение паразитных ёмкостей в 2-3 раза; в результате быстродействие схем n-транзисторами в среднем в 5-10 раз выше.
В n-МОП используется соглашения положительной логики, в p-МОП – отрицательной. Uпит. в n-МОП +5 В, в p-МОП –27 В.
Транзисторы с n-каналами выполняют по технологии с самосовмещением затворов, обеспечивающей уменьшение паразитных ёмкостей в 2-3 раза; в результате быстродействие схем n-транзисторами в среднем в 5-10 раз выше.
В n-МОП используется соглашения положительной логики, в p-МОП – отрицательной. Uпит. в n-МОП +5 В, в p-МОП –27 В.
Слайд 17Достоинства КМОП
Потребляет очень маленький ток в статическом режиме;
может быть выполнен
на транзисторах с низкоомными каналами, что повысит быстродействие;
может быть построен на транзисторах с минимальными размерами, поскольку к сопротивлениям проводящих каналов не предъявляется никаких требований;
имеют высокую помехоустойчивость (45% от Uп – помехи не влияют на работу схемы);
сохраняют работоспособность при изменении Uп до 5 раз (от 3 до 15 В);
на их основе возможно построение памяти с разными режимами работы: режим ожидание с напряжением питания 3 В и активный режим с напряжением питания от 3 до 15 В.
может быть построен на транзисторах с минимальными размерами, поскольку к сопротивлениям проводящих каналов не предъявляется никаких требований;
имеют высокую помехоустойчивость (45% от Uп – помехи не влияют на работу схемы);
сохраняют работоспособность при изменении Uп до 5 раз (от 3 до 15 В);
на их основе возможно построение памяти с разными режимами работы: режим ожидание с напряжением питания 3 В и активный режим с напряжением питания от 3 до 15 В.
Слайд 18Лекция №2. Схемы И, ИЛИ на диодах. ИС транзисторно-транзисторной логики с диодами и
транзисторами Шотки.
ИС на униполярных транзисторах
Схемотехника ЭВМ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИСТЕТ
Мальчуков Андрей Николаевич
Томск – 2014
