Презентации к лекционному курсу
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки презентация
Содержание
- 1. Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки
- 2. Влияние поверхностных состояний на энергетический спектр
- 3. Контакт металл-полупроводник
- 4. Контакт металл-собственный полупроводник
- 5. Контакт металл-электронный полупроводник
- 6. Контакт металл-дырочный полупроводник
- 7. Без смещения:
- 8. Сила изображения
- 9. Граница металл-полупроводник при приложении электрического поля (барьер для электрона)
- 10. Прямое и обратное смещение перехода металл-полупроводник
- 11. Расчет ВАХ барьера Шоттки При приложении напряжения: где - Постоянная Ричардсона
- 12. ВАХ диода Шоттки
- 13. Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только
- 14. Диод Шоттки
- 15. Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей
Влияние поверхностных состояний на энергетический спектр
Слайд 1Электронный учебно-методический комплекс
Твердотельная электроника
Поверхность и контактные явления
Диод Шоттки
МОСКВА
2012 НИУ «МЭИ»
Слайд 13Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только выпрямить границы разрешенных зон
.
Другими словами, при приложении больших прямых смещений электроны начнут «убегать» от батареи смещения и все зоны будут наклоняться.
Другими словами, при приложении больших прямых смещений электроны начнут «убегать» от батареи смещения и все зоны будут наклоняться.
Слайд 15Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне
мало), а значит и высоким быстродействием.
Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .
Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .
