- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Полупроводники презентация
Содержание
- 1. Полупроводники
- 2. Полупроводники Полупроводники – элементы IV группы таблицы
- 3. Строение полупроводников При небольшой температуре все атомы
- 4. Строение полупроводников При нагревании часть связей разрывается
- 5. Строение полупроводников Под действием электрического поля электроны
- 6. Строение полупроводников Для обогащения полупроводника свободными электронами
- 7. Строение полупроводников Для обогащения полупроводника свободными дырками
- 8. Примесная проводимость
- 9. Электронно-дырочный переход При сплаве двух полупроводников разного
- 10. Электронно-дырочный переход При подключении к краям полупроводника
- 11. Односторонняя проводимость p-n - перехода Как
Полупроводники Полупроводники – элементы IV группы таблицы Менделеева Наиболее часто используются Ge,Si При нагревании полупроводников их электрическое сопротивление падает, а не возрастает, как у металлов R T T R Проводники
Слайд 2Полупроводники
Полупроводники – элементы IV группы таблицы Менделеева
Наиболее часто используются Ge,Si
При нагревании
полупроводников их электрическое сопротивление падает, а не возрастает, как у металлов
R
T
T
R
Проводники
Полупроводники
Слайд 3Строение полупроводников
При небольшой температуре все атомы полупроводника жестко связаны ковалентной парноэлектронной
связью. Свободные носители заряда отсутствуют, и сопротивление полупроводника бесконечно высоко
Слайд 4Строение полупроводников
При нагревании часть связей разрывается и некоторые электроны становятся свободными.
На том месте, где были электроны, появляются положительные заряды - дырки
+
+
+
Свободные
электроны
Дырки
Слайд 5Строение полупроводников
Под действием электрического поля электроны начинают двигаться в одну сторону,
а дырки – в противоположную, и через полупроводник течет ток.
+
+
+
+
-
Слайд 6Строение полупроводников
Для обогащения полупроводника свободными электронами используют донорные примеси – пятивалентный
мышьяк As.
Полупроводники с избыточными электронами называются полупроводниками
n-типа
Полупроводники с избыточными электронами называются полупроводниками
n-типа
Слайд 7Строение полупроводников
Для обогащения полупроводника свободными дырками используют акцепторные примеси – трехвалентный
индий In.
Полупроводники с избыточными дырками называются полупроводниками
P-типа
Полупроводники с избыточными дырками называются полупроводниками
P-типа
+
Слайд 8Примесная проводимость
+
«Лишние электроны в полупроводниках n-типа и «лишние»
дырки в полупроводниках
р-типа обеспечивают
ПРИМЕСНУЮ ПРОВОДИМОСТЬ
ПРИМЕСНУЮ ПРОВОДИМОСТЬ
Слайд 9Электронно-дырочный переход
При сплаве двух полупроводников разного типа на их границе возникает
электронно-дырочный переход (p-n – переход)
При отсутствии напряжения на краях полупроводника в месте перехода существует собственное поле Е’, зона перехода обеднена носителями заряда и имеет большое сопротивление
При отсутствии напряжения на краях полупроводника в месте перехода существует собственное поле Е’, зона перехода обеднена носителями заряда и имеет большое сопротивление
p
n
p
n
Е’
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
Запирающий слой
Слайд 10Электронно-дырочный переход
При подключении к краям полупроводника напряжения таким образом (прямое подключение),
через зону перехода течет ток, она сужается и ее сопротивление резко падает. Через полупроводник идет большой ток.
При обратном включении внешнее поле усиливает поле запирающего слоя, запирающий слой увеличивается в размерах. Через полупроводник ток почти не идет.
При обратном включении внешнее поле усиливает поле запирающего слоя, запирающий слой увеличивается в размерах. Через полупроводник ток почти не идет.
p
n
+
-
I
p
n
+
-
Слайд 11Односторонняя проводимость
p-n - перехода
Как видно, p-n – переход проводит ток
только в одном – прямом направлении.
Это свойство перехода лежит в основе полупроводниковых диодов – устройств, проводящих ток только в одном направлении.
Это свойство перехода лежит в основе полупроводниковых диодов – устройств, проводящих ток только в одном направлении.
I
U
Вольт-амерная характеристика
полупроводникового диода
