Безліч косметичних змін, але чотири основні поліпшення DDR4 SDRAM:
Більш низька робоча напруга
Збільшення енергозбереження
Збільшення частоти
Ущільнення мікросхем
Електрод із малою роботою виходу, який інжектує електрони.
Шар органічного напівпровідника, з високою провідністю для електронів.
Рекомбінація електрона й дірки, з утворенням екситона й випромінювання кванта світла.
Шар органічного напівпровідника, з високою провідністю для дірок.
Прозорий електрод, звідки інжектуються дірки.
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть