Материалы и компоненты электронной техники. (Лекция 1) презентация

свойства материалов и влияние на них внешних факторов;
области применения материалов электронной техники.

года

размером 380 мкм, показанный на рисунке справа. Вверху на рисунке справа показана головка булавки (1959 г., Калифорнийский технологический ин-т)

в электрическом поле:
-полупроводники;
-диэлектрики;
-проводники.

(полярная и неполярная);
-донорно-акцепторная;
-металлическая;
-молекулярная (Ван-дер-Ваальса)

обнаружения электрона, называется орбиталью

по знаку) спинами, и лишь после того, как одиночные электроны займут все орбитали происходит окончательное их заполнение

Проводник

направленность и насыщаемость

отталкивания обусловлена принципом запрета Паули
Особенности: отсутствие направленности и насыщаемости

2. Журавлева Л.В. «Электроматериаловедение», Из-во М., ACADEMIA, 2004 г.
3. Казанцев А.П., «Электротехнические материалы», Мн., «Дизайн ПРО», 1998, 2001.
4. Пасынков В.В., Сорокин В.С., «Материалы электронной техники», М., Высш.школа, 1986, 1980.
5. Горелик С.С., Дашевский М. Я., «Материаловедение полупроводников и
диэлектриков», М., Металлургия, 1988.
6. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев В.М., «Электротехнические материалы». Энергоатомиздат, 1985.
7. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов»., М., Высш.школа., 1983, 1990.
8. Казанцев А.П. «Радиотехнические материалы», Метод. пособие, ротапринт БГУИР, 1993.

и связь, 1991.
10. Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С., «Основы микроэлектроники», Высш.школа, 1991.
11. Ефимов И.Е., Козырь Л.Я., Горбунов Ю.М., «Микроэлектроника», М., Высш.школа, 1986.
12. «Технология СБИС» под ред. Ю.Д.Чистякова, М., Мир, 1986.
13. И.П.Степаненко, «Основы микроэлектроники», М., Сов.радио,1980, 2000.