- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7) презентация
Содержание
- 1. Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7)
- 2. Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов ( 1 )
- 3. ВАХ подзатворного диэлектрика ( 1 )
- 4. Токи через диэлектрик Плотность тока Напряжение
- 5. Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика АЛТЕРНАТИВНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК ( 1 )
- 6. Эквивалентная толщина диэлектрика
- 7. Влияние диэлектрической проницаемости на физическую толщину диэлектрика ( 3 )
- 8. Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и
- 9. High – k диэлектрики ( 4 )
- 10. Уменьшение подвижности носителей в канале в МОПТ с high-k диэлектриками ( 4 )
- 11. Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла
- 12. Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры
- 13. Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной
- 14. Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной
- 15. Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на
- 16. Влияние краевых эффектов на максимальную толщину high-k диэлектриков ( 6 )
- 17. Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и
- 18. Влияние диэлектрической проницаемости на поле стока в канале МОПТ ( 3 )
- 19. Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с
- 20. Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от
- 21. Значения работы выхода для металлов ( 3 )
- 22. Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и
- 23. Микрофотография структуры с high – k диэлектриком ( 4 )
- 24. Литература 1. MOS Scaling: Transistor Challenges for
Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов ( 1 )
Слайд 5Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика
АЛТЕРНАТИВНЫЙ
ДИЭЛЕКТРИК
( 1 )
Слайд 6Эквивалентная толщина диэлектрика
Тэ = Tд х кок/кд
Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния)
Тд - толщина high-k диэлектрика
кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния
Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния)
Тд - толщина high-k диэлектрика
кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния
Слайд 8Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и физическую толщины
Толщина промежуточного окисла
1 моносой
( 3 )
Слайд 11Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла
Толщина промежуточного окисла, нм
Подвижность
( 4
)
Слайд 12Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры high-k диэлектрика
Эквивалентная толщина
1 нм
( 3 )
Слайд 13Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной толщины подзатворных диэлектриков с
промежуточным окислом
( 5 )
Слайд 14Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной зоны
Диэлектрическая проницаемость
( 5 )
Слайд 15Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на токи утечки для различных
эквивалентных толщин
ЕОТ ( ангстремы )
( 5 )
Слайд 17Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и DIBL- эффект
Диэлектрическая проницаемость
Пороговое
напряжение, В
( 6 )
Слайд 19Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с различной проницаемостью
Ток, стока
мА
Напряжение на затворе, В
( 3 )
Слайд 20Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от толщины промежуточного оксида
Диэлектрическая проницаемость
Толщина
промежуточного окисла, ангстремы
( 5 )
Оптимальная область
Краевые эффекты
Минимальная толщина
Ограничения по толщине Хд
= 1,2 нм
Слайд 22Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и металлическим затвором
Ограничение высокотемпературных процессов
Уменьшение
токов утечки
Ограничение диффузии
кислорода для уменьшения эквивалентной толщины
Регулирование работы выхода
Предотвращение диполей
Утонение слоя окисла
Удаление примесей
Уменьшение концентрации
кислорода
для снижения
эквивалентной толщины
Планарность границы раздела
Предотвращение
диффузии металла
Предотвращение
кислородных вакансий
Уменьшение поверхностных состояний
Предотвращение реакции
кремний - high-k- диэлектрик
( 3 )
Слайд 24Литература
1. MOS Scaling: Transistor Challenges for the21st Century. Intel Technology Journal
03\98
2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS
3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011.
5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008
6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance
2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS
3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011.
5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008
6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance
