- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Формирование карманов КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) интегральных схем. (Лекция 5) презентация
Содержание
- 1. Формирование карманов КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) интегральных схем. (Лекция 5)
- 2. Карманы в КМОП структуре [ 1 ]
- 3. Влияние температуры и среды на перераспределение примеси
- 4. Самосовмещение охранных областей при формировании ретроградного кармана
- 5. Карманы в КМОП структуре [ 1
- 6. КМОП структура с тремя карманами [ 3 ]
- 7. Дополнительные распределения примеси в диффузионном кармане
- 8. Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля
- 9. Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей
- 10. Различные виды распределения примеси в кармане [ 4 ]
- 11. Карман с ретроградным распределением примеси Концентрация Глубина, мкм [ 4 ]
- 12. Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси и величины электрического поля
- 13. ВАХ рМОП транзистора для карманов разного типа
- 14. Зависимость тока утечки от длины канала
- 15. Зависимость длины канала, определяемой током утечки, от
- 16. Эффект «защелкивания» в КМОП структуре [ 5 ]
- 17. Зависимость порогового напряжения МОПТ от концентрации примеси
- 18. Зависимость пороговых напряжений МОПТ от дозы легирования
- 19. Дополнительное легирование кармана [ 4 ]
- 20. Влияние дозы ионной имплантации примеси на напряжение смыкания ОПЗ истока-стока [ 7 ]
- 22. Суперкрутой профиль распределения индия в р-кармане
- 23. Функции отдельных областей кармана п-типа Контроль
- 24. Формирование карманов
Слайд 3Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
(N в кремнии/N в оксиде)
Коэффициент
сегрегации
1017 см-3
ДА Нет
Инверсный канал
Слайд 4Самосовмещение охранных областей при формировании ретроградного кармана
1018 1017
Ионная имплантация бора
Инверсный канал
Охранная
область
Самосовмещенная структура
p
Латеральная
диффузия бора
Слайд 7
Дополнительные распределения примеси в диффузионном кармане
Диффузионный карман
Подгонка порогового напряжения
Предотвращение
смыкания ОПЗ
[
4 ]
Глубина
Глубина
Глубина
Слайд 13ВАХ рМОП транзистора для карманов разного типа
[ 6 ]
1 – ретроградный
карман
2 – традиционный карман
2 – традиционный карман
Слайд 15Зависимость длины канала, определяемой током утечки, от порогового напряжения
( : )
Ток
утечки 1 нА/мкм
Слайд 17Зависимость порогового напряжения МОПТ от концентрации примеси
Поликремниевый n+ затвор
[ 4 ]
Уровень
легирования подложки, см -3
Слайд 18Зависимость пороговых напряжений МОПТ от дозы легирования
Доза фосфора, имплантированного в n-карман
[
4 ]
Доза имплантированного бора * 1011, см-2
Слайд 19Дополнительное легирование кармана
[ 4 ]
Подгонка порогового напряжения
Формирование охранной области от смыкания
ОПЗ
Слайд 21
Зависимость уровня легирования области для предотвращения смыкания ОПЗ от технологического поколения
Технологические поколения нм
Концентрация
[ 7 ]
Слайд 22Суперкрутой профиль распределения индия в р-кармане
Высокая подвижность
Большой ток насыщения
Предотвращение смыкания ОПЗ
Концентрация
Глубина
[
4 ]
Слайд 23Функции отдельных областей кармана п-типа
Контроль порогового напряжения
Контроль толщины канала
Емкость исток-сток
Контроль
горячих
носителей
Предотвращения защёлки
Уменьшение токов утечки
Предотвращение смыкания
ОПЗ исток-сток
Стоп-канал
[ 4 ]
