Электроника и информационно-измерительная техника. Допуск к экзамену презентация

Содержание

1. Электроника и информационно-измерительная техника. Допуск к экзамену
2. Допуск к экзамену Набрать не менее 18
3. Расчёт оценки на экзамен где:
4. Расчёт баллов 0 – если дан ответ
5. Если , то есть право ответа
6. Модуль 1 Компоненты электроники и простейшие схемы
7. Тема 0 Основные понятия и определения электроники
8. Печатная плата Интегральная микросхема (микроконтроллер) Конденсатор Постоянный
9. Тема 1 Резисторы, конденсаторы и дроссели Модуль 1
10. Резисторы Обозначения на схемах
11. Постоянные резисторы для классического монтажа Постоянные резисторы для поверхностного монтажа Основные параметры: Rном, Рном
12. Регулировочный резистор Подстроечные резисторы
13. Схема замещения переменного резистора
14. Конденсаторы По конструкции Цилиндрические Пластинчатые По типу
15. Конденсаторы для классического монтажа Конденсаторы для поверхностного монтажа Основные параметры: Сном, Uном
16. Дроссели
17. Выпрямительные и импульсные диоды Тема 2
18. Условные обозначения
19. Выпрямительные диоды Импульсный диод
20. P-n переход в режиме прямого смещения
21. P-n переход в режиме обратного смещения
22. Анимация. Диод в прямом включении. Анимация. Диод в обратном включении.
23. Вольтамперная характеристика диода
24. Диодный мост Основные параметры выпрямительных и импульсных диодов: Iпр.макс, Uобр.макс
25. Тема 3 Светодиоды и фотодиоды
26. Условные обозначения Светодиоды Фотодиод
27. Схема включения светодиода Светодиодный индикатор
28. Схема включения фотодиода Фотореле
29. Солнечные батареи
30. Схема солнечной батареи
31. Тема 4 Биполярные транзисторы
32. Уильям Шокли Уолтер Браттейн Джон Бардин 1947 год
34. Транзисторы Биполярные Полевые p-n-p n-p-n n-канал p-канал КТ3102
35. Внутренняя структура биполярного транзистора
36. Основные параметры биполярного транзистора: Соотношения между
37. Полевые транзисторы Тема 5
38. MOSFET - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
39. Внутренняя структура полевого транзистора
40. IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor
41. Тиристоры Тема 6
43. Тиристоры Однооперационные Двухоперационные Динисторы Симисторы Управляемые по
44. Конструкция тиристора, управляемого по катоду
45. Семейство вольтамперных характеристик тиристора Схема замещения тиристора
46. Тема 7 Интегральные микросхемы
47. Chip – интегральная микросхема
48. Конструкция микросхемы
49. Параметры микросхем Степень интеграции Технологический уровень
50. Кристалл микросхемы со средней степенью интеграции
51. Кристалл микросхемы со сверхбольшой степенью интеграции
52. Этапы фотолитографии

Допуск к экзамену Набрать не менее 18 баллов из 20 в тренировочных тестах по модулям №1 и №2 на учебном портале. 2. Сделать лабораторные работы и сдать по ним

Главная
Разное
Электроника и информационно-измерительная техника. Допуск к экзамену

Слайд 1Электроника и информационно-измерительная техника
Лектор:
Зализный Дмитрий Иванович
доцент кафедры «Электроснабжение», а. 2-327
Отчётность: экзамен

Слайд 2Допуск к экзамену
Набрать не менее 18 баллов из 20 в тренировочных

тестах по модулям №1 и №2 на учебном портале.

2. Сделать лабораторные работы и сдать по ним отчёты.

3. Пройти контрольный тест в университете, набрав не менее 7 баллов из 20. С собой иметь чистый лист бумаги, ручку, инженерный калькулятор (телефоны запрещены) и документ с фотографией.

Слайд 3Расчёт оценки на экзамен
где:
- балл, набранный на контрольном тесте;

- баллы, набранные, соответственно, при ответе на 1 и 2 вопросы в экзаменационном билете;

- баллы, набранные при ответе на дополнительные вопросы.

Слайд 4Расчёт баллов
0 – если дан ответ менее чем на 50% объёма

вопроса;

1 – если дан ответ от 50% до 75% объёма вопроса;

2 – если дан ответ более чем на 75% объёма вопроса.

Слайд 5Если
, то есть право ответа на дополнительные вопросы.

0 – если

дан ответ менее чем на 75% объёма вопроса;

1 – если дан ответ более чем на 75% объёма вопроса.

На следующий дополнительный вопрос есть право ответа, только если получен 1 балл на предыдущий вопрос.

Дополнительные вопросы