7.
Диоды Ганна
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Диоды Ганна презентация
Содержание
История открытия (диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод;
TED – Transferred-Electron Device) Идею получения отрицательной дифференциальной проводимости предложили Ридли и Уоткинс в 1961 г. Генерацию СВЧ колебаний в образце GaAs
Слайд 1
НИУ МЭИ
Кафедра Полупроводниковой электроники
Дисциплина:
Полупроводниковые СВЧ приборы
Рис. 40 в
Тема
Слайд 2История открытия
(диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод;
TED – Transferred-Electron Device)
Идею
получения отрицательной дифференциальной проводимости предложили Ридли и Уоткинс в 1961 г.
Генерацию СВЧ колебаний в образце GaAs наблюдал Ганн в 1963 г.
Связь наблюдаемого явления с предложенной ранее моделью установил Кремер в 1964 г.
Генерацию СВЧ колебаний в образце GaAs наблюдал Ганн в 1963 г.
Связь наблюдаемого явления с предложенной ранее моделью установил Кремер в 1964 г.
Рис. 40 г
После работы Кремера новые приборы начали бурно развиваться
Слайд 3Рис. 41 а
Ev
Eg
Ec1
Ec2
E
k
Δ
Eg ≈ 1,45 эВ;
Зонная структура GaAs
Δ ≈ 0,36 эВ
μ
1 = 8000 см2 /(В с);
μ 2 = 180 см2 /(В с)
T = 300 K ;
Образец n-типа
Слайд 4Рис. 41 б
3. E ≈ Δ ; μ d < 0
; σ d < 0
Формирование участка отрицательной диффер. проводимости
Слайд 6
i
t
1
2
3
4
5
В однородном образце повышаем U0
до ℰa · L (пунктир)
Зарождение домена у катода
Движение и рост домена
Движение стационарн. домена
Выход домена в анод
Зарождение нового домена
Флуктуации тока в образце в пролетном режиме
Рис. 43 а
Слайд 9Доменные режимы работы диода Ганна
Пролетный режим. Изменение U мало; η мал;
Δ f ≈ 0.
2. Режим подавления (гашения) домена. Домен исчезает, не доходя до анода, из-за снижения U. η ≤ 15 %; Δ f ≈ n %.
3. Режим задержки домена. Домен исчезает в аноде, но образование следующего задерживается на часть периода. η ≤ 30 %; Δ f ≈ n %.
Рис. 44 б
