for Ln1-yMyXO3;
- датчики магнитного поля и тока – пороговая чувствительность 1 мкЭ (фирма NVE CBMP);
- датчики магнитного поля и тока [Solid State Phenomena, v. 154, (2009)];
- магниторезистивные датчики (фирма Honeywell);
- четырёх - мегабитное энергонезависимое спин –туннельное магниторезистивное запоминающее устройство полупроводникового типа (фирма Motorola );
- катоды (SOFC) - твердотельных оксидных топливных элементов.
1994 г. –открытие МРЭ в La-Ca-MnO пленках Jin S., Tiefel T. H. et al. Appl. Phys. Lett. v. 64, (1994).
1950 – Jonker G. H., Van Santen J. H. Physica. Vol.16. (1950).
Нагаев Э. Л., УФН, т. 166, (1996);
C. М. Дунаевский, ФТТ, т. 46, (2004).