В.И.
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Численное моделирование СВЧ нагрева многослойных диэлектриков презентация
Содержание
- 1. Численное моделирование СВЧ нагрева многослойных диэлектриков
- 2. Цель и актуальность. Цель: Построить численную модель
- 3. Физическая постановка задачи Диэлектрик: трехслойная структура, где
- 4. Падение и отражение СВЧ лучей на слои диэлектриков Рис. 1. схематическая модель диэлектрика
- 5. Определение коэффициентов прохождения и отражения Комплексная амплитуда
- 6. Система 1. Система уравнений для определения коэфиценов прохождения и отражения
- 7. Температурное поле в плоскослоистой структуре Начальные и граничные условия выбираются в виде : Система 2.
- 8. (5). ( 4). (3). (2). (1). m=1,2,3.
- 9. (8). (7). (6). Уравнение теплового баланса для
- 10. (11). (10). (9). разностное уравнение для внутренних
- 11. (13). (12). Записав уравнение теплового баланса для
- 12. Распределение температуры в трехслойной структуре (Время нагрева 5 минут) График 1.
- 13. Распределение температуры в трехслойной структуре (Время нагрева 10 минут) График 2.
- 14. Построена и исследована численным методом математическая модель
Цель и актуальность. Цель: Построить численную модель СВЧ нагрева многослойных диэлектриков Актульность: избирательный, равномерный, сверхчистый, саморегулирующейся нагрев
Слайд 1Численное моделирование СВЧ нагрева многослойных диэлектриков
ВЫПОЛНИЛ: ЕПАНЕЧНИКОВ И.Л.
РУКОВОДИТЕЛЬ ВКР: АНФИНОГЕНТОВ
Слайд 2Цель и актуальность.
Цель: Построить численную модель СВЧ нагрева многослойных диэлектриков
Актульность: избирательный, равномерный,
сверхчистый, саморегулирующейся нагрев
Слайд 3Физическая постановка задачи
Диэлектрик: трехслойная структура, где две пластины соединяются между собой
клеющем веществом.
и
Значит слой клея будет нагреваться быстрее, чем другие слои.
У клея ускорится процесс полимеризации
и
Значит слой клея будет нагреваться быстрее, чем другие слои.
У клея ускорится процесс полимеризации
Слайд 5Определение коэффициентов прохождения и отражения
Комплексная амплитуда напряженности магнитного поля
- волновое сопротивление
воздуха
Комплексные амплитуды полей в i-ом слое:
Слайд 7Температурное поле в плоскослоистой структуре
Начальные и граничные условия выбираются в виде
:
Система 2.
Слайд 8(5).
( 4).
(3).
(2).
(1).
m=1,2,3.
Для построения консервативной разностной схемы в одномерной области
вводится в каждом
слое равномерная по координате z сетка
Слайд 9(8).
(7).
(6).
Уравнение теплового баланса для элементарной ячейки
Обозначим
значения температуры в узлах сетки
Где
-тепловые потоки
на границах элементарной
ячейки
ячейки
Слайд 10(11).
(10).
(9).
разностное уравнение для внутренних точек
разностное уравнение для
левой границы:
Для элементарной ячейки, содержащей
узел, принадлежащий границе слоев,
разностное уравнение имеет вид
разностное уравнение имеет вид
m=2,3
Слайд 11(13).
(12).
Записав уравнение теплового баланса для элементарной ячейки
прилегающей к правой левой
границе области, получим разностное уравнение для правой границы:
Начальные условия записываются в виде
Слайд 14Построена и исследована численным методом математическая модель СВЧ нагрева многослойных диэлектриков.
Заключение.
Получены
распределения температуры в трехслойной структуре через 5 и 10 минут после начала СВЧ воздействия
