Презентация на тему МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Fe/Si ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКИМ ИСПАРЕНИЕМ В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ.

Презентация на тему МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Fe/Si ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКИМ ИСПАРЕНИЕМ В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ., предмет презентации: Разное. Этот материал содержит 11 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Текст слайда:

МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Fe/Si
ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКИМ ИСПАРЕНИЕМ В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ.

к.т.н. Варнаков С.Н.

Работа проводилась при активном участии: С.Г. Овчинникова, А.С. Паршина, С.В. Комогорцева, Г.С. Патрина, Н.В. Волкова, Е.В. Еремина, А.А. Лепешева, D. Rafaja, L. Kalvoda, А.Д. Балаева, Г.В. Бондаренко М.М. Коршунова, J. Bartolomé, J. Sesé, P. Nevoral.

Лаборатория ФМЯ ИФ СО РАН
Кафедра ТФ СибГАУ


Слайд 2
Текст слайда:

Цель работы:

Усовершенствование сверхвысоковакуумной технологии на базе технологического комплекса «Ангара» для воспроизводимого получения систем нанометрового диапазона магнитных (Fe) и полупроводниковых материалов (Si), а также in situ определения толщины, элементного и химического состава полученных систем. Определение влияния технологических условий на структурные, химические и магнитные свойства получаемых пленочных систем.


Слайд 3
Текст слайда:

Программно-аппаратное управление сверхвысоковакуумным технологическим комплексом

ЭПМ – камера эпитаксии элементарных полупроводников, металлов и диэлектриков;
ЭПС – камера эпитаксии полупроводниковых соединений; ПАП – камера анализа и подготовки подложек;
ЗиВП – камера загрузки и выгрузки подложек;
ШЗ – шиберный затвор;
М - манипулятор;
ИМ – испарительный модуль;
НП – нагреватель подложки;
ИВ – ионизационный вакуумметр; МРН – магниторязрядный насос; БК – блок контроля вакуумной системы;
ДОБЭ – дифрактометр отраженных быстрых электронов; ВК – видеокамера;
ЭОС – электронный оже-спектрометр;
БЛЭ – быстродействующий лазерный эллипсометр.

Приборы и техника эксперимента, 2004 №6., с. 125-129. С.Н.Варнаков и др.


Слайд 4
Текст слайда:

ПАРАМЕТР ПСИ КАК ФУНКЦИЯ ВРЕМЕНИ
В ПРОЦЕССЕ РОСТА Fe/Si/Fe СТРУКТУРЫ

Участки AB, BC, CD соответствуют росту отдельных слоев железа, кремния и железа.

Si

Fe(10nm)

Fe(10nm)

Приборы и техника эксперимента, 2004 №6., с. 125-129. С.Н.Варнаков и др.


Слайд 5
Текст слайда:

Euro-Asian symposium “Trends in magnetism”
Krasnoyarsk, 2004., p. 318. А.С. Паршин и др.

Низкоэнергетический участок оже - спектра от структуры Si(100 А) / Fe(5 А)

Низкоэнергетический участок оже - спектра от структуры Si(100 А) / Fe(15 А)


Слайд 6
Текст слайда:

МАЛОУГЛОВАЯ ДИФРАКЦИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ Fe-Si

Письма в ЖТФ, 2005, том 31, вып. 22. с. 1-8. С.Н.Варнаков, А.С. Паршин и др.

D. Rafaja, Institute of Physical Metallurgy, TU Bergakademie Freiberg, Germany


Слайд 7
Текст слайда:

Зависимости энергии межслоевого взаимодействия от толщины ферромагнитного слоя для пленок с кремниевой прослойкой tSi = 2 nm.
1 – Т = 200 К, 2 – Т = 300 К.

Письма в ЖЭТФ,2004, том 80, вып. 7. с. 560-562. Г.С.Патрин, Н.В. Волков и др.

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ФЕРРОМАГНИТНОГО СЛОЯ НА МЕЖСЛОЕВОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ПЛЕНКАХ Fe/Si/Fe


Слайд 8
Текст слайда:

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ НОРМИРОВАННОЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ НАСЫЩЕНИЯ ПЛЕНОК [Fe(x)/Si(1.5nm)]×2/Fe(x)/Si(10nm)

J. Bartolomé, Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon, Zaragoza , Spain


Слайд 9
Текст слайда:

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ФЕРРОМАГНИТНОГО СЛОЯ НА НАМАГНИЧЕННОСТЬ ПЛЕНОК СИСТЕМЫ Fe/Si

Варнаков С.Н., Комогорцев С.В., Институт физики им Л.В. Киренского СО РАН


Слайд 10
Текст слайда:


ОЦЕНКА НАМАГНИЧЕННОСТИ НАСЫЩЕНИЯ М0 И ТОЛЩИНЫ ХИМИЧЕСКОГО ИНТЕРФЕЙСА МЕЖДУ СЛОЯМИ Fe И Si.


Слайд 11
Текст слайда:

ВЫВОДЫ

1. Модернизирован комплекс технологического оборудования на базе многомодульной установки «Ангара».
2. Отработана технология воспроизводимого получения однослойных и многослойных структур на основе Fe и Si на различных подложках. Получены многослойные наноструктуры системы (Fe/Si)N , где варьировались такие параметры, как N = 1, 2, … 10; толщина кремния 1 нм ≤ dSi ≤ 350 нм, а также толщина железа 1 нм ≤ dFe ≤ 20 нм.
3. С помощью методов электронной спектроскопии, лазерной эллипсометрии in situ контролировались элементный и химический состав, толщины получаемых слоев. Структурные характеристики были определены ex situ методом малоуглового рентгеновского рассеяния.
4. Исследованы трехслойные магнитные пленки Fe/Si/Fe методом магнитного резонанса. Обнаружен эффект влияния толщины ферромагнитного слоя на величину межслоевого взаимодействия.
5. Определены основные магнитные параметры для пленочных структур, получаемых с помощью модернизированной установки «Ангара». Определены пределы существования намагниченности насыщения М0 и толщины химического интерфейса между слоями Fe и Si.


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика