Б.Г.ГольденбергLIGA-технология: базовые принципы и применение презентация

Содержание

СИ – уникальный технологический инструмент ВЭПП-3 Е= 2 ГэВ Н= 20 кГс

Слайд 1Б.Г.Гольденберг LIGA-технология: базовые принципы и применение


Слайд 2СИ – уникальный технологический инструмент

ВЭПП-3
Е= 2 ГэВ
Н= 20 кГс


Слайд 3+ коллимированность
+ интенсивность
+ проникающая способность
+ непрерывный спектр
+ расчет спектрально-угловых

характеристик

СИ – уникальный технологический инструмент

~ 0.2 мрад

~ 1-10 Вт/см2 на раст. 20 м

>1 мм

УФ λ=3650 А

СИ
λ=2 А


Слайд 4СИ – уникальный технологический инструмент
аналитические приложения: РФА, МУРР, EXAFS…

технологические приложения: рентгеновская

литография

Слайд 5Рентгенолитография: Воздействие СИ на полимеры
Полиметилметакрилат (позитивный)

SU-8 негативный


C

H

2

O

C

C

H

3

C

O

C

H

3

C

H

2






C

H

2

O

C

C

H

3

C

O

C

H

3

C

H

2









C

O

2

C

H

3



C

H

4

, C

H

3

O

H

C

O

2

, C

O

C

H

2

C

C

H

3

C

H

2





C

H

2

C

C

H

3

C

H

2








e

-

e

-





e

-




C

H

2


C

C

H

3

C

O

C

H

3

O

C

H

2

O

C

C

H

3

C

O

C

H

3

C

H

2

O

C

H

рентген, е-, е+,

}

C

3

2

C

O

H

C

C

3

H

1



2

1



2


Слайд 6Рентгенолитография: Воздействие СИ на ПММА
kJ/cm3
Mw, g/mol
Зависимость растворимости ПММА от дозы облучения


Слайд 7
Рентгенолитография:
полиметилметакрилат (ПММА)
Позитивный резист
SU-8 (производства Microchem)
Негативный резист
доза для формирования структуры
ПММА

SU-8
3500 Дж/см3 30 Дж/см3

Минимальная доза 700 Дж/см3 1 Дж/см3

*

контраст
К>50


Нормализованная толщина


Слайд 8
Рентгенолитография:
полиметилметакрилат (ПММА)
Позитивный резист
SU-8 (производства Microchem)
Негативный резист
*
Нормализованная толщина
Оптимизация резистов: чувствительность, однородность

по молекулярной массе, разрешающая способность, стабильность

Слайд 9Рентгенолитография:
1

2


Слайд 10LIGA=Lithografie+Galvanik+Abformung


Слайд 11Изготовление микроструктур
LIGA-процесс был разработан в 1980-х гг в IMT Forschungszentrum Karlsruhe

(Институт микроструктур, Карлсруэ, Германия), как способ производства микро-сопел для разделения изотопов урана

LIGA-процесс - метод изготовления глубоких микроструктур посредством последовательного применения глубокой рентгенолитографии, микрогальванопластики и формовки.


Слайд 12Микросистемная техника
Термо-пневматический
насос
Измеритель потока
Призматические и параболические
Линзы для рентгеновского излучения
http://www.imt.kit.edu
Элементы прецизионной микромеханики
http://micro-works.de/products.html


Слайд 13Микросистемная техника
Микрофлюидные модули
Abhishek K Agarwal. et.al.
J. Micromech. Microeng. 16 (2006)

332–340

характерные размеры структур: 10-100 мкм высота 10-1000 мкм
минимальные размеры элементов: 1-10 мкм
шероховатость : ~ 10 нм !!!

электромагнитные устройства


Слайд 14Микросистемная техника
Формирование в ПММА линзы Френеля с глубоким (до 15 мкм)

микрорельефом методом динамической рентгенолитографии



Слайд 15Изготовление микроструктур
50 мкм
50 мкм
Станки ЧПУ

электроискровая резка

Слайд 16Изготовление микроструктур
электронная литография, Е=30 кэВ
минимальные размеры:


Слайд 17Изготовление микроструктур
фотолитография
УФ λ=3650 А
минимальные размеры: < 1-5мкм
высота ~10 мкм
дифракция!!!


Слайд 18Чистая комната: класс 5 ISO

м3

чистка подложек
обработка резистов

Плазмохимия электронное и магнетронное нанесение

установка микрополирования

СЭМ Hitachi S3400N


Технологический комплекс LIGA в ИЯФ СО РАН:

центрифуга


Слайд 19Чистая комната:


Слайд 20Чистая комната: Установка полирования POLI-100
чистка
планаризация
полировка


Слайд 21Чистая комната: центрифуга Spincoater Model P - 6708D нанесение полимерных пленок до

100 мкм

Слайд 22Чистая комната: установка плазмохимии и магнетронного напыления BookEdwards и вакуумная печь


Слайд 23Чистая комната: участок оптической и электронной микроскопии


Слайд 24Схема станции LIGA на канале вывода СИ из накопителя ВЭПП-3
Технологический комплекс

LIGA в ИЯФ СО РАН:



Слайд 25Внешний вид и компоновка станции LIGA на канале вывода СИ из

накопителя ВЭПП-3

Станция LIGA ВЭПП-3



Слайд 26компоновка внутреннего объема станции LIGA
на канале вывода СИ из накопителя

ВЭПП-3

входное окно (Ве 300 мкм)
Держатель рентгеношаблона
XYZ координатный столик
Держатель облучаемого образца
XYφ координатный столик
видеокамера

Станция LIGA ВЭПП-3

СИ


Слайд 27Расчетное спектральное распределение мощности СИ, поглощенной в резисте ПММА
в медианной плоскости

(φ=0) на расстоянии 20 м от точки излучения,
Е=2 ГэВ, Н=20 кГс, I=100 mA



Синхротронное излучение для LIGA


Слайд 28Общий вид станции ГРЛ
КИСИ, Москва.
[http://www.kcsr.kiae.ru/stations/k6.3.php]
Станция экспонирования DEX02 производства JenOptik GmbH, Jena,

Germany на канале LIGA-2, ANKA, Karslrue (Germany). [http://ankaweb.fzk.de/instrumentation_at_anka/beamlines.php]

LIGA-станции в иных центрах СИ


Слайд 29Рентгеношаблон– рисунок из рентгенопоглощающего материала на подложке прозрачной для рентгеновского излучения

используемого спектрального диапазона.

подложка шаблона

поглотитель


Создание и исследование рентгеношаблонов для ГРЛ


? выбор материалов подложки, резистов, поглотителя;
? формирование рисунка микроструктуры;
? формирование рентгеноконтрастного покрытия.


Слайд 30Основные этапы изготовления рентгеношаблона :
формирование резистивной маски на проводящей

подложке,
электрохимическое осаждение поглощающего слоя.

Полимерная маска на подложке

Гальванопластика
золота

Создание и исследование рентгеношаблонов для ГРЛ


Слайд 31а) Электронная литография в 3 мкм резисте ПММА

б) После проявления резиста гальванически

Изготовление промежуточного рентгеношаблона в IMT/KIT

осаждается 2.2 мкм слой золота и удаляется оставшийся резист.

[ http://x-ray-optics.de ]

в) рентгенолитография в «мягком» СИ через промежуточный РШ в 60 мкм слой резиста ПММА на титановой подложке;

г) проявления резиста гальванически осаждается 25 мкм слой золота на подложку из 2 мкм титана и удаляется оставшийся резист





Изготовление рентгеношаблонов для ГРЛ в IMT/KIT, Karlsrue (Germany)


Слайд 32Формирование структуры РШ в ИЯФ СО РАН


Слайд 33


SU-8
стеклоуглерод
ИЯФ: Формирование структуры РШ с помощью

фотолитографии

Фотошаблон
ИФП СО РАН, ИАиЭ СО РАН


Слайд 34Формирование структуры РШ с помощью фотолитографии
Фотолитографическое формирование струкутры шаблона:
+ простота
+ низкая себестоимость
-

Дифракционные уширения, искажения элементов рисунка

Re SU-8

10 мкм



Слайд 35Рентгенолучевой микролитограф для формирования заготовки рентгеношаблона
Способ рентгенолучевого формирования топологи РШ для

глубокой рентгеновской литографии
без использования дорогостоящих этапов электронной литографии, изготовления промежуточного рентгеношаблона и рентгенолитографии в «мягком» спектре СИ для получения рабочего РШ

Слайд 36SU-8

стеклоуглерод



50 мкм

29 мкм

SU-8
Au 20 мкм


Фрагмент заготовки рентгеношаблона – микроструктура из резиста SU-8 высотой 29 мкм на подложке из стеклоуглерода


Рентгеношаблон после осаждения на заготовку слоя золота

гладкие стенки!
прямые углы!

Формирование структуры РШ рентгенолучевым методом

60 мкм


Слайд 37Тестирование рентгеношаблонов
При изготовлении рентгеношаблонов необходимо контролировать такие основные параметры как:

качество рисунка

микроструктуры;

состав рентгенопоглощающего слоя;

контраст РШ.

Контроль рисунка микроструктуры и элементного состава поглощающего слоя осуществлялся с использованием сканирующего электронного микроскопа. Однако СЭМ-изображение не дает информации о внутренних дефектах и контрасте шаблона.


Слайд 38Дополнительная проверка качества РШ проводилась с использованием монохроматического СИ (λ=1.13 Å)

на станции «рентгеновской микроскопии и томографии» накопителя ВЭПП-3 по исследованию контраста рентгеновских изображений.
На рентгеновских микроснимках дефектные участки с недостаточным контрастом представляются светлыми пятнами в темном рентгеноконтрастном поле, а контраст изображения соответствует контрасту рентгеношаблона в данном спектре. Пространственное разрешение микроскопии 2 мкм.


Тестирование рентгеношаблонов на станции «рентгеновской микроскопии и томографии» ВЭПП-3

Au

Пример исследования рентгеноконтраста шаблона

пропускание %

[Гольденберг Б.Г., Купер К.Э., Кондратьев В.И. и др. Экспресс-метод контроля рентгеношаблонов для глубокой рентгенолитографии // XVIII международная конференция по использованию синхротронного излучения, СИ-2010]


Слайд 39Толщина Au ~22mkm
Фотографии рентгеношаблонов, полученные на СЭМ Hitachi S3400N
Изображение, полученное на

станции «Рентгеновская микроскопия» при λ=1.13Ǻ

недостаточный контраст

Тестирование рентгеношаблонов на станции «рентгеновской микроскопии»

Au
SU-8

Au
SU-8

Контраст λ=1.13A ~5

Толщина Au ~ 9 mkm

Контраст λ=1.13A ~50


Слайд 40










1. сканирование 2. мультиплицирование










3. Рентгеновский микролитограф 4.

динамическая литография





Режимы экспонирования



Слайд 41

Изображение пучка СИ на запоминающем экране Image Plate© и его оцифровка
Вертикальное

и горизонтальное распределение мощности пучка СИ в плоскости образца: расчет, при Е=2 ГэВ, H=20 кГс, I=0.05 mА, с учетом 500 мкм бериллиевых фольг,

Генцелев А.Н., Гольденберг Б.Г., Кондратьев В.И. и др. LIGA-станция на накопителе ВЭПП-3 // Поверхность. - 2002. - № 9. - С. 30-35.

Распределение интенсивности СИ на LIGA-станции

4.6 мм


Слайд 42










1. сканирование



Режимы экспонирования
Испольуется при облучении образцов, площадь которых больше

высоты пучка.

Резист и шаблон в единной сборке возратно-поступательно качаются поперек пучка СИ

однородная усредненная доза по всей площади
снижение тепловых нагрузок на образец

Слайд 43
2. мультиплицирование








Режимы экспонирования

многократное повторение элементарного рисунка «ячейки» по большому

полю изделия.
После каждой экспозиции подложка смещается отностительно фиксированного шаблона на заданный шаг и экспозиция повторяется

Слайд 44

3. Рентгеновский микролитограф



Режимы экспонирования
Коллимированный луч СИ используется как «перо» для

рисования структуры в толстом слое высокочувствительного резиста SU-8

Слайд 45










4. динамическая литография



Режимы экспонирования
Скорость растворения облученного позитивного резиста пропорциональна полученной

дозе, т.е. времени облучения локальной точки.
Двигая резист во время облучения относительно шаблона можно добиться неоднородного распределения дозы => 3D профиль

СИ


Слайд 46пробег фотоэлектронов

Reznikova E, Mohr J, Boerner M, et.al. // 2008.

Microsystem Technologies 14

дифракционное разрешение

суммарное отклонение

Влияние дифракции и вторичных электронов на разрешающую способность

ограничение разрешающей способности



Слайд 47LIGA – технология:
задачи: изготовление высокоаспектных микроструктур с уникальными параметрами:
- Минимальные размеры

элементов от 1 мкм
- глубина/высота до 1000 мкм
- шероховатость от 10 нм

технологические этапы: *глубокая рентгенолитография
*гальванопластика
*штамповка
*литьё

обеспечения - источник СИ – накопитель электронов
- автоматизированная станция экспонирования
- участок химической подготовки и обработки
- участок контроля
- изготовление рентгеношаблонов

Слайд 48Пример высокоаспектных структур из SU-8, полученных с использованием созданного рентгеношаблона.
Высота

440 мкм,
ширина линии 40 мкм.

Примеры изготовления микроструктур методом глубокой рентгенолитографии в ИЯФ СО РАН


Слайд 49СЭМ фотографии фрагментов микроканальных модулей из ПММА
Ширина и глубина

каналов 50 мкм

Изготовление микроструктур методом глубокой рентгенолитографии
микрофлюидные системы для экспресс анализа (совместно с ИЦиГ СО РАН)


Слайд 50Формирование в ПММА линзы Френеля с глубоким (до 15 мкм) микрорельефом

методом динамической рентгенолитографии


Изготовление микроструктур методом глубокой рентгенолитографии
Микропрофилированные оптические элементы
(совместно с ИАиЭ СО РАН)


Слайд 51
Сочетание возможности рентгенолитографически формировать микроструктуры в толстых полимерных пленках (100-1000 мкм)

и возможности химически осаждать серебро на поверхность полимера позволяет реализовать новый тип конструкции толстых сеточных структур без подложки – спектрально-селективных элементов ИК и ТГц диапазона (совместно с ИХТТМ СО РАН)


Изготовление микроструктур методом глубокой рентгенолитографии
Элементы квазиоптики для излучения ТГц-диапазона

[ Генцелев А.Н., Гольденберг Б.Г., Зелинский А.Г.,…Кузнецов С.А. и др. Применение LIGA для создания селективных элементов ТГц-диапазона – металлических и псевдометаллических толстых сеточных структур // Рабочее совещание «Рентгеновская оптика – 2010», г. Черноголовка]


Слайд 52Спасибо за внимание !


Слайд 54Принципы LIGA-технологии





LIGA – акроним, составленный из немецких слов:
Litographie,
Galvanoformung
Abformung


литография, гальваника, формовка

http://x-ray-optics.de


Основной процесс LIGA это глубокая рентгеновская литография (ГРЛ) на синхротронном излучении (СИ).

h = 100-1000 мкм
~ 1 мкм
~ 10 нм
вертикальные стенки


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика