Презентация на тему Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Актуальность моей работы Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Распределение примесей
в процессе выращивания мультикристаллического кремния
Выполнила: Клушина Надежда,
студентка

физического факультета, группа 1411
Научный руководитель: Непомнящих А.И., профессор,д.ф.-м.н,
Соруководитель: Пресняков Р.В., научный сотрудник,к.ф.-м.н.,

лаборатория «Физика монокристаллов»
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН
Распределение примесей  в процессе выращивания мультикристаллического кремния  Выполнила: Клушина Надежда,

Слайд 2Актуальность моей работы
Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей

по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является рафинированный металлургический кремний (UMG-Si) с долей основного вещества от 99,9 ат.% до 99,999 ат.%.
Актуальность моей работы 	Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей

Слайд 3Объект нашего исследования —
слитки мультикристаллического кремния,
выращенные из рафинированного металлургического

кремния
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера


Объект нашего исследования —  слитки мультикристаллического кремния,  выращенные из рафинированного

Слайд 4Задачи исследования:
Цели работы:
Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на

приближения полного конвективно-диффузионного перемешивания расплава.

Задачи исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.
Задачи исследования: Цели работы: 	Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного

Слайд 5
 
Теоретический анализ

  Теоретический анализ

Слайд 6Таблица.1.Условия выращивания mc-Si

Таблица.1.Условия выращивания mc-Si

Слайд 8Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка

Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка

Слайд 9


Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной

загрузки mc-Si №3
Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС

Слайд 13
Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и

mc-Si на основе загрузок №1-4

Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и

Слайд 14Заключение
Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при

направленной кристаллизации имеет место как конвективный, так и диффузионный перенос вещества.
Заключение 	Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика