физического факультета, группа 1411
Научный руководитель: Непомнящих А.И., профессор,д.ф.-м.н,
Соруководитель: Пресняков Р.В., научный сотрудник,к.ф.-м.н.,
лаборатория «Физика монокристаллов»
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния презентация
Содержание
- 1. Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния
- 2. Актуальность моей работы Бурный наземной рост солнечной
- 3. Объект нашего исследования — слитки мультикристаллического
- 4. Задачи исследования: Цели работы: Освоение теоретического анализа
- 5. Теоретический анализ
- 6. Таблица.1.Условия выращивания mc-Si
- 7.
- 8. Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка
- 9. Таблица.3 Результаты послойного элементного
- 10. .
- 11.
- 12.
- 13. Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при
- 14. Заключение Установлен характер распределения примесей в слитках
Актуальность моей работы Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С
Слайд 1Распределение примесей
в процессе выращивания мультикристаллического кремния
Выполнила: Клушина Надежда,
студентка
Слайд 2Актуальность моей работы
Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей
по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является рафинированный металлургический кремний (UMG-Si) с долей основного вещества от 99,9 ат.% до 99,999 ат.%.
Слайд 3Объект нашего исследования —
слитки мультикристаллического кремния,
выращенные из рафинированного металлургического
кремния
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера
Слайд 4Задачи исследования:
Цели работы:
Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на
приближения полного конвективно-диффузионного перемешивания расплава.
Задачи исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.
Задачи исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.
Слайд 9
Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной
загрузки mc-Si №3
Слайд 13
Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и
mc-Si на основе загрузок №1-4
Слайд 14Заключение
Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при
направленной кристаллизации имеет место как конвективный, так и диффузионный перенос вещества.
