Презентация на тему Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Презентация на тему Презентация на тему Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния, предмет презентации: Химия. Этот материал содержит 15 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Текст слайда:

Распределение примесей
в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Выполнила: Клушина Надежда,
студентка физического факультета, группа 1411
Научный руководитель: Непомнящих А.И., профессор,д.ф.-м.н,
Соруководитель: Пресняков Р.В., научный сотрудник,к.ф.-м.н.,

лаборатория «Физика монокристаллов»
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН


Слайд 2
Текст слайда:

Актуальность моей работы

Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является рафинированный металлургический кремний (UMG-Si) с долей основного вещества от 99,9 ат.% до 99,999 ат.%.


Слайд 3
Текст слайда:

Объект нашего исследования —
слитки мультикристаллического кремния,
выращенные из рафинированного металлургического кремния
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера



Слайд 4
Текст слайда:

Задачи исследования:

Цели работы:
Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на приближения полного конвективно-диффузионного перемешивания расплава.

Задачи исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.


Слайд 5
Текст слайда:


 

Теоретический анализ


Слайд 6
Текст слайда:

Таблица.1.Условия выращивания mc-Si



Слайд 7
Текст слайда:



 


Слайд 8
Текст слайда:

Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка



Слайд 9
Текст слайда:




Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной загрузки mc-Si №3


Слайд 10
Текст слайда:

.

 

 




Слайд 11
Текст слайда:


 



Слайд 12
Текст слайда:


 




Слайд 13
Текст слайда:


Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и mc-Si на основе загрузок №1-4


Слайд 14
Текст слайда:

Заключение

Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при направленной кристаллизации имеет место как конвективный, так и диффузионный перенос вещества.


Слайд 15

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика