Проективный пробег ионов Rp
Профили распределения B при имплантации в Si
                                
Е.М.Лифшиц
 1915-1985
В.В.Слёзов
 1930-2013
                                
Методы осаждения
- Электронно-лучевое осаждение
Магнетронное осаждение
Температура отжига 500 – 1000 °C 
                                
ПЭМ изображение поперечного
среза массива наночастиц Au (номинальная толщина 1 нм) в SiO2
Наночастицы Au в каждом слое сосредоточены практически в одной плоскости
                                
А – работа выхода электрона из Au
Х – сродство к электрону SiO2
Eс – дно зоны проводимости Sio2
EF – уровень Ферми в Au
Высота потенциального барьера 
Электроны в наночастице Au находятся в потенциальной яме
 
                                
   - определение ёмкости
         - ёмкость шара
 проницаемость
              - электрическая постоянная
К.К. Лихарев
Р. 1933
                                
Зонная диаграмма МОП-структуры
                                
                                
Формы вещества:
Монокристалл (Si)
 аморфная (SiO2, HfO2)
- Нанокристаллы Au
                                
Эпитаксия – режим роста кристалла, когда структура подложки определяет структуру плёнки
Гомоэпитаксия – вещества подложки и плёнки одинаковы
Гетероэпитаксия – вещества подложки и плёнки различны
 
Рост эпитаксиальной плёнки на поверхности монокристаллической подложки
Механизм ван-дер-Мерве
                                
Послойный рост по механизму ван-дер-Мерве
Переход от слоевого роста к формированию наноостровков
                                
Схема упорядочения КТ InAs/ GaAs(001) в плоскости подложки
СТМ изображение квантовой точки InAs/GaAs(001) 
                                
Механическое состояние частицы
Радиус-вектор r                      волновая функция Ψp(r)
Импульс p             v               вероятность обнаружить частицу
                                       в объёме dr3: |Ψp(r)|2dr3
2-й закон Ньютона                        уравнение Шрёдингерa
                                                   - Гамильтониан
                                             - оператор импульса
                                                                                                       
Уравнение движения
                                
Одномерная зонная диаграмма квантовой ямы 
          -- квантовые числа
me – эффективная масса электрона 
L
Ee2
Ec
Ev
EgInAs
EgGaAs
Ee1
Eh1
Eh2
                                
Поверхности равной плотности вероятности
Каждое состояние имеет индекс из 3-х квантовых чисел
                                
Управляя размерами КТ, можно управлять энергией кванта излучения
hvPL
                                
Схема структуры полупроводникового лазера на квантовых точках
LASER: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
Ж.И.Алфёров
Р. 1930
Ec
Eм
                                
                                
Зонная диаграмма 
Схема оптических переходов 
hvPL
hvex
                                
                                
Флуоресцентное изображение клетки
                                
Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть