Презентация на тему Фазовая диаграмма GaAs. Ретроградная растворимость. Селективная летучесть мышьяка из расплава. Методы борьбы с этими проблемами

Презентация на тему Презентация на тему Фазовая диаграмма GaAs. Ретроградная растворимость. Селективная летучесть мышьяка из расплава. Методы борьбы с этими проблемами, предмет презентации: Химия. Этот материал содержит 13 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Фазовая диаграмма GaAs. Ретроградная растворимость. Селективная летучесть мышьяка из расплава. Методы
Текст слайда:

Фазовая диаграмма GaAs. Ретроградная растворимость. Селективная летучесть мышьяка из расплава. Методы борьбы с этими проблемами.

Горохова Е.О. МН-15, 2015 г.


Слайд 2
Диаграммаa
Текст слайда:

Диаграмма

a


Слайд 3
Диаграммы
Текст слайда:

Диаграммы


Слайд 4
Ретроградная растворимостьПри образовании твердых растворов максимум растворимости достигается, как правило, при
Текст слайда:

Ретроградная растворимость

При образовании твердых растворов максимум растворимости достигается, как правило, при температуре трехфазного равновесия - эвтектического или перитектического. Но в некоторых системах максимум растворимости отвечает более высокой т-ре (системы с ретроградной растворимостью).


Слайд 5
По сути, ретроградная –противоположная прогрессивной. Соответственно, уменьшающийся характер растворимости. С увеличением температуры вещество становится менее растворимым.
Текст слайда:

По сути, ретроградная –противоположная прогрессивной. Соответственно, уменьшающийся характер растворимости. С увеличением температуры вещество становится менее растворимым.


Слайд 6
Ретроградная растворимостьРетроградная растворимость наблюдается и в интерметаллических соединениях.Избыточный Ga обладает ретроградной
Текст слайда:

Ретроградная растворимость

Ретроградная растворимость наблюдается и в интерметаллических соединениях.
Избыточный Ga обладает ретроградной растворимостью в GaAs, поэтому охлаждение от высоких температур происходит в условиях пересыщения твердого раствора. По аналогии с сильнолегированными кристаллами GaAs это может приводить к блокировке дислокаций в приповерхностном слое, что затрудняет работу поверхностных источников.


Слайд 7
Селективная летучесть мышьяка из расплаваКристаллы GaAs достаточно трудно вырастить без выделений
Текст слайда:

Селективная летучесть мышьяка из расплава


Кристаллы GaAs достаточно трудно вырастить без выделений мышьяка.
При нагревании выше 6000 с поверхности GaAs он улетучивается.


Слайд 8
Причины взрыва кварцевой ампулы при выращивании GaAs:1. Парциальное давление паров As
Текст слайда:

Причины взрыва кварцевой ампулы при выращивании GaAs:

1. Парциальное давление паров As при высокой температуре, применяемой в процессе выращивания
2. Расстеклование стекла кварцевой ампулы -> волосяные трещины -> сброс давления в ампуле
3. Избыточное давление в кварцевой ампуле
4. неправильная работа или отказ термопары – избыточное давление в ампуле
5. избыток As, малое количество Ga, очень высокое давление As – сброс давления ампулы


Слайд 9
Селективная летучесть мышьяка из расплаваНаличие паров мышьяка влияет на появление дефектов,
Текст слайда:

Селективная летучесть мышьяка из расплава

Наличие паров мышьяка влияет на появление дефектов, а они, в свою очередь, на свойства выращиваемых кристаллов.
От концентрации дефектов зависит тип проводимости. А концентрация зависит от исходной стехиометрии, от давления инертного газа, условий охлаждения.
При температуре плавления арсенида галлия общее давление паров мышьяка
Робщ=0,976ат, РAs4=0,902ат, РAs2=0,074ат.
Давление паров галлия при этом менее 10-4ат


Слайд 10
Методы борьбы с этими проблемамиДля того чтобы можно было нагреть пластину
Текст слайда:

Методы борьбы с этими проблемами

Для того чтобы можно было нагреть пластину GaAs вплоть до 950 ºС, его поверхность с помощью плазменного напыления покрывают слоем Si3N4. При температурах до 750 ºС лучшим покрытием является AlN, поскольку его коэффициент теплового расширения ближе к GaAs. Можно также проводить отжиг в атмосфере As при избы- точном давлении (без защиты поверхности).


Слайд 11
Летучие арсины можно затем выморозить в ампулу, охлаждаемую жидким азотом. Затем,
Текст слайда:

Летучие арсины можно затем выморозить в ампулу, охлаждаемую жидким азотом. Затем, медленно нагревая ампулу, можно добиться раздельного испарения разных арсинов.


Слайд 12
Кварцевые ампулы подвергаются вторичной обработке с помощью жидкостного травления мышьяка, осевшего
Текст слайда:

Кварцевые ампулы подвергаются вторичной обработке с помощью жидкостного травления мышьяка, осевшего на их внутренней поверхности, царской водкой - смесью азотной и соляной кислот (HCl, HNO3) или смесью серной кислоты и перекиси водорода (H2SO4/H2O2)


Слайд 13
При выращивании монокристаллических слитков установку для выращивания монокристаллов охлаждают до температуры
Текст слайда:

При выращивании монокристаллических слитков установку для выращивания монокристаллов охлаждают до температуры ниже 100о, что вызывает осаждение мельчайших частиц мышьяка на внутренней поверхности установки. Охлаждение помогает минимизировать количество мышьяка, поступающего в воздух. Крупные отложения остатков материалов с содержанием мышьяка остаются внутри установки для выращивания кристаллов.


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика