- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Введение в эпитаксиальные технологии презентация
Содержание
- 1. Введение в эпитаксиальные технологии
- 2. Зонная структура Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
- 3. Переход от атома к решётке
- 4. Взаимодействие изолированного атома с квантом света
- 5. Вынужденное излучение
- 6. Излучательная рекомбинация электрона и дырки Излучательная рекомбинация
- 7. Устройство инжекционного п/п лазера
- 8. Устройство инжекционного п/п лазера
- 9. Окна прозрачности оптического волокна
- 10. Нобелевская премия 20 века Жорес Иванович Алфёров
- 11. Эпитаксия επι – на , ταξισ – упорядоченность
- 12. Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды
- 13. Рассогласование по параметру решётки *допустимо не более
- 14. Метод измерения кривизны растущей структуры Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку
- 15. Латеральный рост
- 18. Вакуумная лампа накаливания ⇑Температуры нити – ⇑
- 19. Газонаполненная лампа накаливания Газ меняет процесс массопереноса.
- 20. Галогеновая лампа накаливания Испаряющийся W реагирует с
- 23. Механизм роста Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под действием температуры)
- 26. Газофазная эпитаксия
- 27. Схема реактора
- 28. Скоростной и концентрационный пограничные слои
- 29. Пограничный слой
- 30. Механизм роста
- 31. Примеры установок
- 33. Молекулярно-пучковая эпитаксия
- 34. Ячейка Кнудсена
- 35. Типичная МПЭ установка
- 36. Другие виды эпитаксии Конденсация из паровой фазы
- 37. Контакты Ильдар Набиуллин Студент 1 курса магистратуры
Зонная структура Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
Слайд 2Зонная структура
Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных
атомов
Слайд 6Излучательная рекомбинация электрона и дырки
Излучательная рекомбинация электрона и дырки:
а –
спонтанное излучение; б – вынужденное
Слайд 10Нобелевская премия 20 века
Жорес Иванович Алфёров
Prize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used
in high-speed- and opto-electronics"
Слайд 13Рассогласование по параметру решётки
*допустимо не более 15%
**важно также, чтобы слой и
подложка имели близкие значения коэффициентов термического расширения
Слайд 14Метод измерения кривизны растущей
структуры
Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку
Слайд 18Вакуумная лампа накаливания
⇑Температуры нити – ⇑ КПД.
⇑ Температуры нити – ⇑
испарения W
W создает непрозрачное покрытие
Скорость осаждения W~1/r2 ⇒
⇒Увеличение r
W создает непрозрачное покрытие
Скорость осаждения W~1/r2 ⇒
⇒Увеличение r
Аналог молекулярно-пучковой эпитаксии
Слайд 19Газонаполненная лампа накаливания
Газ меняет процесс массопереноса.
Он препятствует свободному
полету атомов W.
Вокруг нити
образуется область,
обогащенная парами W.
W частично переосаждается
на нить накаливания.
Не переосадившийся W
диффундирует в газе к стенкам,
в значительной степени увлекаясь
вверх конвекционным потоком.
Снижается скорость испарения W.
W оседает преимущественно
на верхней поверхности лампы.
Размеры лампы по прежнему большие.
обогащенная парами W.
W частично переосаждается
на нить накаливания.
Не переосадившийся W
диффундирует в газе к стенкам,
в значительной степени увлекаясь
вверх конвекционным потоком.
Снижается скорость испарения W.
W оседает преимущественно
на верхней поверхности лампы.
Размеры лампы по прежнему большие.
Аналог физической газофазной эпитаксии
Слайд 20Галогеновая лампа накаливания
Испаряющийся W реагирует с йодом.
Реакция идет и в газе,
и на стенках
(если они горячее 300-400оС).
Йодиды вольфрама летучи.
Если нет холодных поверхностей,
пары йодидов вольфрама
заполняют лампу и разлагаются на
поверхности раскаленной нити, тем
самым «восстанавливая» ее.
При заданной температуре нити
увеличивается срок службы лампы.
Не изменяя срок службы лампы,
можно существенно повысить
температуру нити, повысив КПД.
Стенки лампы очищаются – можно
(и нужно для их разогрева) уменьшать
размеры лампы.
(если они горячее 300-400оС).
Йодиды вольфрама летучи.
Если нет холодных поверхностей,
пары йодидов вольфрама
заполняют лампу и разлагаются на
поверхности раскаленной нити, тем
самым «восстанавливая» ее.
При заданной температуре нити
увеличивается срок службы лампы.
Не изменяя срок службы лампы,
можно существенно повысить
температуру нити, повысив КПД.
Стенки лампы очищаются – можно
(и нужно для их разогрева) уменьшать
размеры лампы.
Аналог химической ГФЭ
Слайд 23Механизм роста
Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под
действием температуры)
Слайд 36Другие виды эпитаксии
Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в
испарении или распылении материала в вакууме и осаждении его на монокристаллическую подложку.
Жидкофазная эпитаксия. Заключается в наращивании монокристаллического слоя из металлического расплава, насыщенного полупроводниковым материалом.
Твердофазная эпитаксия. При нагреве многослойной структуры происходит перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированный рост на монокристаллическую подложку.
Жидкофазная эпитаксия. Заключается в наращивании монокристаллического слоя из металлического расплава, насыщенного полупроводниковым материалом.
Твердофазная эпитаксия. При нагреве многослойной структуры происходит перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированный рост на монокристаллическую подложку.
Слайд 37Контакты
Ильдар Набиуллин
Студент 1 курса магистратуры СПбАУ РАН
Телефон: +7 912 596 91
36
Эл. почта: nabildar@yandex.ru
Эл. почта: nabildar@yandex.ru
