Презентация на тему Введение в эпитаксиальные технологии

Презентация на тему Презентация на тему Введение в эпитаксиальные технологии, предмет презентации: Физика. Этот материал содержит 37 слайдов. Красочные слайды и илюстрации помогут Вам заинтересовать свою аудиторию. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций ThePresentation.ru в закладки!

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
Введение в эпитаксиальные технологииИльдар Набиуллин Академический университет РАН
Текст слайда:

Введение в эпитаксиальные технологии

Ильдар Набиуллин
Академический университет РАН


Слайд 2
Зонная структураФормирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
Текст слайда:

Зонная структура

Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов


Слайд 3
Переход от атома к решётке
Текст слайда:

Переход от атома к решётке


Слайд 4
Взаимодействие изолированного атома с квантом света
Текст слайда:

Взаимодействие изолированного атома с квантом света


Слайд 5
Вынужденное излучение
Текст слайда:

Вынужденное излучение


Слайд 6
Излучательная рекомбинация электрона и дыркиИзлучательная рекомбинация электрона и дырки: а – спонтанное излучение; б – вынужденное
Текст слайда:

Излучательная рекомбинация электрона и дырки

Излучательная рекомбинация электрона и дырки:
а – спонтанное излучение; б – вынужденное


Слайд 7
Устройство инжекционного п/п лазера
Текст слайда:

Устройство инжекционного п/п лазера


Слайд 8
Устройство инжекционного п/п лазера
Текст слайда:

Устройство инжекционного п/п лазера


Слайд 9
Окна прозрачности оптического волокна
Текст слайда:

Окна прозрачности оптического волокна


Слайд 10
Нобелевская премия 20 векаЖорес Иванович АлфёровPrize motivation: 
Текст слайда:

Нобелевская премия 20 века

Жорес Иванович Алфёров
Prize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"


Слайд 11
Эпитаксияεπι – на , ταξισ – упорядоченность
Текст слайда:

Эпитаксия

επι – на , ταξισ – упорядоченность


Слайд 12
Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды
Текст слайда:

Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды


Слайд 13
Рассогласование по параметру решётки*допустимо не более 15%**важно также, чтобы слой и
Текст слайда:

Рассогласование по параметру решётки

*допустимо не более 15%
**важно также, чтобы слой и подложка имели близкие значения коэффициентов термического расширения


Слайд 14
Метод измерения кривизны растущей структурыНапряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку
Текст слайда:

Метод измерения кривизны растущей структуры

Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку


Слайд 15
Латеральный рост
Текст слайда:

Латеральный рост


Слайд 16

Слайд 17
Текст слайда:




Слайд 18
Вакуумная лампа накаливания⇑Температуры нити – ⇑ КПД.⇑ Температуры нити – ⇑
Текст слайда:

Вакуумная лампа накаливания

⇑Температуры нити – ⇑ КПД.
⇑ Температуры нити – ⇑ испарения W
W создает непрозрачное покрытие
Скорость осаждения W~1/r2 ⇒
⇒Увеличение r

Аналог молекулярно-пучковой эпитаксии


Слайд 19
Газонаполненная лампа накаливанияГаз меняет процесс массопереноса.Он препятствует свободномуполету атомов W.Вокруг нити
Текст слайда:

Газонаполненная лампа накаливания

Газ меняет процесс массопереноса.
Он препятствует свободному
полету атомов W.
Вокруг нити образуется область,
обогащенная парами W.
W частично переосаждается
на нить накаливания.
Не переосадившийся W
диффундирует в газе к стенкам,
в значительной степени увлекаясь
вверх конвекционным потоком.
Снижается скорость испарения W.
W оседает преимущественно
на верхней поверхности лампы.
Размеры лампы по прежнему большие.

Аналог физической газофазной эпитаксии


Слайд 20
Галогеновая лампа накаливанияИспаряющийся W реагирует с йодом.Реакция идет и в газе,
Текст слайда:

Галогеновая лампа накаливания

Испаряющийся W реагирует с йодом.
Реакция идет и в газе, и на стенках
(если они горячее 300-400оС).
Йодиды вольфрама летучи.
Если нет холодных поверхностей,
пары йодидов вольфрама
заполняют лампу и разлагаются на
поверхности раскаленной нити, тем
самым «восстанавливая» ее.
При заданной температуре нити
увеличивается срок службы лампы.
Не изменяя срок службы лампы,
можно существенно повысить
температуру нити, повысив КПД.
Стенки лампы очищаются – можно
(и нужно для их разогрева) уменьшать
размеры лампы.

Аналог химической ГФЭ


Слайд 21

Слайд 22
Текст слайда:




Слайд 23
Механизм ростаВстраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под действием температуры)
Текст слайда:

Механизм роста

Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под действием температуры)


Слайд 24

Слайд 25

Слайд 26
Газофазная эпитаксия
Текст слайда:

Газофазная эпитаксия


Слайд 27
Схема реактора
Текст слайда:

Схема реактора


Слайд 28
Скоростной и концентрационный пограничные слои
Текст слайда:

Скоростной и концентрационный пограничные слои


Слайд 29
Пограничный слой
Текст слайда:

Пограничный слой


Слайд 30
Механизм роста
Текст слайда:

Механизм роста


Слайд 31
Примеры установок
Текст слайда:

Примеры установок


Слайд 32

Слайд 33
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Текст слайда:

Молекулярно-пучковая эпитаксия


Слайд 34
Ячейка Кнудсена
Текст слайда:

Ячейка Кнудсена


Слайд 35
Типичная МПЭ установка
Текст слайда:

Типичная МПЭ установка


Слайд 36
Другие виды эпитаксии	Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в
Текст слайда:

Другие виды эпитаксии

Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в испарении или распылении материала в вакууме и осаждении его на монокристаллическую подложку.
Жидкофазная эпитаксия. Заключается в наращивании монокристаллического слоя из металлического расплава, насыщенного полупроводниковым материалом.
Твердофазная эпитаксия. При нагреве многослойной структуры происходит перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированный рост на монокристаллическую подложку.


Слайд 37
КонтактыИльдар НабиуллинСтудент 1 курса магистратуры СПбАУ РАНТелефон: +7 912 596 91 36Эл. почта: nabildar@yandex.ru
Текст слайда:

Контакты

Ильдар Набиуллин
Студент 1 курса магистратуры СПбАУ РАН

Телефон: +7 912 596 91 36
Эл. почта: nabildar@yandex.ru


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика