Вплив домішок на товщину збідненої області p-n переходу презентация

впливає на товщину збідненої області p-n переходу.

на переході приводить до розщеплення рівня Фермі, зменшення товщини ОПЗ. Фізично це зумовлено тим, що при прямому включенні основні носії заряду змушені рухатися в напрямі від омічних контактів до збідненого шару переходу, збагачуючи його. Опір переходу зменшується, сам перехід звужується. Збільшення зворотної напруги на переході приводить до збільшення його товщини. У цьому випадку основні носії заряду зміщуються в різні сторони від p−n переходу, і збіднений шар ще більше збіднюється на рухомі носії, його опір збільшується, а ОПЗ розширюється.

базою та пояснити їх вигляд.

характеристика зміщується вгору, в бік більших струмів емітера.
Причина цього зміщення:
 при збільшенні негативної UКБ зменшується активна ширина бази ω, зростає градієнт концентрації дірок у базі (рис.), і тому при незмінній напрузі UЕБ збільшується IЕ;
 при збільшенні запірної напруги UКБ на КП зростає зворотний струм колектора IКБ0, який, проходячи через розподілений опір бази rБ, створює на ньому падіння напруги зворотного зв’язку UЗЗ (рис.). Ця напруга, узгоджена з напругою UЕБ за напрямом, сприяє більшому відкриванню ЕП і зростанню внаслідок цього струму IE.
Під впливом перелічених причин у емітерному колі БТ при UЕБ і негативній напрузі на колекторі протікає невеликий струм емітера. Для того щоб його усунути, потрібно до емітера прикласти невелику негативну напругу.

Модуляція товщини бази БТ та її вплив на розподіл концентрації неосновних носіїв

Утворення напруги зворотного зв’язку на розподіленому опорі бази

еквівалентну схему рис.
У цій схемі враховано, що підкладка в ПТКП з’єднується із затвором, а в МДН – транзисторах – з витоком. Елементи rC та rB - це опори ділянки НП, які знаходяться між оміч­ними контактами стоку, витоку і затвора. Елемент rКсер - це середній розподілений опір каналу, через який заряджається і розряджається ємність між затвором і витоком СЗВ. Елеме­нти RСЗ і RЗВ - це опори ввімкнених у зворотному напрямі клерувальних p-n – переходів у ПТКП або опори між стоком і затвором, затвором і витоком у МДН - транзисторах. Джерело струму SПТ відображає процес керування вихідним струмом ПТ за допомогою вхідної напруги U′ЗВ, riПТ - внутрішній опір ПТ. Опори rC та rB у ПТКП станов­лять десятки Ом, у МДН - транзисторів – частки Ом. Опори RСЗ і rКсер великі та для ПТКП становлять сотні кілоомів, а для МДН - транзисторів досягають значень  Ом. Значення ємностей СЗВ і ССВ становлять (3 - 20) пФ, а ємність ССЗ не перевищує 10 пФ.
Частотні властивості ПТКП визначаються здебільшого ділянкою затвор - витік (фрагмент схеми (рис.) з елементами СЗВ, rКсер, RЗВ). Вхідна змінна напруга UЗВ розподіляється між ємністю СЗВ і середнім опором каналу rКсер. Безпосередньою керувальною напругою, під дією якої змінюються товщина – p-n переходу і ширина каналу, є напруга, прикладена до ємності СЗВ.

Еквівалентна схема польового транзистора